SD6900描述:

    SD6900是一款專用于非隔離LED驅(qū)動(dòng)的控制芯片,外圍應(yīng)用采取浮地Buck架構(gòu).在該架構(gòu)下,芯片采樣電感電流進(jìn)入內(nèi)部,并利用內(nèi)部誤差放大器形成閉環(huán)反饋網(wǎng)絡(luò),從而達(dá)到高恒流精度和高輸入/輸出調(diào)整率.同時(shí),芯片自帶PFC控制,自動(dòng)實(shí)現(xiàn)全電壓范圍高PF值.芯片的臨界導(dǎo)通模式減小開(kāi)關(guān)損耗,提高系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率.           

   SD6900內(nèi)部集成各種保護(hù)功能,包括輸出開(kāi)路保護(hù),輸出短路保護(hù),逐周期過(guò)流保護(hù),過(guò)溫保護(hù),VCC過(guò)壓保護(hù)等.

   SD6900具有超低的啟動(dòng)電流和工作電流,可在全電壓輸入范圍內(nèi)（85VAC~265VAC）高效驅(qū)動(dòng)高亮度LED.

 

SD6900的特性:

    SD6900有恒流控制模式（專利）

    SD6900精確恒定電流（<±3%）供給LED

    SD6900全電壓輸入范圍PF>0.9

    SD6900臨界導(dǎo)通模式

    SD6900短路保護(hù)（專利）

    SD6900開(kāi)路保護(hù)

    SD6900有VCC過(guò)壓欠壓保護(hù)

    SD6900過(guò)溫保護(hù)

    SD6900過(guò)電流保護(hù)

 

SD6900應(yīng)用范圍:

    SD6900用于球泡燈

    SD6900用于T5LED燈具

    SD6900用于T8LED燈具

    SD6900用于各式LED照明應(yīng)用場(chǎng)合

SD6900功能描述:

    SD6900是一款利用BUCK原理搭建的非隔離LED照明驅(qū)動(dòng)芯片.以下是對(duì)芯片各功能的具體描述.

SD6900啟動(dòng)控制:

    SD6900的啟動(dòng)電流很低,因此可以快速啟動(dòng).外部啟動(dòng)電路可以采用較大的啟動(dòng)電阻.VCC端具有欠壓保護(hù)功能,開(kāi)啟/關(guān)斷電壓閥值設(shè)定在16V和8.5V.遲滯特性確保啟動(dòng)期間輸入電容能給芯片正常供電.啟動(dòng)完成且輸出電壓上升到一定程度后,輸出端可通過(guò)輔助繞組或齊納管降壓對(duì)VCC進(jìn)行充電.Vz=VLED-VCC.

 

    

 

SD6900臨界導(dǎo)通模式:

   SD6900芯片采用檢測(cè)電感電流過(guò)零來(lái)開(kāi)通MOSFET開(kāi)關(guān).電感電流過(guò)零點(diǎn)可通過(guò)ZCD電壓來(lái)判斷.ZCD電壓可通過(guò)輔助繞組或電阻分壓檢測(cè).

   當(dāng)電感電流過(guò)零時(shí),ZCD管腳電壓會(huì)下降,芯片檢測(cè)其下降沿,實(shí)現(xiàn)過(guò)零開(kāi)通MOSFET開(kāi)關(guān).臨界導(dǎo)通模式有利于減小開(kāi)關(guān)損耗,提高系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率.

 

SD6900恒流精度控制

    SD6900芯片采樣電感電流,利用內(nèi)部誤差放大器形成閉環(huán)反饋網(wǎng)絡(luò),從而得到高恒流精度和高負(fù)載調(diào)整率.

    CS電壓和0.17V基準(zhǔn)電壓進(jìn)入跨導(dǎo)放大器進(jìn)行誤差放大,并通過(guò)外部Comp電容積分.Comp端電壓控制外部功率管導(dǎo)通時(shí)間,調(diào)整輸出電流.

SD6900電流檢測(cè)和前沿消隱

    SD6900芯片具有逐周期限流保護(hù)功能,當(dāng)CS電壓超過(guò)一定值時(shí),芯片關(guān)斷外部MOSFET開(kāi)關(guān),系統(tǒng)仍保持正常工作,下個(gè)周期外部MOSFET正常開(kāi)啟.

在前沿消隱時(shí)間內(nèi),限流比較器是不工作的,MOSFET開(kāi)關(guān)在這段時(shí)間內(nèi)是保持導(dǎo)通狀態(tài)的.

 

SD6900柵極驅(qū)動(dòng):

    GATE管腳連接到外部MOSFET的柵極,來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)MOSFET的開(kāi)關(guān)控制.GATE的驅(qū)動(dòng)能力太弱,MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗會(huì)增加；反之,GATE的驅(qū)動(dòng)能力太強(qiáng),則會(huì)帶來(lái)EMI問(wèn)題.因此,芯片的圖騰柱式的驅(qū)動(dòng)輸出部分在驅(qū)動(dòng)能力和死區(qū)時(shí)間之間進(jìn)行了折衷.

    GATE的輸出高電平被鉗位在15V,以保護(hù)內(nèi)部高壓MOSFET的安全.

SD6900 VCC過(guò)壓保護(hù):

    當(dāng)VCC電壓過(guò)高時(shí),進(jìn)入VCC過(guò)壓保護(hù)狀態(tài),MOSFET開(kāi)關(guān)截止,系統(tǒng)將進(jìn)入自動(dòng)重啟.

SD6900輸出過(guò)壓保護(hù):

    輸出電壓通過(guò)電阻分壓輸入ZCD管腳.當(dāng)ZCD電壓超過(guò)過(guò)載保護(hù)電壓閾值4.25V時(shí),進(jìn)入輸出過(guò)壓保護(hù)狀態(tài),MOSFET開(kāi)關(guān)截止,系統(tǒng)將重新啟動(dòng).

SD6900輸出短路保護(hù):

    當(dāng)ZCD電壓低于輸出短路保護(hù)電壓閾值0.5V且維持448個(gè)開(kāi)關(guān)周期后,芯片進(jìn)入輸出短路保護(hù)狀態(tài),MOSFET開(kāi)關(guān)截止,系統(tǒng)將重新啟動(dòng).