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LLC240W產(chǎn)品設(shè)計(jì)資料分享,高效94
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本案子是250W，效率達(dá)到95.4%。
真實(shí)。有所有材料。
可供大家參看下。
且體積比原來的小很多。頻率跑在200K，也可以跑在500K，當(dāng)然這不是傳統(tǒng)的硅MOSFET能做到。
硅器件如果跑高頻將發(fā)熱很嚴(yán)重。這里用的是氮化鎵MOSFET TPH3002PS，可以看到無任何散熱片
常規(guī)的PFC+LLC電路設(shè)計(jì)正常效率在93%以下。 主要是因?yàn)殡娐飞细邏汗?a target="_blank">MOSFET的損耗很大使效率很難提高，
雖然現(xiàn)在有cool-MOSFET，但依然存在著不足，雖然Rds(on)很小了，但死區(qū)時(shí)間較大。開關(guān)周期中體內(nèi)寄生的二極管
存有損耗。使得效率無法進(jìn)一步提高。同時(shí)由于硅材料的物理特性，高壓MOSFET工作頻率很難再提高，正常超過150K HZ
MOSFET的損耗會(huì)成倍地加大。
新型MOSFET采用的是氮化鎵材質(zhì)，在體內(nèi)沒有寄生二極管。同時(shí)氮化鎵MOSFET的體內(nèi)寄生參數(shù)相對(duì)COOL-MOSFET來說小很多
不管是結(jié)電容還是門極驅(qū)動(dòng)電荷Qg,均不是一個(gè)級(jí)別的小。
氮化鎵是高頻器件，可以跑很高的開關(guān)頻率，200K--10M開關(guān)頻率。而硅材料能只150K以下/600V器件，硅MOSFET高頻后發(fā)熱很嚴(yán)重。
但氮化鎵MOSFET高頻后基本差不多，不會(huì)帶來熱的問題。
目前市場(chǎng)走小型化，高功率密度化，氮化鎵是必然的方向。
現(xiàn)在介紹的是采用氮化鎵的產(chǎn)品：
VIN:90--264Vac
Vou:12V 20A
此板是是蘋果一體機(jī)電源的方案。請(qǐng)參看下面。 （第一圖是蘋果電源老板與新板對(duì)比，黑色是先前板子，采用的是COOL-MOSFET，
新板子采用的是氮化鎵MOSFET，無任何散熱片。）
因?yàn)楹谏臑楣璨牧希?00V的高壓COOL-MOSFET工作開關(guān)頻率只能100K以下。所以體積必然會(huì)在大，同時(shí)硅的損耗也會(huì)比氮化鎵大。使得其
效率最大在93%左右，
而更改成氮化鎵MOSFET后，可以提高工作頻率，同時(shí)氮化鎵本身沒有因?yàn)楦哳l帶來更多熱的問題?？梢钥吹降塎OSFET無散熱片，可以想像其損耗很小。
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本人親測(cè)。請(qǐng)理解與支持。或你自己下載試下其它的IE瀏覽器。
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更多資料請(qǐng)從這里下載： http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX
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@transphorm
本案子是250W，效率達(dá)到95.4%。真實(shí)。有所有材料?？晒┐蠹覅⒖聪?。且體積比原來的小很多。頻率跑在200K，也可以跑在500K，當(dāng)然這不是傳統(tǒng)的硅MOSFET能做到。硅器件如果跑高頻將發(fā)熱很嚴(yán)重。這里用的是氮化鎵MOSFETTPH3002PS，可以看到無任何散熱片[圖片][圖片]常規(guī)的PFC+LLC電路設(shè)計(jì)正常效率在93%以下。主要是因?yàn)殡娐飞细邏汗鐼OSFET的損耗很大使效率很難提高，雖然現(xiàn)在有cool-MOSFET，但依然存在著不足，雖然Rds(on)很小了，但死區(qū)時(shí)間較大。開關(guān)周期中體內(nèi)寄生的二極管存有損耗。使得效率無法進(jìn)一步提高。同時(shí)由于硅材料的物理特性，高壓MOSFET工作頻率很難再提高，正常超過150KHZMOSFET的損耗會(huì)成倍地加大。新型MOSFET采用的是氮化鎵材質(zhì)，在體內(nèi)沒有寄生二極管。同時(shí)氮化鎵MOSFET的體內(nèi)寄生參數(shù)相對(duì)COOL-MOSFET來說小很多不管是結(jié)電容還是門極驅(qū)動(dòng)電荷Qg,均不是一個(gè)級(jí)別的小。氮化鎵是高頻器件，可以跑很高的開關(guān)頻率，200K--10M開關(guān)頻率。而硅材料能只150K以下/600V器件，硅MOSFET高頻后發(fā)熱很嚴(yán)重。但氮化鎵MOSFET高頻后基本差不多，不會(huì)帶來熱的問題。目前市場(chǎng)走小型化，高功率密度化，氮化鎵是必然的方向?，F(xiàn)在介紹的是采用氮化鎵的產(chǎn)品：VIN:90--264VacVou:12V 20AEMI, PFC 均通過。此板是是蘋果一體機(jī)電源的方案。請(qǐng)參看下面。（第一圖是蘋果電源老板與新板對(duì)比，黑色是先前板子，采用的是COOL-MOSFET，新板子采用的是氮化鎵MOSFET，無任何散熱片。）因?yàn)楹谏臑楣璨牧希?00V的高壓COOL-MOSFET工作開關(guān)頻率只能100K以下。所以體積必然會(huì)在大，同時(shí)硅的損耗也會(huì)比氮化鎵大。使得其效率最大在93%左右，而更改成氮化鎵MOSFET后，可以提高工作頻率，同時(shí)氮化鎵本身沒有因?yàn)楦哳l帶來更多熱的問題?？梢钥吹降塎OSFET無散熱片，可以想像其損耗很小。200KLLC+PFC250W95.4%效率.pdf氮化鎵MOSFET介紹.pdf有些IE/瀏覽器不支持附件下載，請(qǐng)下載googlechrome，它支持所有下載。本人親測(cè)。請(qǐng)理解與支持?；蚰阕约合螺d試下其它的IE瀏覽器。有安裝迅雷的朋友，可以點(diǎn)擊右鍵下載，這樣更快。[圖片]更多資料請(qǐng)從這里下載： http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX
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