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求教，推挽電路的這個(gè)震蕩是什么原因

大家好，我最近在做一個(gè)12V轉(zhuǎn)240V的200W電源。使用推挽拓?fù)?，電路如下（第一次使用）?

新建位圖圖像

在調(diào)試過程中出現(xiàn)這樣的問題波形，搞不懂。請論壇的朋友們不吝賜教?。?

LeCroy6

紅色和黃色的通道是原邊MOSFET的Vds，藍(lán)色的是副邊輸出直流二極管的端電壓

全部回復(fù)(27)
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2015-01-09 10:06
@張?jiān)评?/div>
怎么沒有人回復(fù)啊，是我問題沒有說清楚么
幫頂一下，等待論壇大神來解答
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rainever
LV.8
4
2015-01-09 10:53
@張?jiān)评?/div>
怎么沒有人回復(fù)啊，是我問題沒有說清楚么
你這個(gè)升壓比大，副邊太多匝數(shù)，漏感造成的，你測過變壓器漏感多大嗎；兩個(gè)mosfet都加個(gè)RC緩沖，可以把震蕩降低一點(diǎn)。
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rainever
LV.8
6
2015-01-09 15:50
@張?jiān)评?/div>
用LCR測試儀測量，變壓器漏感只有100nH左右。這個(gè)尖峰不是MOSFET關(guān)斷造成的，是在一個(gè)MOSFET開通的時(shí)候，另外一個(gè)MOSFET的漏極電壓產(chǎn)生尖峰。變壓器原邊用銅箔繞2匝，副邊40匝
一個(gè)MOSFET開通的時(shí)候，不正是另外一個(gè)MOSFET關(guān)斷么~尖峰是在關(guān)斷的mosfet上。加個(gè)RC很快的，你試試吧
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rainever
LV.8
8
2015-01-12 09:20
@張?jiān)评?/div>
一個(gè)MOS關(guān)閉了，另外一個(gè)要等會(huì)才開通啊。不過加RC是管用的，但是效果不明顯。
關(guān)斷的時(shí)候才產(chǎn)生震蕩，效果不明顯是RC選取不當(dāng)
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rainever
LV.8
11
2015-01-13 16:24
@張?jiān)评?/div>
添加吸收電路后電壓尖峰變大了?。?！[圖片]未添加吸收電容[圖片]添加吸收電容

RC 是多少呢

題外話 樓主 R41， C41， C44， R43這個(gè)電路有啥作用？

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jameserik
LV.3
13
2015-01-14 13:19
@張?jiān)评?/div>
今天又繞了個(gè)變壓器，采用三明治繞法。但是漏感還是沒有改觀。用LCR電橋測試得100nH左右。難不成這種高變比的推挽變壓器漏感就是不能解決？
漏感影響的是MOS關(guān)閉瞬間，漏感電流會(huì)產(chǎn)生尖峰，打開后的震蕩如果是閉環(huán)推挽都會(huì)有
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rainever
LV.8
14
2015-01-14 16:41
@張?jiān)评?/div>
電容從470pF到100nF都試了，電阻還沒有加。這四個(gè)器件當(dāng)然是用來吸收。

電阻呢？

沒用過你那種吸收電路，原理是什么？有沒有資料貼來看看？

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shoppingtzp
LV.3
15
2015-01-15 09:28
@張?jiān)评?/div>
電容從470pF到100nF都試了，電阻還沒有加。這四個(gè)器件當(dāng)然是用來吸收。
吸收不大多直接在管子上并嗎？
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2015-01-15 09:53
帖子非常不錯(cuò)，推薦到帖子底部經(jīng)典圖庫。更多請點(diǎn)擊哦：http://www.15119.cn/bbs/classic/
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alai4
LV.6
17
2015-01-15 13:35
@shoppingtzp
吸收不大多直接在管子上并嗎？
驅(qū)動(dòng)能力不足吧？
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jameserik
LV.3
22
2015-01-15 19:08
@張?jiān)评?/div>
因?yàn)橹灰娫炊说奶幚硎菍ΨQ的，我認(rèn)為吸收添加在MOSFET的D端和S端（電源的負(fù)端）與 吸收添加在MOSFET的D端和電源的正端效果是一樣的。
效果是不一樣的，如果你身邊有推挽結(jié)構(gòu)的電源，可以用示波器看看初級和次級的波形
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今天把閉環(huán)做出來了，帶載80W

帶載160W的波形。

輸出電壓還算穩(wěn)定，但是效率有點(diǎn)低，只有80%。

（紅色通道為：MOSFET柵極電壓，黃色為MOSFET漏極電壓，藍(lán)色為輸出電壓，綠色為輸出電流。

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xyx11
LV.6
25
2015-01-18 08:50

這個(gè)震蕩不可能消除，

它是由 MOS管的 漏極電容 以及 回路的 離散電容、離散電感、吸收電容共同決定

因此吸收電容會(huì)改變一下它的頻率和幅度

吸收電容選擇的原則是：尖峰電壓不要超過 MOS 管的 極限（應(yīng)有15--20%的余量）

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gpl123
LV.1
27
2015-01-28 11:06
@張?jiān)评?/div>
吸收電容添加后，電壓尖峰竟然變大。這中事情你見過沒有。
有沒有試過其他的容值再測呢？加RC尖峰反而變大~，等候樓主的結(jié)果
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