比較多的小鮮肉發(fā)帖咨詢(xún)半橋諧振的尖峰問(wèn)題,是對(duì)于諧振了解不深入,存在認(rèn)知誤區(qū)。哥特的圖文并茂,以身試法,聲淚俱下,深入淺出的賣(mài)弄一下。
先上圖:
以半橋諧振上管開(kāi)通為例。
太多人以為MOS并電容是吸收,其實(shí)大錯(cuò)。
A點(diǎn)下管關(guān)閉,接桌是DT死區(qū)。在DT區(qū)間,MOS的輸出電容Coss,雜散分布電容,以及雜散分布電感參與諧振(非常重要:這個(gè)諧振跟主回路的LC諧振無(wú)直接關(guān)系),諧振波形看圖中圓圈部分。其諧振頻率很高。
如果DT時(shí)間選擇得妥妥的,在第一個(gè)諧振峰值點(diǎn)(B點(diǎn))讓上管開(kāi)通,那就是完美的ZVS 0電壓開(kāi)通。有小鮮肉要問(wèn),ZVS不是開(kāi)關(guān)頻率跟主回路LC頻率決定的嗎?哥告訴你,那是理論,實(shí)際電路中必須要有死區(qū),既然有死區(qū)那就有不一樣的東西冒出來(lái),半橋諧振要玩好,就是玩這些細(xì)節(jié)。
DT開(kāi)始時(shí)刻,二極管是木電流的,一直到諧振至B點(diǎn)時(shí)刻,主回路電流才會(huì)接上,二極管開(kāi)始導(dǎo)通,對(duì)上管電壓鉗位,形成ZVS開(kāi)通,但是雜散諧振還是存在,所以最佳開(kāi)通時(shí)刻是B點(diǎn),也就是雜散諧振第一個(gè)峰值,二極管剛開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)刻,才是最最最最最完美的,最完美的效率,最小的EMI。
看圖,如果死區(qū)過(guò)大,那么在B點(diǎn)之后,上管才開(kāi)通,會(huì)包含太多的雜散諧振波形,影響效率和EMI。
如果在B點(diǎn)之前開(kāi)通,雜散諧振還沒(méi)到高點(diǎn),會(huì)有硬開(kāi)關(guān)成分,效果嘛就不說(shuō)了。
回頭說(shuō)MOS并電容,實(shí)則是加大參與雜散諧振的電容,讓諧振頻率減少,讓A到B點(diǎn)的斜率減少。諸如形成大約1US的上升時(shí)間,與驅(qū)動(dòng)器件匹配。
總結(jié):選擇合適的死區(qū),選擇合適的諧振電容(MOS并聯(lián)),努力靠近B點(diǎn)開(kāi)通。如果把效率比作美女,EMI比著疾病。那么美女會(huì)擁抱你,親你,纏著你,疾病會(huì)遠(yuǎn)離你。