比較多的小鮮肉發(fā)帖咨詢(xún)半橋諧振的尖峰問(wèn)題，是對(duì)于諧振了解不深入，存在認(rèn)知誤區(qū)。哥特的圖文并茂，以身試法，聲淚俱下，深入淺出的賣(mài)弄一下。

先上圖:

以半橋諧振上管開(kāi)通為例。

太多人以為MOS并電容是吸收，其實(shí)大錯(cuò)。

A點(diǎn)下管關(guān)閉，接桌是DT死區(qū)。在DT區(qū)間，MOS的輸出電容Coss，雜散分布電容，以及雜散分布電感參與諧振（非常重要：這個(gè)諧振跟主回路的LC諧振無(wú)直接關(guān)系），諧振波形看圖中圓圈部分。其諧振頻率很高。

如果DT時(shí)間選擇得妥妥的，在第一個(gè)諧振峰值點(diǎn)（B點(diǎn)）讓上管開(kāi)通，那就是完美的ZVS 0電壓開(kāi)通。有小鮮肉要問(wèn)，ZVS不是開(kāi)關(guān)頻率跟主回路LC頻率決定的嗎？哥告訴你，那是理論，實(shí)際電路中必須要有死區(qū)，既然有死區(qū)那就有不一樣的東西冒出來(lái)，半橋諧振要玩好，就是玩這些細(xì)節(jié)。

DT開(kāi)始時(shí)刻，二極管是木電流的，一直到諧振至B點(diǎn)時(shí)刻，主回路電流才會(huì)接上，二極管開(kāi)始導(dǎo)通，對(duì)上管電壓鉗位，形成ZVS開(kāi)通，但是雜散諧振還是存在，所以最佳開(kāi)通時(shí)刻是B點(diǎn)，也就是雜散諧振第一個(gè)峰值，二極管剛開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)刻，才是最最最最最完美的，最完美的效率，最小的EMI。

看圖，如果死區(qū)過(guò)大，那么在B點(diǎn)之后，上管才開(kāi)通，會(huì)包含太多的雜散諧振波形，影響效率和EMI。

如果在B點(diǎn)之前開(kāi)通，雜散諧振還沒(méi)到高點(diǎn)，會(huì)有硬開(kāi)關(guān)成分，效果嘛就不說(shuō)了。

回頭說(shuō)MOS并電容，實(shí)則是加大參與雜散諧振的電容，讓諧振頻率減少，讓A到B點(diǎn)的斜率減少。諸如形成大約1US的上升時(shí)間，與驅(qū)動(dòng)器件匹配。

總結(jié)：選擇合適的死區(qū)，選擇合適的諧振電容（MOS并聯(lián)），努力靠近B點(diǎn)開(kāi)通。如果把效率比作美女，EMI比著疾病。那么美女會(huì)擁抱你，親你，纏著你，疾病會(huì)遠(yuǎn)離你。