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意法半導(dǎo)體滿足市場多元需求

近日,橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商、功率芯片大廠意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出新款汽車質(zhì)量級碳化硅(SiC)二極管,以滿足電動汽車和插電式混合動力汽車(PHEV,Plug-inHybrids)等新能源汽車對車載充電器(OBC,on-boardbatterychargers)在有限空間內(nèi)處理大功率的苛刻要求。

  這些二極管讓設(shè)計人員能夠研發(fā)更小的電源模塊,這不僅對汽車電源系統(tǒng)有益,還使其成為克服Google和IEEE提出的逆變器小型化挑戰(zhàn)的關(guān)鍵選擇。Google出資高達100萬美元獎金征集比現(xiàn)有逆變器的十分之一還小,且適合各種應(yīng)用領(lǐng)域,特別是太陽能微型發(fā)電機(solarmicro-generator)的千瓦級逆變器設(shè)計;意法半導(dǎo)體是這項公開挑戰(zhàn)賽的合作廠商。

  新款二極管采用先進技術(shù),防止大脈沖電流(high-currentspikes)燒毀裝置。為了安全起見,設(shè)計人員至今還在超額使用二極管。意法半導(dǎo)體開發(fā)的新產(chǎn)品徹底改變了這一局面,過流保護值是額定電流值的2.5倍,因此設(shè)計人員可選用更小、更經(jīng)濟且可靠性和能效都不會受到影響的電流更小的二極管。

  意法半導(dǎo)體的新碳化硅二極管通過汽車級產(chǎn)品測試,極性接反擊穿電壓提高到650V,能夠滿足設(shè)計人員和汽車廠商希望降低電壓補償系數(shù)(voltagederatingfactor)的要求,以確保車載充電半導(dǎo)體元器件的標(biāo)稱電壓與瞬間峰壓(peakvoltage)之間有充足的安全裕度(safetymargin)。

  碳化硅作為寬帶隙(WBG,WideBand-Gap)技術(shù),具有眾所周知的能效優(yōu)勢;相對于元器件本身的尺寸,比較開關(guān)損耗(switchingloss)和額定電壓(voltagerating)兩項參數(shù),新產(chǎn)品均優(yōu)于傳統(tǒng)硅二極管。這次推出的650V二極管包括TO-220AC功率封裝的10ASTPSC10H065DY和TO-220AC封裝的12ASTPSC12H065DY.此外,TO-220AB封裝的STPSC20H065CTY和TO-247封裝的STPSC20H065CWY是內(nèi)置2個10A二極管的雙管產(chǎn)品(dual-diode),可最大限度提升空間利用率,降低車載充電器的重量。

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