FCPF11N60NT 11N60 TO-220F 三極管 原裝正品   ? N 溝道SupreMOS? MOSFET 600V, 10.8A, 299mΩ

半導體 分離式半導體 晶體管 MOSFET

SupreMOS? MOSFET 是飛兆半導體的下一代高壓超級結(jié)（SJ）技術，該技術采用區(qū)別于傳統(tǒng) SJ MOSFET 產(chǎn)品的深溝槽填充工藝。這項先進技術和精密的工藝控制提供了最低的 Rsp on-resistance（導通電阻規(guī)格），卓越的開關性能和耐用性。SupreMOS MOSFET 技術適用于高頻開關電源轉(zhuǎn)換器應用，如功率因數(shù)校正(PFC)、服務器/電信電源、平板電視電源、ATX 電源及工業(yè)電源應用。

                           提供產(chǎn)品方案

產(chǎn)品特性

 

RDS(on) = 255mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 5.4A

超低柵極電荷（典型值Qg = 27.4nC )

低有效輸出電容（典型值Coss.eff = 130pF )

650 v @Tj = 150°C 　

　Typ。Rds()= 0.32Ω 　

　超低門(typ收費。Qg = 40數(shù)控) 　

　低有效的輸出電容(typ。Coss.eff = 95 pf) 　

　100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試

符合 RoHS 標準

 

 

標準包裝：50

類別：分離式半導體產(chǎn)品

家庭：FET - 單

系列：SuperFET?

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 特點：標準型

漏極至源極電壓(Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：11A

開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：380 毫歐 @ 5.5A，10V

Id 時的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250μA

閘電荷(Qg) @ Vgs：52nC @ 10V

輸入電容 (Ciss) @ Vds：1490pF @ 25V

功率 - 最大：36W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 整包

供應商設備封裝：TO-220F

包裝：管件

其它名稱：FCPF11N60_NLFCPF11N60_NL-ND

 

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FDPF12N60NZ      FDPF10N60NZ    FDPF13N50NZ   FDPF7N60NZ

FDPF5N60NZ       FDP33N25        FGA15N120     FGA20S120

FFPF10F150STU     FFPF20UP20DNTU     FGH20N60SFDTU

FGH30N60SFDTU   FGH40N60L       FGL40N120   FGL60N100

FJP3305H1TU   FJP3305H2TU      FJP13005      FJP13007

FJP13009       BU406  

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FQPF7N80C     FQP7N80       FQP8N60C      FQPF4N90C

FQP4N90        FQP3N80C      FQPF3N80C    FQP55N10

FQA9N90        FQA11N90      FQA24N50     FQA38N30

 FQA13N80    FQA28N50    

等FAIRCHIILD一系列產(chǎn)品

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