大家在運(yùn)用coolmos 的時候，都會遇到EMI比較難過的問題，　我做個簡單的分析：

Cool Mos的Cds 跟 VDMOS 接近，Cgs要略小一些， Cgd應(yīng)該小很多。

所以在EMI方面 di/dt 和 dv/dt 都會比VDMOS 快一些，dv/dt 快的更多。

Di/dt 和dv/dt都可以用加大gate resistor 的方式減慢。

對比普通ＶＤＭＯＳ，選擇合適的ｇａｔｅ?。颍澹螅椋螅簦铮蚓头浅Ｖ匾?！

Hunteck Cool mos 在設(shè)計，生產(chǎn)工藝方面都有考慮EMI 。