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MOS管怎樣被靜電擊穿的?

如題,MOS管被靜電擊穿是怎樣一個(gè)過程?
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2015-02-09 20:04
不知不覺吧,所以要做好靜電措施。
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飛翔2004
LV.10
3
2015-02-26 09:12
MOS管本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(U=Q/C),將管子損壞。
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power_hh
LV.5
4
2015-03-03 22:30
@飛翔2004
MOS管本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(U=Q/C),將管子損壞。
GS的電容很小,高電源很容易產(chǎn)生大電流,燒壞mos。
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2015-03-04 10:24
我覺得是柵-源極間電容形成高壓導(dǎo)致MOS管損壞的
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2015-03-04 15:52
GS的電容很小,高電壓直接擊穿,燒壞mos。
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wuyh123
LV.6
7
2015-03-05 20:17
高電壓對gs之間的電容充電,產(chǎn)生大電流叫燒壞了,這是大概的。
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2015-03-07 09:49
@flowerhuanghua1
不知不覺吧,所以要做好靜電措施。

在使用中,使用者要帶靜電環(huán)。

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2015-03-07 09:49
@power_hh
GS的電容很小,高電源很容易產(chǎn)生大電流,燒壞mos。
使用時(shí)不能超過MOS的使用規(guī)格。
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yhypower
LV.3
10
2015-03-09 10:28
@zhaojiahighaim
GS的電容很小,高電壓直接擊穿,燒壞mos。
MOS最怕的是ESD,所以存儲(chǔ)及使用都要注意。
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datian
LV.6
11
2015-06-08 00:15
主要是柵-源極間有寄生電容,一些靜電感應(yīng)累積容易產(chǎn)生高壓而損壞MOS管。
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tanb006
LV.10
12
2015-06-08 21:49
@power_hh
GS的電容很小,高電源很容易產(chǎn)生大電流,燒壞mos。

更多時(shí)候不是完全燒壞。

測試的時(shí)候好的。裝機(jī)就不穩(wěn)定,然后就壞了。

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zhc7401
LV.4
13
2015-06-09 18:39
MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,又因在靜電較強(qiáng)的場合難于泄放電荷,容易引起靜電擊穿。
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amao473
LV.4
14
2015-06-09 20:20

是個(gè)瞬間的過程哦。

biu

一下就完了。

不過實(shí)際上我還沒遇到被靜電擊穿的情況。

三年生產(chǎn)線都沒遇到過。

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hk123456
LV.4
15
2015-06-11 08:10
@amao473
是個(gè)瞬間的過程哦。biu一下就完了。不過實(shí)際上我還沒遇到被靜電擊穿的情況。三年生產(chǎn)線都沒遇到過。
過壓,過流,靜電,等等原因都可能損壞,靜電是必須考慮的。
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dgdgcc
LV.1
16
2015-06-11 08:52

GS的電容積累能量擊穿了。

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2015-07-08 11:25
MOS管本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(U=Q/C),將管子損壞。
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buer1209
LV.7
18
2015-07-08 11:53
一般還是瞬間高壓擊穿  比如斷電瞬間   電感產(chǎn)生的尖峰容易造成mos管擊穿
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2015-07-08 12:53

MOS管被擊穿的原因及解決方案

第一、MOS管本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(U=Q/C),將管子損壞。雖然MOS輸入端有抗靜電的保護(hù)措施,但仍需小心對待,在存儲(chǔ)和運(yùn)輸中最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝,不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。組裝、調(diào)試時(shí),工具、儀表、工作臺(tái)等均應(yīng)良好接地。要防止操作人員的靜電干擾造成的損壞,如不宜穿尼龍、化纖衣服,手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對器件引線矯直彎曲或人工焊接時(shí),使用的設(shè)備必須良好接地。

第二、MOS電路輸入端的保護(hù)二極管,其導(dǎo)通時(shí)電流容限一般為1mA 在可能出現(xiàn)過大瞬態(tài)輸入電流(超過10mA)時(shí),應(yīng)串接輸入保護(hù)電阻。而129#在初期設(shè)計(jì)時(shí)沒有加入保護(hù)電阻,所以這也是MOS管可能擊穿的原因,而通過更換一個(gè)內(nèi)部有保護(hù)電阻的MOS管應(yīng)可防止此種失效的發(fā)生。還有由于保護(hù)電路吸收的瞬間能量有限,太大的瞬間信號(hào)和過高的靜電電壓將使保護(hù)電路失去作用。所以焊接時(shí)電烙鐵必須可靠接地,以防漏電擊穿器件輸入端,一般使用時(shí),可斷電后利用電烙鐵的余熱進(jìn)行焊接,并先焊其接地管腳。

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tom307
LV.4
20
2015-07-08 17:39
電壓過高  內(nèi)部的電荷受到影響  最終柵極區(qū)域被擊穿  這個(gè)模電書上介紹比較全面
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2015-07-08 20:46
MOS管本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(U=Q/C),將管子損壞。
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飛翔2004
LV.10
22
2015-09-07 09:43

這三種情形的靜電會(huì)對電子元件造成以下影響:

1.元件吸附灰塵,改變線路間的阻抗

2.因電場或電流破壞元件絕緣層和導(dǎo)體

3.因瞬間的電場軟擊穿或電流產(chǎn)生過熱,使元件受傷.

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dakjncdc
LV.7
23
2015-09-07 10:28
GS的電容很小,高電源很容易產(chǎn)生大電流,燒壞mos。
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dy-mb2U9pBf
LV.8
24
2022-08-24 15:45

主要是G極輸入電阻太大,容易靜電擊穿

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