由于不斷改進(jìn)的音頻質(zhì)量,D類音頻放大器已經(jīng)迅速成為家庭影音系統(tǒng)的首選解決方案. 國(guó)際整流器公司借助其先進(jìn)的高電壓技術(shù),為D類音頻應(yīng)用提供高性能MOSFET和柵極驅(qū)動(dòng)集成電路. 結(jié)合了我們業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的設(shè)備耐用性之后,我們將可使客戶得以推出更高功率密度和更高可靠性的更優(yōu)性能音響系統(tǒng).
A.通過所推出的MOSFET的IRFI4xxxH-117P系列,IR在不斷改進(jìn)著D類音頻放大器的表現(xiàn)性能. 除低接通電阻外,半橋N通道MOSFET提供優(yōu)化的柵電荷,體二極管反向恢復(fù)和內(nèi)部柵電阻來改善關(guān)鍵的D類音頻放大器的性能參數(shù),如效能、THD和EMI. 例如,IRFI4xxxH-117P具有一個(gè)可提供高效能的典型48歐RDs(on),以及一個(gè)典型的8.9nC的Qg,以及4.3nC的Qsw用于增強(qiáng)的THD.
特性一覽:
1.低 RDS(on) 可提供更高的功率密度
2.更低的柵電荷可實(shí)現(xiàn)更高速度
3.175° 能力提供增強(qiáng)的可靠性
B.通過所推出的DirectFET? MOSFET IRF6665,IR在不斷改進(jìn)著D類音頻放大器的表現(xiàn)性能. 開發(fā)的這種DirectFET帶有專為音頻放大器應(yīng)用所設(shè)計(jì)的優(yōu)化特征. 小盒DirectFET?封裝使系統(tǒng)受益,例如面積縮小、PCB布局得到改進(jìn)、減小的EMI,以及比其他塑料封裝元件更強(qiáng)的散熱特性.
有著更強(qiáng)電和熱特性的IRF6665,可提供100W的輸出功率到8 mOhms,且不發(fā)生熱沉. D類音頻關(guān)鍵參數(shù)RG(int)有一個(gè)保證的增強(qiáng)死區(qū)時(shí)間控制最大值. 這對(duì)于降低系統(tǒng)總諧波失真THD水平是一個(gè)重要因素.
IRF6665使用IR基準(zhǔn)的DirectFET封裝技術(shù),加以最新的MOSFET工藝,以在中等功率D類音頻放大器應(yīng)用中使其性能達(dá)到最大化. 該器件參數(shù)經(jīng)過專門調(diào)試,提供增強(qiáng)的音響表現(xiàn). 這一獨(dú)創(chuàng)性的解決方案使客戶得以提供更高性能的音響系統(tǒng),有著更好可靠性和更強(qiáng)的放大器輸出功率.
D類放大器應(yīng)用范圍廣泛,從電池供電的便攜式產(chǎn)品到高端專業(yè)放大器,從樂器到家用多媒體系統(tǒng)都可適用.
專為功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)的封裝
IRF6665 DirectFET MOSFET有一個(gè)獨(dú)特的簡(jiǎn)單構(gòu)造,在無晶片封裝電阻和熱散失能力上實(shí)現(xiàn)了突破,在特定的面積上為提供最優(yōu)性能而提高了設(shè)備效率和電流傳輸能力.
C.柵極驅(qū)動(dòng)集成電路
IRS2011(S)PBF
一種高功率、高速度的功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器,帶有獨(dú)立高側(cè)和低側(cè)引用輸出通道.
IRS20124SPBF
一種高電壓、高速度的功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器,帶有內(nèi)部死區(qū)和關(guān)閉功能.
IRS20954SPBF
一種高電壓、高速度的MOSFET驅(qū)動(dòng)器,帶有浮動(dòng)PWM輸入. 對(duì)于新設(shè)計(jì),使用IRS20955(S)PBF
IRS20955(S)PBF
一種高電壓、高速度的MOSFET驅(qū)動(dòng)器,帶有浮動(dòng)PWM輸入.
(IR)整流器用于D類音響
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IR5001S有源ORing集成電路使冗余系統(tǒng)更具效率
IR5001S 全能高速控制器和N-通道電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器采用有源ORing集成電路加一個(gè)額外的MOSFET代替了傳統(tǒng)的二極管電路,從而提升了N+1電源系統(tǒng)的效率和功率密度.有源ORing聯(lián)合兩個(gè)或多個(gè)功率源,以建立一個(gè)冗余功率源,在某一個(gè)輸入源發(fā)生故障時(shí)仍可保持輸入電源供應(yīng).若有一個(gè)輸入電源發(fā)生故障,有源ORing電路會(huì)盡快斷開失效的功率源,以防止系統(tǒng)總線電壓下降,同時(shí)防止大峰值使電源反向.
有源Oring電路使用了一個(gè)IR5001S 和一個(gè)IRF7495 HEXFET ? MOSFET,相對(duì)于使用標(biāo)準(zhǔn)肖特基二極管的傳統(tǒng)電路,最高可降低板載功率散失達(dá)85%,而所占空間約為50%.
若使用帶有 IRF6655 100V DirectFET ? 的IR5001S,可使用30-60W的轉(zhuǎn)換器功率水平.相對(duì)于SO-8,帶DirectFET的小型IRF6655可使空間降低最高達(dá)50%,且更適于較低的功率應(yīng)用.中型100V IRF6644 DirectFET也可用于更高的功率應(yīng)用,最高達(dá)250W至300W轉(zhuǎn)換功率水平,除去了使用平行的SO-8或更大的單向封裝的必要.
需要輸入保護(hù)的系統(tǒng)包括載體級(jí)的通信元件和電信公司、數(shù)據(jù)公司系統(tǒng)服務(wù)器.在意外關(guān)閉的情況下,這些元件會(huì)經(jīng)歷系統(tǒng)停止時(shí)間,對(duì)服務(wù)質(zhì)量(QoS)帶來不利影響,并可能造成數(shù)據(jù)丟失.
IR的優(yōu)勢(shì)所在
在一個(gè)單SO-8封裝內(nèi)的集成電路控制器和驅(qū)動(dòng)器
對(duì)于為冗余DC-DC變DC-DC 和 AC-DC 電源的輸入Oring和輸出Oring均適用.
130nS 典型關(guān)閉延時(shí)時(shí)間,20nS典型FET關(guān)閉時(shí)間
3A峰值關(guān)閉柵驅(qū)動(dòng)電流
非對(duì)稱偏移電壓可防止在輕負(fù)載下發(fā)生輸出振蕩的可能性.
可承受持續(xù)柵短路狀況
在兩個(gè)比較器輸入上的集成電壓箝可使持續(xù)應(yīng)用達(dá)到最高100V
可選擇直接使用36V至75V通用電信總線電壓(最大為100V)提供電力供應(yīng),亦可使用外部偏置電源和一個(gè)偏置電阻器
內(nèi)置診斷腳,可判定有源Oring電路和電源系統(tǒng)冗余的狀態(tài)
應(yīng)用
用于載體級(jí)通信元件的-48V /-24V輸入有源ORing
亦可配置為在GND ORing下動(dòng)行
對(duì)DC-DC電源的反激輸入極保護(hù) DN503)
電信AC-DC 24V/48V 輸出 ORing
服務(wù)器DC-DC DC-DC: 3.3V/5V/12V輸出 ORing
服務(wù)器AC-DC 3.3V/5V/12V輸出 ORing
用于冗余處理器功率的并聯(lián)穩(wěn)壓器的有源ORing
IR5001S 全能高速控制器和N-通道電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器采用有源ORing集成電路加一個(gè)額外的MOSFET代替了傳統(tǒng)的二極管電路,從而提升了N+1電源系統(tǒng)的效率和功率密度.有源ORing聯(lián)合兩個(gè)或多個(gè)功率源,以建立一個(gè)冗余功率源,在某一個(gè)輸入源發(fā)生故障時(shí)仍可保持輸入電源供應(yīng).若有一個(gè)輸入電源發(fā)生故障,有源ORing電路會(huì)盡快斷開失效的功率源,以防止系統(tǒng)總線電壓下降,同時(shí)防止大峰值使電源反向.
有源Oring電路使用了一個(gè)IR5001S 和一個(gè)IRF7495 HEXFET ? MOSFET,相對(duì)于使用標(biāo)準(zhǔn)肖特基二極管的傳統(tǒng)電路,最高可降低板載功率散失達(dá)85%,而所占空間約為50%.
若使用帶有 IRF6655 100V DirectFET ? 的IR5001S,可使用30-60W的轉(zhuǎn)換器功率水平.相對(duì)于SO-8,帶DirectFET的小型IRF6655可使空間降低最高達(dá)50%,且更適于較低的功率應(yīng)用.中型100V IRF6644 DirectFET也可用于更高的功率應(yīng)用,最高達(dá)250W至300W轉(zhuǎn)換功率水平,除去了使用平行的SO-8或更大的單向封裝的必要.
需要輸入保護(hù)的系統(tǒng)包括載體級(jí)的通信元件和電信公司、數(shù)據(jù)公司系統(tǒng)服務(wù)器.在意外關(guān)閉的情況下,這些元件會(huì)經(jīng)歷系統(tǒng)停止時(shí)間,對(duì)服務(wù)質(zhì)量(QoS)帶來不利影響,并可能造成數(shù)據(jù)丟失.
IR的優(yōu)勢(shì)所在
在一個(gè)單SO-8封裝內(nèi)的集成電路控制器和驅(qū)動(dòng)器
對(duì)于為冗余DC-DC變DC-DC 和 AC-DC 電源的輸入Oring和輸出Oring均適用.
130nS 典型關(guān)閉延時(shí)時(shí)間,20nS典型FET關(guān)閉時(shí)間
3A峰值關(guān)閉柵驅(qū)動(dòng)電流
非對(duì)稱偏移電壓可防止在輕負(fù)載下發(fā)生輸出振蕩的可能性.
可承受持續(xù)柵短路狀況
在兩個(gè)比較器輸入上的集成電壓箝可使持續(xù)應(yīng)用達(dá)到最高100V
可選擇直接使用36V至75V通用電信總線電壓(最大為100V)提供電力供應(yīng),亦可使用外部偏置電源和一個(gè)偏置電阻器
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應(yīng)用
用于載體級(jí)通信元件的-48V /-24V輸入有源ORing
亦可配置為在GND ORing下動(dòng)行
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電信AC-DC 24V/48V 輸出 ORing
服務(wù)器DC-DC DC-DC: 3.3V/5V/12V輸出 ORing
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國(guó)際整流器公司提供一套完整的D類音頻功率放大設(shè)計(jì),其中包含便于使用的保護(hù)功能和內(nèi)部電源供應(yīng). 這種參考設(shè)計(jì)目的在于實(shí)施保護(hù)電路并設(shè)計(jì)出最佳的PCB布局.
有需要的朋友可以聯(lián)系.
QQ:48597341
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