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@flowerhuanghua1
嚴(yán)格按照這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)選型，產(chǎn)品出現(xiàn)各種不必要的故障會(huì)大大減少。
MOSFEF 的驅(qū)動(dòng)要求由其柵極總充電電量（ Qg ）參數(shù)決定。在滿(mǎn)足其它參數(shù)要求的情況下，盡量選擇Qg 小者以便驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。驅(qū)動(dòng)電壓選擇在保證遠(yuǎn)離最大柵源電壓（ VGSS ）前提下使Ron 盡量小的電壓值（一般使用器件規(guī)格書(shū)中的建議值）。
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@陌路絕途
MOSFET串聯(lián)應(yīng)用，在保證動(dòng)態(tài)靜態(tài)均壓和驅(qū)動(dòng)一致性的條件下，還要采用一些隔離技術(shù)和多路驅(qū)動(dòng)技術(shù)，以保證多只MOSFET串聯(lián)組成高壓大功率高頻開(kāi)關(guān)。
MOSFET串聯(lián)與并聯(lián)應(yīng)用，在實(shí)際電路中會(huì)有很多問(wèn)題。用過(guò)一次，調(diào)試太費(fèi)勁。后來(lái)的電路，就避免這樣的電路結(jié)構(gòu)了
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作為電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢？分四步：
1）溝道的選擇。
2）電壓和電流的選擇。
3）計(jì)算導(dǎo)通損耗。
4）計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求。
開(kāi)關(guān)損耗其實(shí)也是一個(gè)很重要的指標(biāo)。從下圖可以看到，導(dǎo)通瞬間的電壓電流乘積相當(dāng)大。一定程度上決定了器件的開(kāi)關(guān)性能。不過(guò)，如果系統(tǒng)對(duì)開(kāi)關(guān)性能要求比較高，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。
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