工作后就沒有發(fā)過帖了，這次電源網(wǎng)的比賽實在不容錯過，于是，籌劃了近一個月，趁周末，把方案定了，原理圖、PCB也就水到渠成。
閑話不多說，如題，這次打算做個超小體積的筆記本電腦適配器，規(guī)格如下
1. 輸入范圍：90~265VAC/47~63Hz
2. 輸出電壓：19VDC/3.42A
3. 滿載目標(biāo)效率：>94%（輸入220V）
>92%（輸入110V）
4. PCB體積：<=100*25*25mm
樣品圖直接放到一帖了：
看看這個體積
兩個光耦自動生成標(biāo)號的時候，part對應(yīng)錯了。。。
和同規(guī)格常用適配器對比
整體方案：QR反激+SR
1. PWM控制IC：NCP1339HDR2GSR
2. 控制IC： NCP4305D（感謝ON-Semi伍工提供的樣片）
3. 功率GaN管：TPH3002LD
4. 變壓器：PQ2020
5. SR功率管：待定
要做小體積，開關(guān)頻率需要提上去是必然的，那么效率就成問題。QR的方案，高低壓輸入下，滿載開關(guān)頻率接近低壓輸入下的3倍。在之前的一些嘗試中我試過，90V輸入下頻率做到三十多KHz，220V輸入下頻率控制在100KHz附近，這樣用Cool-Mos+PQ2620的變壓器，220V輸入下的滿載效率做到94%沒有問題。然而，體積縮小到要用PQ2020的變壓器，頻率要再提高接近一倍，硅MOS的效率就不行了，這次用到了GaN管。
GaN屬于寬禁帶半導(dǎo)體，電子遷移率遠(yuǎn)比硅快。由于GaN是常開的，這次用GaN功率管實際是一個低壓MOS和一個GaN串聯(lián)的結(jié)構(gòu)，實測過，相同Rdson的GaN管和Cool-Mos， 在相同驅(qū)動電路下，前者的驅(qū)動上升時間僅20nS左右，看不到明顯的米勒平臺，而后者的驅(qū)動上升時間超過100ns。
功率管有了，控制IC也是非常難找。一般的QR，出于EMI考慮，通常會將頻率限制在150K以下，在這里，我需要將頻率跑上去，不能用。有人問，為什么一定要QR？很簡單，為了次級同步整流方便，CCM的SR做起來會比較麻煩。所以，我需要的IC必須還有這些特點：
1. 最高工作頻率最少允許到200KHz
2. 低待機(jī)功耗（<100mW），也就意味著必須內(nèi)置HV啟動
3. 盡可能低一點的CS過流點（為低壓輸入下爭取一點效率）
4. CS過流點隨輸入電壓升高而降低，即需要在高低壓下有一致性較好的限功率點
最后翻遍TI、ST、Fairchild、On-Semi、MPS......最后找到了這顆滿足了我所有需求的IC，NCP1339H。唯一的遺憾是，Pin腳有點多，外圍稍顯復(fù)雜。
幫頂帖
帖子收錄到社區(qū)經(jīng)典 http://www.15119.cn/bbs/classic/
樓主這個機(jī)機(jī)做得很經(jīng)典！學(xué)習(xí)了。
就是這顆，不過用的貼片，power8*8
