設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)：1、Ae值小效率低溫度高，磁芯面積小扇熱差，罐裝磁芯輻射好，長(zhǎng)寬磁芯漏感小。 

          2、Ae=Po*2 本人更喜歡這個(gè)公式Ae=18*2*1.4=50.4mm2 

這個(gè)1。4那里來(lái)的

12、Np計(jì)算： 

     初級(jí)匝數(shù)：Np=VINmin*ton/ΔB/AE  

        Np=108*7.5/0.2/51.8 

                 =78.18T 取整79T     

13、NS計(jì)算： 

     次級(jí)匝數(shù)：NS=（Vo+Vd）*（1-Dmax)*NP/（VINmin*Dmax） 

                 =（18+0.6）*（1-0.45）*78/（108*0.45） 

                 =11.12T取整11T 

14、N計(jì)算：  

匝比計(jì)算：N=Np/Ns=79/11=7.18T 

15、Iav計(jì)算 

平均電流:Iav=Po/η/Vinmin =18/0.84/108 =0.198A 

16、Ipk計(jì)算：    峰值電流計(jì)算 Ipk=Ipk1+Ipk2=Iav*2/Dmax =0.198*2/0.45=0.88A     

17、ΔI計(jì)算： 

電流變化率ΔI 計(jì)算：CCM Ip2=3Ip1

           DCM Ip1=0

          0.88/4=IP1=0.22    0.22*3=IP2=0.66

ΔI =Ip2-Ip1

                =0.66-0.22=0.44A

18、電流有效值CCM：Irms==0.88*0.512=.45A

19、Lp計(jì)算： 

初級(jí)電感量計(jì)算：Lp=Vinmin*ton/ΔI=108*7.5/0.44=1.8mH 我們實(shí)際使用的要比計(jì)算的小一些這里算一個(gè)經(jīng)驗(yàn)值吧再乘以0.7=1.26mH

20、驗(yàn)證是否飽和：ΔB=Lp*Ipk/Np/Ae=1.26*0.88/79/51.8=0.27T<0.3T 

21、Ipks計(jì)算： 

   次級(jí)峰值電流：Ipks=Ipk*N=0.88*7.18=6.3A 

22、Irmss計(jì)算： 

次級(jí)有效值計(jì)算： CCM Irms=6.3*0.566=3.57A

23、Dp計(jì)算 

初級(jí)線徑計(jì)算：Dp=(Irms/π/J)開(kāi)根號(hào)*2 

                =(0.45/3.14/6)開(kāi)根號(hào)*2=0.3mm  

J電流密度取5-7  

24、Ds計(jì)算： 

次級(jí)線徑計(jì)算：Ds= （3.75/3.14/7）開(kāi)根號(hào)*2=0.82mm   繞不下的情況下降額70%=0.57

J電流密度取6-8 

集膚深度：導(dǎo)線線徑不超過(guò)集膚深度的2倍，若超過(guò)集膚深度，則需多股并繞。δ=66.1/√∫cm=66.1/244.94=0.269mm   0.269*2=0.54

    多股線計(jì)算=0.7/根號(hào)股數(shù)=0.57/1.414=0.4mm*2

25、Nvcc計(jì)算: 

反饋繞組計(jì)算：Va=（Vo+Vd）/Ns=12.6/11=1.145V/T 

              Nvcc=Vcc/Va 

                  =14/1.145 

                  =12.22T 取12T 

Lp：1.2mm 1K0.25V

Np：79T 0.3mm

Ns：11T 0.4*2mm

Nvcc：12T  0.15mm

NP放在第一層這樣每咋的長(zhǎng)度最短減少匝間電容，起線放在MOS端使dv/di最大的部分被繞組屏蔽EMI較好

Vcc繞組PSR放在最外層，有利于初次級(jí)耦合減少初級(jí)和Vcc繞組耦合有利于輸出電壓精度

SSR模式將Vcc放在初次級(jí)之間充當(dāng)屏蔽。盡量滿(mǎn)層。

下面聊下調(diào)試經(jīng)驗(yàn)

1/2*Lp*Ipk*Ipk*?=Po/η   PFM 變頻模式 這里要設(shè)計(jì)好頻率一般滿(mǎn)載60K  頻率高了變壓器和輸入大點(diǎn)解溫度會(huì)下降但是MOS溫度會(huì)上升所以這里要調(diào)試一個(gè)平衡。

1/4*N*Ipk=Io 匝比大了Ipk會(huì)下來(lái)MOS的溫度會(huì)下降，肖特基反向電壓下降，但是變壓溫度會(huì)上升 Vds電壓會(huì)升高

初級(jí)級(jí)之間加屏蔽，銅箔屏蔽要比線屏蔽效果好，線跟線之間存在縫隙。需要時(shí)磁芯外可以包外屏蔽但是屏蔽也是會(huì)產(chǎn)生損耗的效率會(huì)下降。

具體EMI大家可以去看下這篇帖子http://www.15119.cn/bbs/1509149.html

在效率低Vds高的情況下可以采用三明治繞法提升效率減小Vds

變壓器計(jì)算完了，網(wǎng)上有很多計(jì)算方法我這算是結(jié)合驗(yàn)證還是蠻準(zhǔn)的

b：器件選型 

1、保險(xiǎn)絲。 

If=Iav/0.6*2   0.6為不帶PCF 

 =0.198/0.6*2 

 =0.66A 

電壓 額定輸出電壓90-240V 250V的保險(xiǎn)絲即可。

2、壓敏電阻：V1ma=a*Vinmax/b/c    a：電壓波動(dòng)系數(shù)1.2  b：壓敏誤差系數(shù)0.85 c：壓敏老化系數(shù) 0.9 

                 =1.2*374/0.85/0.9 

                 =487.9V 

浪涌波形發(fā)生器對(duì)外輸出有2歐的電阻，打1KV差模浪涌時(shí)流通容量：1000/2*2=1000A 

"我們實(shí)際使用的要比計(jì)算的小一些這里算一個(gè)經(jīng)驗(yàn)值吧再乘以0.7=1.26mH " 

請(qǐng)問(wèn)，樓主，為什么這里要乘以0.7 呢，用計(jì)算的電感量去設(shè)計(jì)變壓器實(shí)際應(yīng)用會(huì)不會(huì)有問(wèn)題？？      

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該參賽作品編號(hào)為NO.31

2Po=C=18*2=36uF 故此選擇33uF電容

如電容選小了，1、紋波電流大會(huì)使電容發(fā)熱。

              2、無(wú)法滿(mǎn)足維持輸出功率的能量導(dǎo)致帶不起載。

              3、低頻紋波大。

              4、在滿(mǎn)足容量的情況下，盡可能的前面放一個(gè)小電容后面放一顆大電容，對(duì)0.5M前的EMI有很好的效果。

1. 初級(jí)繞組必須在最里層：這樣可以縮短每匝導(dǎo)線的長(zhǎng)度，減小其分布電容，同時(shí)初級(jí)繞組還能被其他繞組屏蔽，降低其電磁干擾。 

2. 初級(jí)繞組的起始端應(yīng)接到MOSFET 漏極：利用初級(jí)繞組的其余部分和其他繞組將其屏蔽，較小從初級(jí)耦合到其他地方的電磁干擾。 

3. 初級(jí)繞組設(shè)計(jì)成2 層以下：這樣能把初級(jí)分布電容和漏感降到最低，在初級(jí)各層間加1 絕緣層，能將分布電容減小到原來(lái)的1/4 左右。 

4. 繞制多路輸出的次級(jí)繞組：輸出功率最大的次級(jí)繞組應(yīng)靠近初級(jí)，以減小漏感。如次級(jí)匝數(shù)少，無(wú)法繞滿(mǎn)一層，可在匝間留間隙以便充滿(mǎn)整個(gè)骨架，當(dāng)然最好是采用多股并繞的方法。 

5. 反饋繞組一般在最外層：此時(shí)反饋繞組與次級(jí)繞組間耦合最強(qiáng)，對(duì)輸出電壓的變化反應(yīng)靈敏，還能減小反饋繞組與初級(jí)繞組的耦合程度以提高穩(wěn)定性。 

6. 屏蔽層的設(shè)計(jì)：在初、次級(jí)之間增加屏蔽層可減小共模干擾，最經(jīng)濟(jì)的辦法是在初次級(jí)間專(zhuān)繞一層漆包線，一端接Vi（或Vd），另一端懸空并用絕緣帶絕緣而不引出，線徑可選0.35mm。但是因?yàn)榫€于線之間有間隙沒(méi)有銅箔效果好。 

7. 銅片屏蔽帶：可用1 銅片環(huán)繞在變壓器外部，構(gòu)成屏蔽帶，相當(dāng)于短路環(huán)，對(duì)泄漏磁場(chǎng)起抑制作用，屏蔽帶應(yīng)與Vd 連通 

8. 安全試驗(yàn)：變壓器繞好后在外面纏3 層絕緣膠帶，插入磁芯，浸入清漆，然后進(jìn)行安全測(cè)試。對(duì)于110V電源，初次級(jí)間應(yīng)能承受2000V 交流試驗(yàn)電壓，持續(xù)時(shí)間60s，漏電距離為2.5～3mm；對(duì)于220V 電源，需承受3000V 的交流試驗(yàn)電壓，漏電距離為5～6mm。各繞組首尾引出端需加絕緣套管，套管壁厚不得小于0.4mm。

輸入2pin為2類(lèi)，輸入3pin為1類(lèi)，2類(lèi)加強(qiáng)絕緣，1類(lèi)基本絕緣。2類(lèi)選擇X2電容，容量越大傳導(dǎo)效果越好，安規(guī)規(guī)定X電容超過(guò)0.1uF需要加釋放電阻，保證輸入斷電1S內(nèi)降到安全電壓，輸入峰值電壓的37%

0.65*R*Cx=1  如Cx0.22uF

      R=1/0.65/0.22=7Mmax  Cx：uF  R單位M

R=1/0.65/0.22=7M max  我們選擇R1A 1M R1B 2M 這里還要注意耐壓我們選擇2顆1206貼片電阻

因其他放電回路X電容漏電流這些因數(shù)所以最好實(shí)測(cè)調(diào)試。

壓敏電阻

4、Y電容：

   根據(jù)初級(jí)峰值電壓選取Y1，Y1參數(shù)交流額定工作電壓250V 直流額定工作電壓400V

   二類(lèi)產(chǎn)品漏電流小于0.25mA   CY=Ileakage/2/π/?/Vrmsmax=0.25/2/3.14/60/264*10-6=2.5nFmax 可以選擇不超過(guò)2500pF的電容 我們先選擇222/400V的，也可以選擇2個(gè)Y2串聯(lián)，電容串聯(lián)容量減半，并聯(lián)疊加。

不要超過(guò)2500pF 具體選擇根據(jù)EMI實(shí)際情況選擇

濾波電感：  共模電感差模電感，理論上電感越大EMI效果越好，但是差模電感大電感帶來(lái)的是匝數(shù)多，分布電容大，可能會(huì)適得其反。

這里我一直按照個(gè)人經(jīng)驗(yàn)，先選個(gè)20mH的感量（傳導(dǎo)不過(guò)的情況下再試著加大感量） 線徑Dp=0.3*0.7=0.21mm

橋堆選擇：

Vd=2√2*Vinmax=2*Vinmax=747V

加470V壓敏防雷擊后其殘壓越800V左右*1.1（它表示在規(guī)定的沖擊電流Ip通過(guò)壓敏電阻器兩端所產(chǎn)生的電壓此電壓又稱(chēng)為殘壓，所以選用的壓敏電阻的殘壓一定要小于被保護(hù)物的耐壓水平。）

Vd=775*1.1=852.5V 471最大殘壓775V

BR1=5*Iav=5*0.198=0.99A

選擇1A1KV

RCD吸收：

        網(wǎng)上很多計(jì)算方法，我也看了很多實(shí)驗(yàn)了很多，我覺(jué)得算的沒(méi)有意義太繁瑣結(jié)果頁(yè)不是很滿(mǎn)意，先采取典型電路配置，個(gè)人更喜歡150K電阻，102的電容，加一顆慢管。

        電阻電容具體這么選擇尼我覺(jué)得還是調(diào)試把效率和Vds調(diào)整到一個(gè)合適的平衡，二極管，我看過(guò)其他人先的文章說(shuō)的都有道理，所以尼我一般過(guò)輻射即可，這里注意滿(mǎn)足有異音和這個(gè)管子及電容有關(guān)系。

        對(duì)于小功率推三極管的盡量還是選慢管可以減小MOS關(guān)閉時(shí)的震蕩頻率。

CS電阻：

        Vcs    VCS盡量取低一點(diǎn)避免飽和對(duì)充電設(shè)備來(lái)說(shuō)恒流更精準(zhǔn)，這里注意我有碰過(guò)一些IC老化后OCP下降滿(mǎn)載掉電壓，所以要多試驗(yàn)多驗(yàn)證。

VCC電容/

        大了起機(jī)速度慢，小了在滿(mǎn)載轉(zhuǎn)空載會(huì)出現(xiàn)饋電的情況，最嚴(yán)重的滿(mǎn)載轉(zhuǎn)空載，VCC進(jìn)入欠壓保護(hù)。這里講一個(gè)經(jīng)驗(yàn)，國(guó)產(chǎn)的芯片ESD做的不是太好所以畫(huà)板時(shí)盡量Vcc電容靠近Vcc腳，所有的低單點(diǎn)接地。

樓主，沒(méi)看懂你初級(jí)電流有效值0.88*0.512中這個(gè)0.512是從哪來(lái)的，還有次級(jí)電流有效值里面的6.3*0.566鐘0.566又是從哪來(lái)的，經(jīng)驗(yàn)還是有計(jì)算公式？

說(shuō)反了吧，電阻大了，會(huì)出現(xiàn)欠壓保護(hù)的現(xiàn)象吧

NS計(jì)算： 

     次級(jí)匝數(shù)：NS=（Vo+Vd）*（1-Dmax)*NP/（VINmin*Dmax） 

                 =（18+0.6）*（1-0.45）*78/（108*0.45） 

                 =11.12T取整11T 

DX這個(gè)NS的計(jì)算結(jié)果是不是錯(cuò)的？我怎么算都是等于16.4T，你這個(gè)11.12T是怎么算出來(lái)的啊

按你的公式算出次級(jí)是16.41啊，，，然后那公式里邊不是應(yīng)該包含個(gè)反射電壓Vor嗎？Ns=(Vor+Vinmin)Dmax*Np/(Vo+Vd)*(1-Dmax)