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看你這個  波形好像不對  在同步整流的時候

能否指出是什么地方不對呀，我第一次做同步整流，不怎么清楚

我給你看下我做的  

IR沒有75N75的管子，你買到假貨了吧

怎么看呀，貼幾個圖上來吧。

看錯了，是ST的P75NF75，另外的機(jī)子上用了IR的管子，搞混了

5V輸出用75V13m歐的管子,耐壓選高了,內(nèi)阻選高了

剛好有現(xiàn)成的，就用上去了，內(nèi)阻不是越低越好的么？還是有什么別的講究呀？

搞錯了,已經(jīng)改過來,應(yīng)該是內(nèi)阻也選高了

那一般做5V的電源，同步整流的MOS導(dǎo)通內(nèi)阻是要用多大的比較合適呀。通常是怎么選同步整流MOS的，真心請教。

怎么我回復(fù)你的帖子老是被刪掉？

不知道哦，是不是你的回復(fù)內(nèi)容里有敏感內(nèi)容發(fā)不出來啊

同步整流的損耗是相對于其他二極管整流而言的,這就要求整流MOS兩端電壓降不能高于其他整流用的二極管.

比如你用0.5V壓降的肖特基,要想改用同步整流,MOS損耗要比它低,必須要求整流期間MOS的電壓降(=通過MOS的電流有效值*MOS的導(dǎo)通內(nèi)阻*溫度系數(shù))小于0.5V,才有提高整流效率的作用.

ST的75N75不適合做同步整流，體內(nèi)二極管太慢了。

嗯，正在找別的管子來試。謝謝了。

我去找別的管子來再測試。謝謝了。

昨天換了MOS SPN80T06 再次測試，這個是供應(yīng)商給的DEMO電路中用的，這個內(nèi)阻比ST 的75NF75小了幾mR，發(fā)現(xiàn)效率也就只是高了零點(diǎn)幾而已。

波形和之前的基本一樣。

難道不是MOS上的損耗？還是因?yàn)镸OS關(guān)斷之后那個振蕩的損耗？

你直接私信我

調(diào)整一下死區(qū)時間看看.

是說同步MOS驅(qū)動提前關(guān)斷的那個時間么？我去試試

加大死區(qū)的話，效率又降了一點(diǎn)，減小死區(qū)可以提高一點(diǎn)點(diǎn)，現(xiàn)在用來調(diào)節(jié)死區(qū)的那個電容只用33pF的了，再小的話怕會出問題，小得太極限了也不適合量產(chǎn)。

能看看你的實(shí)物嗎？

昨天寄過去給芯片技術(shù)支持的幫調(diào)了，東西沒在手上了。不好意思，不過等東西回來了可以拍照發(fā)上來。

還可以改版不？找我們吧，效率 89%左右電源，變壓器PQ2016或RM8，初級mosfet 用到8N60就差不多了。

你這要重新設(shè)計，你這變壓器都用PQ3220,mosfet 用12N65,這么高成本做5V10A都夠了，完全可以做出89%左右的電源，。

5V5A 你要的高低壓輸入OCP恒流點(diǎn)要控制在多少以內(nèi)？如果要求500mA以內(nèi)，估計運(yùn)放電路都可以給你省了。

現(xiàn)在留個聯(lián)系方法都被刪貼，很少來逛了，若有需要測試樣機(jī) demo,可以短信聯(lián)系。su

有測試報告，不過貼上來估計就會被刪，所以私下聯(lián)系吧。

反激做低壓大電流的同步整流有點(diǎn)不合適，我之前和同學(xué)也做了一個反激同步整流，電壓電流等級差不多，電路圖比這個簡單，效率也上不去。之后用正激同步整流做6V 5A 的效率達(dá)到91%

9V 12A 全電壓輸入，PQ3220磁芯，高壓220V做到12A輸出，滿載91.0%，半載92.0%。低壓110V做到11A輸出，滿載89.5%，半載91.5%。

考慮下芯片是不是正品，尤其是同步整流的MOS質(zhì)量是非常重要的。我年初調(diào)試了個PI INN2005K 5V4.5A開始效率怎么都只有82~84%最后把MOS換成正品廠家的。效率90%