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MOSFET開通過程疑問

關(guān)于MOSFET開通過程有一個疑問,假設(shè)電路供電電壓是VCC,那么在mosfet開通以前VDS=VCC,完全開通后IDS×Rload=VCC(不考慮mosfet的導(dǎo)通壓降)。開通過程中到達(dá)米勒平臺前DS兩端電壓不變,IDS增長到最后的工作電流,那么就下圖中t2結(jié)束的時候(VDS開始下降的時刻)整個電路的電壓不就是VDS+IDS×Rload=2VCC,不滿足基爾霍夫電壓定律了,不知道我遺漏了哪一點,沒有想通,希望各位能幫忙解答一下,謝謝。

mosfet

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2015-06-12 17:39
圖有問題,只要IDS開始增長,DS電壓就要下降。
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liyonghe
LV.7
3
2015-06-16 12:57
@ymyangyong
圖有問題,只要IDS開始增長,DS電壓就要下降。
是的,對于阻性負(fù)載是這樣的,感性負(fù)載是圖示的波形
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