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PSR變壓器請教

最近用PSR做一款輸出14V1.8A的充電器。芯片是PL3532A+MOS:4N60，EF25+PC40磁芯。NP:60，NS:12，NV:14，考慮三明治繞法，不知屏蔽要從何下手，是加在NV的地，還是加在NP,各有什么不同，望指教！
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mark jia
LV.8
2
2015-06-30 18:34
反饋的低 大電容的負(fù)
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andy6
LV.6
3
2015-10-15 15:59
@mark jia
反饋的低大電容的負(fù)
加在NP，主要是將原邊的共模干擾信號通過屏蔽層返回到大地，如果不加在NP，會有一部分共模信號通過初級間的層間電容傳遞到次級，從而引響輸出端EMI問題！
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2015-10-16 08:05
@andy6
加在NP，主要是將原邊的共模干擾信號通過屏蔽層返回到大地，如果不加在NP，會有一部分共模信號通過初級間的層間電容傳遞到次級，從而引響輸出端EMI問題！
接輸入電容的地，這樣比較有利于EMI 
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mfkdcet
LV.8
5
2015-10-16 22:24
@wj_12691495
接輸入電容的地，這樣比較有利于EMI 
FT0353SF.pdf  用內(nèi)置 COOL MOS吧,做14V 2A都沒問題,價(jià)格才  1.0
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