大俠們!請看此電源波形

LV.11

2003-10-14 18:56

波形正常
漏感也不是很大,只不過是工作在完全的不連續(xù)模式,換言之就是電感量太小,不過24Watt也無所謂.還有就是clamper沒做好.

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LV.1

2003-10-14 20:19

jacki 謝謝你
jacki 謝謝你
現(xiàn)在我的電感量為0.8MH但如加大到1MH效率低了很多輸入功耗增加2W 請指教.

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LV.1

2003-10-14 20:45

波形是正確的
但是可以加大原邊電感量,來解決問題.但我認(rèn)為你的電感從0.8曾加到1應(yīng)該不會有太大的變化.

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LV.1

2003-10-14 20:59

波形是正確的但是可以加大原邊電感量,來解決問題.但我認(rèn)為你的電感從0.8曾加到1應(yīng)該不會有太大的變化.

以上數(shù)據(jù)是我實(shí)測出來的應(yīng)該沒錯(cuò)的啦!
以上數(shù)據(jù)是我實(shí)測出來的應(yīng)該沒錯(cuò)的啦!

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LV.1

2003-10-14 21:04

@cnal76

以上數(shù)據(jù)是我實(shí)測出來的應(yīng)該沒錯(cuò)的啦!以上數(shù)據(jù)是我實(shí)測出來的應(yīng)該沒錯(cuò)的啦!

你能不能描述一下你電源的特性
包括輸入,輸出的情況

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tiger武

LV.6

2003-10-14 22:59

假如是FLYBACK的話
假如是FLYBACK的話,那么他的波形就是非常正常的,我做過的

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LV.1

2003-10-15 08:18

@tiger武

假如是FLYBACK的話假如是FLYBACK的話,那么他的波形就是非常正常的,我做過的

沒錯(cuò)是FLYBACK電路
是寬電壓輸入6V@4A的輸出PWM IC控制

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tiger武

LV.6

2003-10-15 17:27

@cnal76

沒錯(cuò)是FLYBACK電路是寬電壓輸入6V@4A的輸出PWMIC控制

正常!
我不知你所說的正不正常是什么意思?你做的東西有什么問題嗎?

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LV.1

2003-10-15 20:18

@tiger武

正常!我不知你所說的正不正常是什么意思?你做的東西有什么問題嗎?

EMI會怎樣?
我擔(dān)心EMI會差!

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gang88689

LV.3

2003-10-18 21:01

@cnal76

EMI會怎樣?我擔(dān)心EMI會差!

估計(jì)你的EMI不很好.
看波形估計(jì)傳導(dǎo)高頻部分較差.

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LV.11

2003-10-18 23:55

@cnal76

jacki謝謝你jacki謝謝你現(xiàn)在我的電感量為0.8MH但如加大到1MH效率低了很多輸入功耗增加2W請指教.

如果沒有振蕩
如果沒有振蕩,效率應(yīng)該會提高,除非變壓器有飽和(氣隙不夠).

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LV.5

2003-10-19 07:50

@gang88689

估計(jì)你的EMI不很好.看波形估計(jì)傳導(dǎo)高頻部分較差.

怎么看得出來
請教leogang,從圖中怎么能看得出來,能否解釋一下.

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LV.5

2003-10-19 07:52

@jacki_wang

波形正常漏感也不是很大,只不過是工作在完全的不連續(xù)模式,換言之就是電感量太小,不過24Watt也無所謂.還有就是clamper沒做好.

請教jacki
請教jacki,那連續(xù)模式的波形是個(gè)什么樣子,為什么會出現(xiàn)這種結(jié)果?謝謝!

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LV.11

2003-10-19 09:32

@hualong

請教jacki請教jacki,那連續(xù)模式的波形是個(gè)什么樣子,為什么會出現(xiàn)這種結(jié)果?謝謝!

CCM Mode
電流連續(xù)模式的波形在開通前沒有振蕩,也就是Vds是方波(關(guān)斷瞬間的振蕩除外).

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jfxie

LV.4

2003-10-19 10:10

@hualong

怎么看得出來請教leogang,從圖中怎么能看得出來,能否解釋一下.

這如果是滿載的話,占空比可能太小了點(diǎn)吧.
是不是輸入的高端值啊.

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LV.5

2003-10-19 11:02

@jacki_wang

CCMMode電流連續(xù)模式的波形在開通前沒有振蕩,也就是Vds是方波(關(guān)斷瞬間的振蕩除外).

謝謝jacki
謝謝jacki,還有請問上面的波形應(yīng)該是占空比大了點(diǎn)吧

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LV.11

2003-10-19 19:54

@hualong

謝謝jacki謝謝jacki,還有請問上面的波形應(yīng)該是占空比大了點(diǎn)吧

正好相反
不到0.14,太小,注意這是Vds的波形.

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linppo

LV.1

2003-10-21 11:50

@gang88689

估計(jì)你的EMI不很好.看波形估計(jì)傳導(dǎo)高頻部分較差.

我也想知道
是因?yàn)檎伎毡忍∵€是因?yàn)殡姼辛坎粔虬?還是別的什么問題啊.

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yin

LV.6

2003-10-21 12:02

這個(gè)波形是輸入最低時(shí)嗎?
這個(gè)波形是輸入最低時(shí)嗎?這個(gè)波形沒有任何問題,就是占空比太小太小,會影響效率很多.

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LV.1

2003-10-21 16:04

@hualong

怎么看得出來請教leogang,從圖中怎么能看得出來,能否解釋一下.

???
???

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gang88689

LV.3

2003-10-21 16:39

@linppo

我也想知道是因?yàn)檎伎毡忍∵€是因?yàn)殡姼辛坎粔虬?還是別的什么問題啊.

同818觀點(diǎn).
同818觀點(diǎn).

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LV.5

2003-10-21 20:55

@jacki_wang

正好相反不到0.14,太小,注意這是Vds的波形.

再次請教jacki
先謝謝jacki傳道授業(yè)解惑,再次請教jacki,占空比小是不是因?yàn)槌醮渭壴褦?shù)比偏大的緣故?我是根據(jù)公式vo/vin=d/(n*(1-d))推測的,還是根電感值大小有關(guān)?謝謝!

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tiger武

LV.6

2003-10-21 20:57

??????

請問你是怎么看出來關(guān)斷的不迅速的?
謝謝!

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LV.11

2003-10-21 21:37

@hualong

再次請教jacki先謝謝jacki傳道授業(yè)解惑,再次請教jacki,占空比小是不是因?yàn)槌醮渭壴褦?shù)比偏大的緣故?我是根據(jù)公式vo/vin=d/(n*(1-d))推測的,還是根電感值大小有關(guān)?謝謝!

不好意思, 又反了
此為Flyback線路,占空比小是因?yàn)樵驯忍〉木壒?要不,你再算算?

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chong

LV.5

2003-10-22 14:37

@cnal76

jacki謝謝你jacki謝謝你現(xiàn)在我的電感量為0.8MH但如加大到1MH效率低了很多輸入功耗增加2W請指教.

請教個(gè)初級問題
您是如何測效率的?

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h168

LV.3

2003-10-22 17:31

波形正常!這是反激式不連續(xù)(DCM)狀態(tài),占空比為10%左右.
波形正常!這是反激式不連續(xù)(DCM)狀態(tài),占空比為10%左右.

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LV.5

2003-10-22 23:29

@jacki_wang

不好意思,又反了此為Flyback線路,占空比小是因?yàn)樵驯忍〉木壒?要不,你再算算?

真是反了
真是反了,jacki,我還剩下一點(diǎn)點(diǎn)小疑問,就是下面幾位仁兄提到的EMI問題,有位仁兄說MOSFET關(guān)斷得太慢了會出現(xiàn)7MHZ的高頻而EMI難過,而有的人說VDS的波形上升段不能太陡又不能太平滑,這樣才好過EMI,還有的說法是VDS波形上升段上不能出現(xiàn)3個(gè)以上的毛刺點(diǎn)才能過EMI,到底是哪一種說法有理,能否賜教一二.十分感謝!

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LV.11

2003-10-22 23:48

@hualong

真是反了真是反了,jacki,我還剩下一點(diǎn)點(diǎn)小疑問,就是下面幾位仁兄提到的EMI問題,有位仁兄說MOSFET關(guān)斷得太慢了會出現(xiàn)7MHZ的高頻而EMI難過,而有的人說VDS的波形上升段不能太陡又不能太平滑,這樣才好過EMI,還有的說法是VDS波形上升段上不能出現(xiàn)3個(gè)以上的毛刺點(diǎn)才能過EMI,到底是哪一種說法有理,能否賜教一二.十分感謝!

關(guān)于EMI問題
POWER是屬于模擬的領(lǐng)域,關(guān)于EMI問題,我沒有太多的經(jīng)驗(yàn),一般來講,高頻震蕩越少,EMI越好,其干擾頻率可以用傅立葉分析得到,但是EMI的好與壞并不是個(gè)別線路可以決定的,它受LAUOUT及濾波元件的參數(shù),材質(zhì)等影響也很大,它們之間的干擾在條件合適時(shí)可能相互抵消也可能相互加強(qiáng),因此,我個(gè)人認(rèn)為EMI的東西有點(diǎn)象公說公有理,婆說婆有理的情況,因?yàn)槊總€(gè)人的設(shè)計(jì)規(guī)則和布局會有不一樣的結(jié)果,很難捉摸的透切,也許因?yàn)檫@樣而沒有POWER的博士吧(至少我不知道有).
以上是個(gè)人看法,不對的地方歡迎砸磚.

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LV.5

2003-10-23 20:31

@jacki_wang

關(guān)于EMI問題POWER是屬于模擬的領(lǐng)域,關(guān)于EMI問題,我沒有太多的經(jīng)驗(yàn),一般來講,高頻震蕩越少,EMI越好,其干擾頻率可以用傅立葉分析得到,但是EMI的好與壞并不是個(gè)別線路可以決定的,它受LAUOUT及濾波元件的參數(shù),材質(zhì)等影響也很大,它們之間的干擾在條件合適時(shí)可能相互抵消也可能相互加強(qiáng),因此,我個(gè)人認(rèn)為EMI的東西有點(diǎn)象公說公有理,婆說婆有理的情況,因?yàn)槊總€(gè)人的設(shè)計(jì)規(guī)則和布局會有不一樣的結(jié)果,很難捉摸的透切,也許因?yàn)檫@樣而沒有POWER的博士吧(至少我不知道有).以上是個(gè)人看法,不對的地方歡迎砸磚.

不好意思,jacki,還有問題要問
先謝謝jacki的解惑,我還有一個(gè)問題要問,您在前面的貼子上說clamp沒做好,clamp沒做好的結(jié)果是不是就是在mosfet管關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)的阻尼振蕩呀?clamp電路吸收正常工作的Vds波形又會是怎樣的呢?實(shí)際中又是如何選擇參數(shù)或采取什么手段去達(dá)到要求?

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