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單相全橋逆變mosfet

對于如下所示的單相全橋逆變電路,S1,S4為一組,S2,S3為一組,兩組交替通斷,ton表示在一個 PWM 周期內(nèi) S1,S4閉合的時間,定義在第 t 個 PWM 周期內(nèi)占空比為dt=ton/Ts,(s1,s4閉合,s2,s3斷開;s2,s3閉合,s1,s4斷開

ss

開關(guān)頻率fs=10kHz,輸出電壓Uo=220V 50HZ,產(chǎn)生占空比d(k)=0.5+0.4sin(2*pi*50),k=1,2...200 (注:將20ms分為200份),控制4個管子導(dǎo)通關(guān)斷,結(jié)果如下所示:

ss2

 

驅(qū)動信號(藍(lán)色),mosfet D與S極之間的電壓(黃色)分別如下所示:

ss3

(1)為什么D與S之間電壓會在管子關(guān)斷時產(chǎn)生那么高的電壓

(2)輸出電壓波形畸變?yōu)槭裁催@么嚴(yán)重,與濾波電感Lf和濾波電容Cf有關(guān)嗎,這兩個參數(shù)該如何選擇

(3)濾波電容是用電解電容嗎?

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2015-08-05 10:06
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