久久久国产精品视频袁燕,99re久久精品国产,亚洲欧美日韩国产综合v,天天躁夜夜躁狠狠久久,激情五月婷婷激情五月婷婷

  • 回復
  • 收藏
  • 點贊
  • 分享
  • 發(fā)新帖

在設計MOS驅(qū)動和IGBT驅(qū)動上，有什么不一樣的地方？

以前都做些MOS的驅(qū)動設計，現(xiàn)在要改驅(qū)動IGBT，這個在設計上有什么區(qū)別，有哪些要注意的地方啊？請大俠指點指點哦！

IGBT的速度肯定沒有MOS快，拖尾電流大。

全部回復(2)
正序查看
倒序查看
2015-09-24 20:05

如果沒有相關的IGBT驅(qū)動經(jīng)驗，建議采用IGBT專用的驅(qū)動模塊去做驅(qū)動，因為IGBT關段需要負電壓。

有時間的話可以自己設計調(diào)試。

IGBT要參考供應商給出的功率與頻率范圍建議來設計。

IGBT的電路拓撲結構，盡量選擇軟開關的電路來做，軟開關的話IGBT損耗小，頻率可以做高，磁性器件就可以做小。

再有就是IGBT的損耗計算，算出損耗才好去做熱設計。

沒法一個回帖說完，暫且?guī)c吧。

0
回復
mmm789
LV.6
3
2015-09-28 08:46
@417zhouge
如果沒有相關的IGBT驅(qū)動經(jīng)驗，建議采用IGBT專用的驅(qū)動模塊去做驅(qū)動，因為IGBT關段需要負電壓。有時間的話可以自己設計調(diào)試。IGBT要參考供應商給出的功率與頻率范圍建議來設計。IGBT的電路拓撲結構，盡量選擇軟開關的電路來做，軟開關的話IGBT損耗小，頻率可以做高，磁性器件就可以做小。再有就是IGBT的損耗計算，算出損耗才好去做熱設計。沒法一個回帖說完，暫且?guī)c吧。

過路

0
回復
立
即
發(fā)
帖