以前都做些MOS的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，現(xiàn)在要改驅(qū)動(dòng)IGBT，這個(gè)在設(shè)計(jì)上有什么區(qū)別，有哪些要注意的地方??？請(qǐng)大俠指點(diǎn)指點(diǎn)哦！
IGBT的速度肯定沒(méi)有MOS快，拖尾電流大。
在設(shè)計(jì)MOS驅(qū)動(dòng)和IGBT驅(qū)動(dòng)上，有什么不一樣的地方？
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如果沒(méi)有相關(guān)的IGBT驅(qū)動(dòng)經(jīng)驗(yàn)，建議采用IGBT專(zhuān)用的驅(qū)動(dòng)模塊去做驅(qū)動(dòng)，因?yàn)镮GBT關(guān)段需要負(fù)電壓。
有時(shí)間的話(huà)可以自己設(shè)計(jì)調(diào)試。
IGBT要參考供應(yīng)商給出的功率與頻率范圍建議來(lái)設(shè)計(jì)。
IGBT的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，盡量選擇軟開(kāi)關(guān)的電路來(lái)做，軟開(kāi)關(guān)的話(huà)IGBT損耗小，頻率可以做高，磁性器件就可以做小。
再有就是IGBT的損耗計(jì)算，算出損耗才好去做熱設(shè)計(jì)。
沒(méi)法一個(gè)回帖說(shuō)完，暫且?guī)c(diǎn)吧。
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@417zhouge
如果沒(méi)有相關(guān)的IGBT驅(qū)動(dòng)經(jīng)驗(yàn)，建議采用IGBT專(zhuān)用的驅(qū)動(dòng)模塊去做驅(qū)動(dòng)，因?yàn)镮GBT關(guān)段需要負(fù)電壓。有時(shí)間的話(huà)可以自己設(shè)計(jì)調(diào)試。IGBT要參考供應(yīng)商給出的功率與頻率范圍建議來(lái)設(shè)計(jì)。IGBT的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，盡量選擇軟開(kāi)關(guān)的電路來(lái)做，軟開(kāi)關(guān)的話(huà)IGBT損耗小，頻率可以做高，磁性器件就可以做小。再有就是IGBT的損耗計(jì)算，算出損耗才好去做熱設(shè)計(jì)。沒(méi)法一個(gè)回帖說(shuō)完，暫且?guī)c(diǎn)吧。
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