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在設計MOS驅(qū)動和IGBT驅(qū)動上,有什么不一樣的地方?

以前都做些MOS的驅(qū)動設計,現(xiàn)在要改驅(qū)動IGBT,這個在設計上有什么區(qū)別,有哪些要注意的地方啊?請大俠指點指點哦!

IGBT的速度肯定沒有MOS快,拖尾電流大。

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2015-09-24 20:05

如果沒有相關的IGBT驅(qū)動經(jīng)驗,建議采用IGBT專用的驅(qū)動模塊去做驅(qū)動,因為IGBT關段需要負電壓。

有時間的話可以自己設計調(diào)試。

IGBT要參考供應商給出的功率與頻率范圍建議來設計。

IGBT的電路拓撲結構,盡量選擇軟開關的電路來做,軟開關的話IGBT損耗小,頻率可以做高,磁性器件就可以做小。

再有就是IGBT的損耗計算,算出損耗才好去做熱設計。

沒法一個回帖說完,暫且?guī)c吧。

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mmm789
LV.6
3
2015-09-28 08:46
@417zhouge
如果沒有相關的IGBT驅(qū)動經(jīng)驗,建議采用IGBT專用的驅(qū)動模塊去做驅(qū)動,因為IGBT關段需要負電壓。有時間的話可以自己設計調(diào)試。IGBT要參考供應商給出的功率與頻率范圍建議來設計。IGBT的電路拓撲結構,盡量選擇軟開關的電路來做,軟開關的話IGBT損耗小,頻率可以做高,磁性器件就可以做小。再有就是IGBT的損耗計算,算出損耗才好去做熱設計。沒法一個回帖說完,暫且?guī)c吧。

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