以前都做些MOS的驅(qū)動設計,現(xiàn)在要改驅(qū)動IGBT,這個在設計上有什么區(qū)別,有哪些要注意的地方啊?請大俠指點指點哦!
IGBT的速度肯定沒有MOS快,拖尾電流大。
如果沒有相關的IGBT驅(qū)動經(jīng)驗,建議采用IGBT專用的驅(qū)動模塊去做驅(qū)動,因為IGBT關段需要負電壓。
有時間的話可以自己設計調(diào)試。
IGBT要參考供應商給出的功率與頻率范圍建議來設計。
IGBT的電路拓撲結構,盡量選擇軟開關的電路來做,軟開關的話IGBT損耗小,頻率可以做高,磁性器件就可以做小。
再有就是IGBT的損耗計算,算出損耗才好去做熱設計。
沒法一個回帖說完,暫且?guī)c吧。
過路