壇友們?nèi)缟?a target="_blank">AO3162.pdf原理圖中K2 MOS 老化冷卻后再次通電損壞比例非常高但在老化過程中重復進行開關均很正常，關于損壞機理為何？目前一頭霧水，初步懷疑因開啟是MOS導通深度不夠?qū)е翸OS承受功率過高損壞，但是實際測試功率并不高完全在規(guī)格范圍內(nèi)并且還有不小余量，另外我們將K2換成耗盡型的N MOS并將DK改為10歐姆電阻后就沒有出現(xiàn)不良了。還請各位壇友指導指導。