請問各位有經(jīng)驗的大俠如何降低其負載調(diào)整率?大家可以就這一問題討論一下如何從電路結(jié)構(gòu),元件(高頻變壓器等)參數(shù)等方面改善這一問題!
如何提高開關(guān)電源的帶載能力!
在設(shè)計TOPswitch等PWM控制方式的單片開關(guān)電源時,經(jīng)常遇到空載或者輕載時電壓滿足要求,但是加載后電壓下降嚴重的問題.我認為是電源功率低,帶載能力差,負載調(diào)整率太大的問題.
請問各位有經(jīng)驗的大俠如何降低其負載調(diào)整率?大家可以就這一問題討論一下如何從電路結(jié)構(gòu),元件(高頻變壓器等)參數(shù)等方面改善這一問題!
請問各位有經(jīng)驗的大俠如何降低其負載調(diào)整率?大家可以就這一問題討論一下如何從電路結(jié)構(gòu),元件(高頻變壓器等)參數(shù)等方面改善這一問題!
全部回復(9)
正序查看
倒序查看
@phpt
帶載能力低應(yīng)該是變壓器設(shè)計不合理,比如初級電感量太大,在充磁周期內(nèi)儲能不足,又或匝比太大,次極退磁不良,導致變壓器趨近飽和,還有可能是初級電感太小,導致IC內(nèi)限流保護動作引起功率下降
要提高帶載能力,需要更多的試驗驗證,如果峰值電流與占空比已定那么CCM模式要獲得比DCM模式的功率大,但這也不是絕對的,因為在你設(shè)計CCM模式時你可能通時減小氣隙來增加電感量,這樣會引起變壓器飽和,當然不能輸出更大功率啦,通過增加匝數(shù)方法這方法是可行但要選擇適當,當匝數(shù)過多會導致線損過大,還有一個問題工作于DCM模式時要考慮MOS管的驅(qū)動與損耗在MOS管的選用與驅(qū)動是很重要的,當然還要考慮整流管的損耗(工作于CCM模式時要求更快的反向恢復時間)這些問題在你多次試驗后會找出一個更佳的工作點.
0
回復
@dading1009
可以這樣理解不:帶載能力低時,在保證不達到磁飽和以及保護電流的前提下,我適當?shù)脑黾映跫壘€圈匝數(shù),增大磁芯的窗口面積,磁路加入氣隙的方法就可以提高電源的帶載能力?!
對于RCC這種理解是不對的,在RCC反激模式下,能量是通過磁芯存儲轉(zhuǎn)到次級的,因此要提高次級帶載能力,有以下途徑:
1.減小初級電感量,增加初級電流,以便在允許的脈寬內(nèi)儲存更多的能量
如減少匝數(shù),增大磁隙等
2.在允許的占比下增加脈沖頻率,以便單位時間內(nèi)傳遞更多的脈沖能量
3.增加初級電壓
以上方式均只與磁芯和初級有關(guān),次級只和輸出電壓以及退磁有關(guān)
1.減小初級電感量,增加初級電流,以便在允許的脈寬內(nèi)儲存更多的能量
如減少匝數(shù),增大磁隙等
2.在允許的占比下增加脈沖頻率,以便單位時間內(nèi)傳遞更多的脈沖能量
3.增加初級電壓
以上方式均只與磁芯和初級有關(guān),次級只和輸出電壓以及退磁有關(guān)
0
回復
@phpt
對于RCC這種理解是不對的,在RCC反激模式下,能量是通過磁芯存儲轉(zhuǎn)到次級的,因此要提高次級帶載能力,有以下途徑:1.減小初級電感量,增加初級電流,以便在允許的脈寬內(nèi)儲存更多的能量 如減少匝數(shù),增大磁隙等2.在允許的占比下增加脈沖頻率,以便單位時間內(nèi)傳遞更多的脈沖能量3.增加初級電壓以上方式均只與磁芯和初級有關(guān),次級只和輸出電壓以及退磁有關(guān)
因為IP*LP=VS*TON
又LP=N*N*AL
故N*N*IP*AL=VS*TON
所以我認為通過增加匝數(shù)N可以提高TON,同樣也提高了輸出電壓,增大帶載能力.
大俠門,不知我推理的對不對?!
又LP=N*N*AL
故N*N*IP*AL=VS*TON
所以我認為通過增加匝數(shù)N可以提高TON,同樣也提高了輸出電壓,增大帶載能力.
大俠門,不知我推理的對不對?!
0
回復
