用檢測(cè)電路加繼電器控制,可能會(huì)簡(jiǎn)單點(diǎn),還要有個(gè)NTC之類的。
MOSFET在這里做高壓開(kāi)關(guān)感覺(jué)不怎么合適。
你的線路理論上是可行的,但現(xiàn)實(shí)是殘酷的:TL431耐壓不足,MOS管的Vgs耐壓也不足,正確的做法檢測(cè)(最好是帶窗口電路的檢測(cè))電壓,然后控制對(duì)地的MOS管關(guān)斷。這樣就不會(huì)面臨著耐壓的問(wèn)題;要控制正極的話也可以用光耦隔離。不加窗口電路的話有可能會(huì)工作在放大狀態(tài)。容易燒MOS管。
根據(jù)你的建議我改了一下電路,現(xiàn)在看起來(lái)貌似可以了,但是12V供電電路看著有點(diǎn)脆弱;實(shí)際上要是在主開(kāi)關(guān)電路之外有一路獨(dú)立的12V電源的話,實(shí)現(xiàn)欠壓保護(hù)的方法就簡(jiǎn)單了,可以實(shí)用比較器加MOS或者比較器加繼電器的方式;但是這樣的話,要有一個(gè)200VAC~12VDC的電路,成本會(huì)增加很多!
要是有獨(dú)立12V供電的話,這種繼電器的方式也應(yīng)該是可以的。
12V電壓是比較好做的,用開(kāi)關(guān)電源做BUCK,整個(gè)方案也是很低的價(jià)錢。
還有一種方式直接用低功耗的運(yùn)放來(lái)處理,這樣供電損耗也低,也比TL431要方便。