PQ2625改PQ3225或者PQ3230。

線徑改小，采用0.1*100或者0.1*X的絞合線。

感謝你回復(fù)，我現(xiàn)在用的是0.15*20的線。

斑竹：我換了0.1*80的線繞了個(gè)，效率還是沒上去，實(shí)在想不通還有哪里有問題。

原理圖

  ZCD電阻是82K   ，供電是外接直流電源15V

效率跟好幾個(gè)因素有關(guān)。

1、低壓時(shí)，電流大，橋堆，線損，二極管和MOSFET對(duì)應(yīng)的壓降高，損耗大。

2、因?yàn)榉逯惦娏鞔?，電感的△B會(huì)變大，但是熱主要還是在線上，所以，可以改大些的磁芯，能繞粗線。

3、如果磁芯溫度還好，可以改變感量，讓MOSFET的頻率稍微變化點(diǎn)，看看效率是否有提升。

4、橋堆后面增加474電容試試效率是否有區(qū)別。

我手上有個(gè)產(chǎn)品，用的別的芯片，也是200W左右，我用同樣的方法把熱敏、共模都短路掉，100VAC 效率93.6%，90VAC效率92.3%。

更換過這個(gè)產(chǎn)品的整流橋和二極管，PFC電感，MOS管（更換MOS效率還低了點(diǎn)，樣是18N50，我的是龍騰20N60的酷MOS），效率都沒改善，我現(xiàn)在開始懷疑L6562D做這么大功率效率做不了這么高。這個(gè)IC應(yīng)該只適合做100W左右的PFC。

還有一個(gè)值得注意的是，我的PF值一直都很高，用2uF的電容，264V PF仍有0.97，3uF  有0.96，沒有象資料所說的0.9左右。這個(gè)一直搞不清楚為什么會(huì)這樣？電路和PCB也沒發(fā)現(xiàn)有什么問題。

是不是你現(xiàn)在90V輸入的時(shí)候，PWM的頻率比較高，可以加大感量，頻率就降低了，可以試試。

驅(qū)動(dòng)電路用是直接驅(qū)動(dòng)MOSFET還是采用三極管擴(kuò)流實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)MOSFET的，可以減小驅(qū)動(dòng)電阻來加快驅(qū)動(dòng)速度試試。

電感改為40.5：3T，電感量改為260uH，  驅(qū)動(dòng)三極管改成MMBT491/591（原來是MMBT4401/4403），sense電阻改為0.05R。現(xiàn)在效率90VAC 91.4%，100VAC  92.5%。

有效果，再看看開關(guān)頻率，能否把感量再改大點(diǎn)試試。

MOSFET可以換電流更大的不？降低Rdson。

變壓器用多股線,效果會(huì)好很多.

我現(xiàn)在用的是龍騰的20N60酷MOS，內(nèi)阻0.15歐姆，已經(jīng)很奢侈了。別個(gè)的產(chǎn)品才用18N50的普通管子，內(nèi)阻0.24歐。有點(diǎn)懷疑是不是電感的問題了，我BW選的是320，可能太高了。

軍長，線已經(jīng)是多股線了，現(xiàn)在是用0.1*80的線，自己絞的。

那就換大一號(hào)的磁芯,氣隙大了也容易熱.