驅(qū)動(dòng)電路不對(duì)，Q1開通有問題。

謝謝版主的建議，我查出原因是 Q1 C極 接錯(cuò)了，所以造成此問題。

但新的問題來了，如何解決 突刺 問題。

麻煩大神們幫忙給意見。

我發(fā)現(xiàn)可能是 Q1 在進(jìn)行開關(guān)時(shí)，產(chǎn)生的突刺，

請(qǐng)問各位大神們，一般怎麼解決？

(紅色為輸出電壓，黃色為Q1開關(guān))

將電路改成下圖:

原因是你用穩(wěn)壓管來限制P-MOSFET 的閘極電壓不要超過VGS(因?yàn)槟爿斎?7V)

但在穩(wěn)壓管導(dǎo)通要打開P-MOSFET時(shí)速度不過快, 以下圖, PNP電晶體C極串接12V穩(wěn)壓管

當(dāng)PNP導(dǎo)通時(shí), P-MOSFET Low Active 為27V - 12V = 15V, 且因電晶體瞬間飽和

會(huì)加速P-MOSFET 導(dǎo)通, Hight Active 後, 由NPN迅速放電, 這樣不但效率高, 也不會(huì)Over Spec

 這才是好的設(shè)計(jì)....

謝謝你的幫忙，我先試試看看。

好像還是一樣，只是突波比較歸率。

我沒有 1uf 50V 改用 4.7uF 100V，這有關(guān)系嗎？

不錯(cuò), 這樣才是正確波形, 因?yàn)槟闶?7轉(zhuǎn)24所以ton會(huì)較小, 這樣效率會(huì)很高

再來方法是

1). 檢查你的操作頻率, 因?yàn)槟惆央娋wC1與C2並連使用, 所以頻率應(yīng)該滿低的, 將頻率拉到100K以上看看

2). 輸出端用拍型濾波(上圖)或共模濾波(下圖)把輸出高頻尖波率掉, 電感值幾十uH就夠, 抽載到滿載時(shí), 若漣波高, 加大電解電容

不好意思，問一個(gè)笨問題，

改頻率因該是改 C4 & R5，

C4 = 1000pf 

R5 = 10K

1 / ( 1000 * 10 ) = 100Khz，

這樣子對(duì)嗎？

頻率加到100K好像還是一樣沒變化，

是不是因?yàn)槲疫@樣的線路，才會(huì)有這麼大的突波？

有沒有其他更好的建議方法？

Sorry 我看錯(cuò)你的問題，

我剛才發(fā)現(xiàn)，原來「頻率」變化不大

由阻由39k換成10k，結(jié)果

頻率由 30khz -> 51khz

看來不是線性，我電容變小沒改變頻率。

我量測(cè)了Q1的G極，發(fā)現(xiàn)在啟動(dòng) P5504EVG ( P-MOS)時(shí)，

都會(huì)有一個(gè)抖動(dòng)，導(dǎo)至電壓有突波。

黃色：Q1的G極

紅色：輸出電壓

如果是波形晃動(dòng), 那就是回受補(bǔ)償引起的, 2 - 3腳在並一個(gè)幾百P電容, 若是波形很穩(wěn)定(在示波器上看到的, 記的調(diào)整觸發(fā)位準(zhǔn)) 

而上或下有Ring , 通常是地線引起的, 或是輸出路徑不是經(jīng)過電容, 可以割線看看, 在不然拍型濾波加下去吧...

再另一點(diǎn), +27V對(duì)地要有一顆輸入電解電容, 越靠近MOSFET_D與飛輪二極體D1的地越好

剛剛看了你的線路, D1要用蕭特基二極體, 如SK34, 不可以用1N4148, 耐流不夠..

好的，謝謝~

我也懷疑過是2-3回受補(bǔ)償引起，但不知道怎麼調(diào)整，

有把R3調(diào)大，或調(diào)小都沒什麼區(qū)別

修改后的線路，在麻煩你幫忙看看有什麼不好的設(shè)計(jì)

我斷開TL494和MOS后端所有零件，

只量測(cè)TL494輸出，這樣子輸出波型是對(duì)的嗎？

Low 時(shí)，波型這樣子是對(duì)的嗎？

      注：現(xiàn)金紅包僅限當(dāng)日領(lǐng)取

      活動(dòng)介紹：http://www.15119.cn/bbs/1531738.html

一次跟你講清楚好了...

上面的波形表示Low Avtive 是被反向, 因此你必須要再反向一次

如圖

記住1uf/50V這個(gè)電容一定要加, 因?yàn)?N3906箝位必須一個(gè)較穩(wěn)定的電壓, 反向過後, Low Active 會(huì)變大, 開機(jī)必須加Soft Start

如圖

你那電路圖電容未至不對(duì), 移到輸出端..

如果你這是存實(shí)驗(yàn), 那還好, 如果是要量產(chǎn)你在往下看:

1). 電感材質(zhì)選用:  不要用工型的Core(DR core) , 這種效率差, 選用環(huán)形較好, 常用的有幾種

     外觀黃色邊緣白色=> IRON Power Core 含鐵量少, 漏磁較大, 但便宜, 效率較差

     外觀Cotting 成黑色(不是做EMI用的那種) Cool-u , 含鐵量較高, 貴一點(diǎn), 效率較好

     外觀灰色或深藍(lán)色 MPP 你們那稱鐵圭鋁, 含鐵量更高, 更貴, 效率更好

2). 計(jì)算你二極體的耐流 : 假設(shè)輸出要到3A 則, 佔(zhàn)空比 24/27 =0.88, 你的MOSFET ON時(shí)會(huì)開到88%, 二極體只有1-0.88= 12%

    意思是88%電流往MOSFET 流, 12%則往二極體流 所以二極體=3A*0.12 = 0.36 , 方波電流高點(diǎn)為根號(hào)三, 所以二極體Imax=0.36*1.73

    =0.623 , 抓一倍以上用2A/40V二極體

    MOSFET = 0.88*3=2.64   Imax=2.64*1.73=4.56 抓一倍使用至少9A的MOSFET 管

3). 電感最小感量 Lmin 約略值 也就是電感能儲(chǔ)存能量最小值

    P=1/2 * I^2 * f * L   L= 2P / i^*f  24V*3A為72W  2倍P =144

    I=3A   I^2 = 9  f(操作頻率)=100Khz

    L=144/ 9 * 100 *10^3 = 0.16*10^-3 = 0.16mH =160uH 電感最小值, 可大不可以小

你誤會(huì)我的意思了，我明白要反向，

我指的low，這樣不是平行電壓是正確的嗎？

還有你指的是那一個(gè)電容？

你那電路圖電容未至不對(duì), 移到輸出端？

不好意思，第一次摸這電源的東西，

很想把他搞清楚。

1.你那個(gè)Low的波形, ( 把P-MOSFET 拆掉)如果是在494的Pin8,11 量到的, 或是在MOS_G極那裡量到的那就要反向, 因?yàn)槟闶峭芇-mosfet, 在沒回授下, Low時(shí)間要比Hight 周期還寬

2. 你昨晚畫好那張圖EC1不能跟D2並聯(lián), 要跟EC1並聯(lián)

2. 你昨晚畫好那張圖EC1不能跟D2並聯(lián), 要跟EC1並聯(lián) ???

與EC1並聯(lián)？