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TL494 電源設(shè)計(jì)問題

tl494

我使用 TL494 使用兩個(gè)電源,

輸入:一為 27V ,一為 19V 供 TL494使用,

輸出:24V,

麻煩各位大神,幫忙看看下列問題:

1. 不知為什麼輸出電源 24.398 ~ 24.530 之間一直飄動(dòng)。

2. TL494 1pin & 2pin 無法相等,1pin = 5.123v ,2pin = 5.021v?這是正常的嗎?理論上不是 1pin = 2pin 嗎?

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2016-09-28 13:53
已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫(kù)嘍
http://www.15119.cn/bbs/classic/
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2016-09-28 15:34

驅(qū)動(dòng)電路不對(duì),Q1開通有問題。

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2016-09-28 16:06
@ymyangyong
驅(qū)動(dòng)電路不對(duì),Q1開通有問題。
請(qǐng)問版主,因?yàn)槲业谝淮卧O(shè)計(jì)這線路也是抄別人的,請(qǐng)問我因該怎麼改,可否麻煩撥空教我一下
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LV.2
5
2016-09-29 09:54
@ymyangyong
驅(qū)動(dòng)電路不對(duì),Q1開通有問題。

謝謝版主的建議,我查出原因是 Q1 C極 接錯(cuò)了,所以造成此問題。

但新的問題來了,如何解決 突刺 問題。

麻煩大神們幫忙給意見。

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LV.2
6
2016-09-29 11:46
@ymyangyong
驅(qū)動(dòng)電路不對(duì),Q1開通有問題。

我發(fā)現(xiàn)可能是 Q1 在進(jìn)行開關(guān)時(shí),產(chǎn)生的突刺,

請(qǐng)問各位大神們,一般怎麼解決?

(紅色為輸出電壓,黃色為Q1開關(guān))

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2016-09-29 11:51
@nextapp
謝謝版主的建議,我查出原因是Q1C極接錯(cuò)了,所以造成此問題。但新的問題來了,如何解決突刺問題。麻煩大神們幫忙給意見。[圖片]

將電路改成下圖:

原因是你用穩(wěn)壓管來限制P-MOSFET 的閘極電壓不要超過VGS(因?yàn)槟爿斎?7V)

但在穩(wěn)壓管導(dǎo)通要打開P-MOSFET時(shí)速度不過快, 以下圖, PNP電晶體C極串接12V穩(wěn)壓管

當(dāng)PNP導(dǎo)通時(shí), P-MOSFET Low Active 為27V - 12V = 15V, 且因電晶體瞬間飽和

會(huì)加速P-MOSFET 導(dǎo)通, Hight Active 後, 由NPN迅速放電, 這樣不但效率高, 也不會(huì)Over Spec

 這才是好的設(shè)計(jì)....

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2016-09-29 11:52
@nextapp
我發(fā)現(xiàn)可能是Q1在進(jìn)行開關(guān)時(shí),產(chǎn)生的突刺,請(qǐng)問各位大神們,一般怎麼解決?(紅色為輸出電壓,黃色為Q1開關(guān))[圖片]
用上面電路你的問題就解了..
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2016-09-29 12:08
@nextapp
請(qǐng)問版主,因?yàn)槲业谝淮卧O(shè)計(jì)這線路也是抄別人的,請(qǐng)問我因該怎麼改,可否麻煩撥空教我一下
可能抄錯(cuò)了,或者別人的電路也有問題。
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nextapp
LV.2
10
2016-09-29 12:16
@juntion
用上面電路你的問題就解了..

謝謝你的幫忙,我先試試看看。

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nextapp
LV.2
11
2016-09-29 14:37
@juntion
用上面電路你的問題就解了..

好像還是一樣,只是突波比較歸率。

我沒有 1uf 50V 改用 4.7uF 100V,這有關(guān)系嗎?

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2016-09-29 14:52
@nextapp
好像還是一樣,只是突波比較歸率。我沒有1uf50V改用4.7uF100V,這有關(guān)系嗎?[圖片]

不錯(cuò), 這樣才是正確波形, 因?yàn)槟闶?7轉(zhuǎn)24所以ton會(huì)較小, 這樣效率會(huì)很高

再來方法是

1). 檢查你的操作頻率, 因?yàn)槟惆央娋wC1與C2並連使用, 所以頻率應(yīng)該滿低的, 將頻率拉到100K以上看看

2). 輸出端用拍型濾波(上圖)或共模濾波(下圖)把輸出高頻尖波率掉, 電感值幾十uH就夠, 抽載到滿載時(shí), 若漣波高, 加大電解電容

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nextapp
LV.2
13
2016-09-29 15:09
@juntion
不錯(cuò),這樣才是正確波形,因?yàn)槟闶?7轉(zhuǎn)24所以ton會(huì)較小,這樣效率會(huì)很高再來方法是1).檢查你的操作頻率,因?yàn)槟惆央娋wC1與C2並連使用,所以頻率應(yīng)該滿低的,將頻率拉到100K以上看看2).輸出端用拍型濾波(上圖)或共模濾波(下圖)把輸出高頻尖波率掉,電感值幾十uH就夠,抽載到滿載時(shí),若漣波高,加大電解電容[圖片]
好的,現(xiàn)在是 30K 我調(diào)到 100K 試試
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nextapp
LV.2
14
2016-09-29 15:48
@juntion
不錯(cuò),這樣才是正確波形,因?yàn)槟闶?7轉(zhuǎn)24所以ton會(huì)較小,這樣效率會(huì)很高再來方法是1).檢查你的操作頻率,因?yàn)槟惆央娋wC1與C2並連使用,所以頻率應(yīng)該滿低的,將頻率拉到100K以上看看2).輸出端用拍型濾波(上圖)或共模濾波(下圖)把輸出高頻尖波率掉,電感值幾十uH就夠,抽載到滿載時(shí),若漣波高,加大電解電容[圖片]

不好意思,問一個(gè)笨問題,

改頻率因該是改 C4 & R5,

C4 = 1000pf 

R5 = 10K

1 / ( 1000 * 10 ) = 100Khz,

這樣子對(duì)嗎?

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2016-09-29 16:23
@nextapp
不好意思,問一個(gè)笨問題,改頻率因該是改C4&R5,C4=1000pf R5=10K1/(1000*10)=100Khz,這樣子對(duì)嗎?
應(yīng)該是, 你查一下494 的SPEC, 電容固定, 電阻阻值越小, 頻率越高..
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LV.2
16
2016-09-29 17:18
@juntion
應(yīng)該是,你查一下494的SPEC,電容固定,電阻阻值越小,頻率越高..

頻率加到100K好像還是一樣沒變化,

是不是因?yàn)槲疫@樣的線路,才會(huì)有這麼大的突波?

有沒有其他更好的建議方法?

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2016-09-29 17:42
@nextapp
頻率加到100K好像還是一樣沒變化,是不是因?yàn)槲疫@樣的線路,才會(huì)有這麼大的突波?有沒有其他更好的建議方法?
輸出率波有加麼?
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nextapp
LV.2
18
2016-09-29 18:35
@juntion
輸出率波有加麼?

Sorry 我看錯(cuò)你的問題,

我剛才發(fā)現(xiàn),原來「頻率」變化不大

由阻由39k換成10k,結(jié)果

頻率由 30khz -> 51khz

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2016-09-29 20:26
@nextapp
Sorry我看錯(cuò)你的問題,我剛才發(fā)現(xiàn),原來「頻率」變化不大由阻由39k換成10k,結(jié)果頻率由30khz->51khz
把電容變小就好了...
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nextapp
LV.2
20
2016-09-29 22:26
@juntion
把電容變小就好了...

看來不是線性,我電容變小沒改變頻率。

我量測(cè)了Q1的G極,發(fā)現(xiàn)在啟動(dòng) P5504EVG ( P-MOS)時(shí),

都會(huì)有一個(gè)抖動(dòng),導(dǎo)至電壓有突波。

黃色:Q1的G極

紅色:輸出電壓

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2016-09-29 22:45
@nextapp
[圖片]看來不是線性,我電容變小沒改變頻率。我量測(cè)了Q1的G極,發(fā)現(xiàn)在啟動(dòng)P5504EVG(P-MOS)時(shí),都會(huì)有一個(gè)抖動(dòng),導(dǎo)至電壓有突波。黃色:Q1的G極紅色:輸出電壓

如果是波形晃動(dòng), 那就是回受補(bǔ)償引起的, 2 - 3腳在並一個(gè)幾百P電容, 若是波形很穩(wěn)定(在示波器上看到的, 記的調(diào)整觸發(fā)位準(zhǔn)) 

而上或下有Ring , 通常是地線引起的, 或是輸出路徑不是經(jīng)過電容, 可以割線看看, 在不然拍型濾波加下去吧...

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2016-09-29 22:52
@juntion
如果是波形晃動(dòng),那就是回受補(bǔ)償引起的,2-3腳在並一個(gè)幾百P電容,若是波形很穩(wěn)定(在示波器上看到的,記的調(diào)整觸發(fā)位準(zhǔn)) 而上或下有Ring,通常是地線引起的,或是輸出路徑不是經(jīng)過電容,可以割線看看,在不然拍型濾波加下去吧...

再另一點(diǎn), +27V對(duì)地要有一顆輸入電解電容, 越靠近MOSFET_D與飛輪二極體D1的地越好

剛剛看了你的線路, D1要用蕭特基二極體, 如SK34, 不可以用1N4148, 耐流不夠..

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LV.2
23
2016-09-29 23:00
@juntion
再另一點(diǎn),+27V對(duì)地要有一顆輸入電解電容,越靠近MOSFET_D與飛輪二極體D1的地越好剛剛看了你的線路,D1要用蕭特基二極體,如SK34,不可以用1N4148,耐流不夠..

好的,謝謝~

我也懷疑過是2-3回受補(bǔ)償引起,但不知道怎麼調(diào)整,

有把R3調(diào)大,或調(diào)小都沒什麼區(qū)別

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LV.2
24
2016-09-30 00:07
@juntion
再另一點(diǎn),+27V對(duì)地要有一顆輸入電解電容,越靠近MOSFET_D與飛輪二極體D1的地越好剛剛看了你的線路,D1要用蕭特基二極體,如SK34,不可以用1N4148,耐流不夠..

修改后的線路,在麻煩你幫忙看看有什麼不好的設(shè)計(jì)

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LV.2
25
2016-09-30 09:56
@juntion
再另一點(diǎn),+27V對(duì)地要有一顆輸入電解電容,越靠近MOSFET_D與飛輪二極體D1的地越好剛剛看了你的線路,D1要用蕭特基二極體,如SK34,不可以用1N4148,耐流不夠..

我斷開TL494和MOS后端所有零件,

只量測(cè)TL494輸出,這樣子輸出波型是對(duì)的嗎?

Low 時(shí),波型這樣子是對(duì)的嗎?

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2016-09-30 10:45
帖子已被設(shè)置為頭條,恭喜樓主可添加電源網(wǎng)私人官網(wǎng)微信(dianyuan_com)為好友,領(lǐng)取現(xiàn)金紅包(備注信息:頭條紅包)

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2016-09-30 12:38
@nextapp
我斷開TL494和MOS后端所有零件,只量測(cè)TL494輸出,這樣子輸出波型是對(duì)的嗎?Low時(shí),波型這樣子是對(duì)的嗎?[圖片]

一次跟你講清楚好了...

上面的波形表示Low Avtive 是被反向, 因此你必須要再反向一次

如圖

記住1uf/50V這個(gè)電容一定要加, 因?yàn)?N3906箝位必須一個(gè)較穩(wěn)定的電壓, 反向過後, Low Active 會(huì)變大, 開機(jī)必須加Soft Start

如圖

從494_DT接腳做緩開機(jī)(Soft start) 送電後, 會(huì)藉由104電容使周其慢慢張開, 輸出電壓就沒有Peak

你那電路圖電容未至不對(duì), 移到輸出端..

如果你這是存實(shí)驗(yàn), 那還好, 如果是要量產(chǎn)你在往下看:

1). 電感材質(zhì)選用:  不要用工型的Core(DR core) , 這種效率差, 選用環(huán)形較好, 常用的有幾種

     外觀黃色邊緣白色=> IRON Power Core 含鐵量少, 漏磁較大, 但便宜, 效率較差

     外觀Cotting 成黑色(不是做EMI用的那種) Cool-u , 含鐵量較高, 貴一點(diǎn), 效率較好

     外觀灰色或深藍(lán)色 MPP 你們那稱鐵圭鋁, 含鐵量更高, 更貴, 效率更好

2). 計(jì)算你二極體的耐流 : 假設(shè)輸出要到3A 則, 佔(zhàn)空比 24/27 =0.88, 你的MOSFET ON時(shí)會(huì)開到88%, 二極體只有1-0.88= 12%

    意思是88%電流往MOSFET 流, 12%則往二極體流 所以二極體=3A*0.12 = 0.36 , 方波電流高點(diǎn)為根號(hào)三, 所以二極體Imax=0.36*1.73

    =0.623 , 抓一倍以上用2A/40V二極體

    MOSFET = 0.88*3=2.64   Imax=2.64*1.73=4.56 抓一倍使用至少9A的MOSFET 管

3). 電感最小感量 Lmin 約略值 也就是電感能儲(chǔ)存能量最小值

    P=1/2 * I^2 * f * L   L= 2P / i^*f  24V*3A為72W  2倍P =144

    I=3A   I^2 = 9  f(操作頻率)=100Khz

    L=144/ 9 * 100 *10^3 = 0.16*10^-3 = 0.16mH =160uH 電感最小值, 可大不可以小

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LV.2
28
2016-09-30 14:29
@juntion
一次跟你講清楚好了...上面的波形表示LowAvtive是被反向,因此你必須要再反向一次如圖[圖片]記住1uf/50V這個(gè)電容一定要加,因?yàn)?N3906箝位必須一個(gè)較穩(wěn)定的電壓,反向過後,LowActive會(huì)變大,開機(jī)必須加SoftStart如圖[圖片]從494_DT接腳做緩開機(jī)(Softstart)送電後,會(huì)藉由104電容使周其慢慢張開,輸出電壓就沒有Peak你那電路圖電容未至不對(duì),移到輸出端..如果你這是存實(shí)驗(yàn),那還好,如果是要量產(chǎn)你在往下看:1).電感材質(zhì)選用: 不要用工型的Core(DRcore),這種效率差,選用環(huán)形較好,常用的有幾種   外觀黃色邊緣白色=>IRONPowerCore含鐵量少,漏磁較大,但便宜,效率較差   外觀Cotting成黑色(不是做EMI用的那種)Cool-u,含鐵量較高,貴一點(diǎn),效率較好   外觀灰色或深藍(lán)色MPP你們那稱鐵圭鋁,含鐵量更高,更貴,效率更好2).計(jì)算你二極體的耐流:假設(shè)輸出要到3A則,佔(zhàn)空比24/27=0.88,你的MOSFETON時(shí)會(huì)開到88%,二極體只有1-0.88=12%  意思是88%電流往MOSFET流,12%則往二極體流所以二極體=3A*0.12=0.36,方波電流高點(diǎn)為根號(hào)三,所以二極體Imax=0.36*1.73  =0.623,抓一倍以上用2A/40V二極體  MOSFET=0.88*3=2.64 Imax=2.64*1.73=4.56抓一倍使用至少9A的MOSFET管3).電感最小感量Lmin約略值也就是電感能儲(chǔ)存能量最小值  P=1/2*I^2*f*L L=2P/i^*f 24V*3A為72W 2倍P=144  I=3A I^2=9 f(操作頻率)=100Khz  L=144/9*100*10^3=0.16*10^-3=0.16mH=160uH電感最小值,可大不可以小

你誤會(huì)我的意思了,我明白要反向,

我指的low,這樣不是平行電壓是正確的嗎?

還有你指的是那一個(gè)電容?

你那電路圖電容未至不對(duì), 移到輸出端?

不好意思,第一次摸這電源的東西,

很想把他搞清楚。

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2016-09-30 14:55
@nextapp
你誤會(huì)我的意思了,我明白要反向,我指的low,這樣不是平行電壓是正確的嗎?還有你指的是那一個(gè)電容?你那電路圖電容未至不對(duì),移到輸出端?不好意思,第一次摸這電源的東西,很想把他搞清楚。

1.你那個(gè)Low的波形, ( 把P-MOSFET 拆掉)如果是在494的Pin8,11 量到的, 或是在MOS_G極那裡量到的那就要反向, 因?yàn)槟闶峭芇-mosfet, 在沒回授下, Low時(shí)間要比Hight 周期還寬

2. 你昨晚畫好那張圖EC1不能跟D2並聯(lián), 要跟EC1並聯(lián)

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LV.2
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2016-09-30 15:41
@juntion
1.你那個(gè)Low的波形,(把P-MOSFET拆掉)如果是在494的Pin8,11量到的,或是在MOS_G極那裡量到的那就要反向,因?yàn)槟闶峭芇-mosfet,在沒回授下,Low時(shí)間要比Hight周期還寬2.你昨晚畫好那張圖EC1不能跟D2並聯(lián),要跟EC1並聯(lián)

2. 你昨晚畫好那張圖EC1不能跟D2並聯(lián), 要跟EC1並聯(lián) ???

與EC1並聯(lián)?

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2016-09-30 16:09
@nextapp
你誤會(huì)我的意思了,我明白要反向,我指的low,這樣不是平行電壓是正確的嗎?還有你指的是那一個(gè)電容?你那電路圖電容未至不對(duì),移到輸出端?不好意思,第一次摸這電源的東西,很想把他搞清楚。
除了占空比較小,波形基本正常。EC1要去掉。
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