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功率MOSFET柵源電壓Vgs被強(qiáng)制拉低

電路中使用IRLML6346TRPbF的開關(guān)作用識(shí)別設(shè)備連接，當(dāng)設(shè)備連接后會(huì)在產(chǎn)生一個(gè)Vcc/2 的信號(hào)，G極檢測(cè)到該信號(hào)后導(dǎo)通。現(xiàn)在問題是這個(gè)Vcc/2信號(hào)連接后，MOSFET管導(dǎo)通了，但是Vcc/2被強(qiáng)制拉低到0.67V，請(qǐng)問這是什么原因，能不能避免Vcc/2被拉低？謝謝！
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afan2009
LV.1
2
2016-10-01 11:09
補(bǔ)充：這是面包板上搭的驗(yàn)證電路，上部分是是檢測(cè)，設(shè)備連接后G極會(huì)有Vcc/2的偏置電壓，GS如果存在電壓偏置，則將S導(dǎo)通到GND，單獨(dú)使用這部分電路，電壓沒有被拉低。下部分是信號(hào)輸出，現(xiàn)在是因?yàn)橛幸粋€(gè)10K的電阻接在GS之間，電壓被拉低到0.67V。

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2016-10-08 13:44
已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫(kù)嘍
http://www.15119.cn/bbs/classic/
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a20105319
LV.2
4
2016-10-08 14:29
@afan2009
補(bǔ)充：這是面包板上搭的驗(yàn)證電路，上部分是是檢測(cè)，設(shè)備連接后G極會(huì)有Vcc/2的偏置電壓，GS如果存在電壓偏置，則將S導(dǎo)通到GND，單獨(dú)使用這部分電路，電壓沒有被拉低。下部分是信號(hào)輸出，現(xiàn)在是因?yàn)橛幸粋€(gè)10K的電阻接在GS之間，電壓被拉低到0.67V。[圖片]

你的mos管是不是放反了呀

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2016-10-08 18:29
@afan2009
補(bǔ)充：這是面包板上搭的驗(yàn)證電路，上部分是是檢測(cè)，設(shè)備連接后G極會(huì)有Vcc/2的偏置電壓，GS如果存在電壓偏置，則將S導(dǎo)通到GND，單獨(dú)使用這部分電路，電壓沒有被拉低。下部分是信號(hào)輸出，現(xiàn)在是因?yàn)橛幸粋€(gè)10K的電阻接在GS之間，電壓被拉低到0.67V。[圖片]
最好能給出完整電路，這樣不好看，連了電阻后有電流回路存在，將電壓拉低了吧
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