久久久国产精品视频袁燕,99re久久精品国产,亚洲欧美日韩国产综合v,天天躁夜夜躁狠狠久久,激情五月婷婷激情五月婷婷

  • 回復(fù)
  • 收藏
  • 點(diǎn)贊
  • 分享
  • 發(fā)新帖

圖騰電路解析

        望長官多多光顧!

        一個(gè)同行說他經(jīng)手的一款電源出現(xiàn)了炸掉圖騰柱電路的不良現(xiàn)象!剛好這次在論壇上跟各位大哥大討論一下這個(gè)問題!先上一張手繪的圖(見笑) 湊合看!

120

      以上是一個(gè)簡(jiǎn)易的圖騰柱觸發(fā)電路!當(dāng)然有些高手還用作推挽電路上面!這次先聊聊圖騰柱的觸發(fā)! 設(shè):VCC=14V   PWM=14V  (兩者其實(shí)是比較常見的芯片共VCC驅(qū)動(dòng)模式) Q1 和Q2就用比較常規(guī)的S8050那對(duì)管子來做實(shí)驗(yàn)!另設(shè):若輸出要求12V(PWM)400MA管電流,上升沿:50NS ;接下來就是求解:R1和R2的阻值如何確定? 相對(duì)應(yīng)的A' B' C'所對(duì)應(yīng)的各處電壓值如何可以計(jì)算(或者估算)出來,也就可以確定你所需要的阻值了?。ㄌ崾荆篠8050系列管子采用C級(jí)放大系數(shù):&=200-300) 未完待續(xù)?。ㄕ?qǐng)各位高手多多批評(píng))

全部回復(fù)(41)
正序查看
倒序查看
2016-10-05 16:32
  接著唱大戲:  修正上述電路:(市場(chǎng)比較多的通用圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路):

  上圖根據(jù)已知條件求未知電阻阻值,并給出設(shè)定:IOUT=200MA 根據(jù)S8050的&=200-300倍 (按照最小計(jì)算得)IB等于1MA即刻正常觸發(fā)MOS(C1)

0
回復(fù)
2016-10-05 17:15
@越凌科技
  接著唱大戲:  修正上述電路:(市場(chǎng)比較多的通用圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路):[圖片]  上圖根據(jù)已知條件求未知電阻阻值,并給出設(shè)定:IOUT=200MA 根據(jù)S8050的&=200-300倍?。ò凑兆钚∮?jì)算得)IB等于1MA即刻正常觸發(fā)MOS(C1)
   高手們:請(qǐng)進(jìn)來坐!·······
0
回復(fù)
suiyi3
LV.5
4
2016-10-05 17:33
搬個(gè)凳子來學(xué)習(xí)~
0
回復(fù)
2016-10-06 08:34
@suiyi3
搬個(gè)凳子來學(xué)習(xí)~
      可以糾正一下我的解析過程和方向的?。。?!
0
回復(fù)
2016-10-06 09:21
這是要說明什么?
0
回復(fù)
2016-10-06 09:43
只想說:這只是個(gè)射級(jí)跟隨器!
0
回復(fù)
2016-10-13 09:22
@zz052025
這是要說明什么?
     提到的是是主要設(shè)計(jì)輸入 和輸出電阻的R2  R3阻值等等!
0
回復(fù)
2016-10-13 09:23
@qinzutaim
只想說:這只是個(gè)射級(jí)跟隨器!
     圖中的幾個(gè)電阻阻值如何及孫??????
0
回復(fù)
2016-10-13 11:14
@越凌科技
  接著唱大戲:  修正上述電路:(市場(chǎng)比較多的通用圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路):[圖片]  上圖根據(jù)已知條件求未知電阻阻值,并給出設(shè)定:IOUT=200MA 根據(jù)S8050的&=200-300倍?。ò凑兆钚∮?jì)算得)IB等于1MA即刻正常觸發(fā)MOS(C1)
      接著唱大戲! 高手請(qǐng)進(jìn)來指導(dǎo)一下?。“萃辛?!
0
回復(fù)
yaojinc1962
LV.6
11
2016-10-13 11:25
@越凌科技
   提到的是是主要設(shè)計(jì)輸入和輸出電阻的R2 R3阻值等等!
圖騰柱作用是解決驅(qū)動(dòng)能力,即增加“灌”電流和“抽”電流的能力。由于MOS管存在柵極電容,會(huì)延緩方波的上升沿及下降沿,增加損壞;有了圖騰柱可使驅(qū)動(dòng)波形上升沿及下降沿變陡。一般R2取1K,R3取幾十歐以下。
0
回復(fù)
2016-10-13 11:31
@越凌科技
   圖中的幾個(gè)電阻阻值如何及孫??????
       個(gè)人名義先按照自己的解釋理一下: 高手多指正批評(píng)??!  R1的阻值是根據(jù)自己設(shè)定的IB 貝塔倍=IC  =IGS   預(yù)設(shè)VB  VC=VGS  從而理論值得出R1    R2作為緩沖和分壓電阻供電并觸發(fā)給MOS的VGS !但是我計(jì)算的過程中很懵懂!  單上上訴的那個(gè)公式我驗(yàn)證了一下,確實(shí)可以正常的觸發(fā)MOS做ON和OFF動(dòng)作執(zhí)行! 大家可以各抒己見!
0
回復(fù)
2016-10-13 15:08
@越凌科技
    個(gè)人名義先按照自己的解釋理一下:高手多指正批評(píng)??! R1的阻值是根據(jù)自己設(shè)定的IB貝塔倍=IC =IGS 預(yù)設(shè)VB VC=VGS 從而理論值得出R1  R2作為緩沖和分壓電阻供電并觸發(fā)給MOS的VGS!但是我計(jì)算的過程中很懵懂! 單上上訴的那個(gè)公式我驗(yàn)證了一下,確實(shí)可以正常的觸發(fā)MOS做ON和OFF動(dòng)作執(zhí)行!大家可以各抒己見!
坐等高手解析··········
0
回復(fù)
2016-10-13 16:45
@越凌科技
坐等高手解析··········
R2取值涉及MOS的參數(shù),應(yīng)該貼出具體MOS的DATASheet
0
回復(fù)
2016-10-13 17:23
@心如刀割
R2取值涉及MOS的參數(shù),應(yīng)該貼出具體MOS的DATASheet
好的!旅長! 馬上帖!  我先吧自己計(jì)算的步驟和參數(shù)貼出來給你看一下!你多批評(píng)······   稍等
0
回復(fù)
2016-10-13 17:48
@越凌科技
好的!旅長! 馬上帖!  我先吧自己計(jì)算的步驟和參數(shù)貼出來給你看一下!你多批評(píng)······ 稍等

     上圖中已經(jīng)說道此次舉例的圖騰柱試用的對(duì)管是S8050和S8550  現(xiàn)在分析預(yù)知條件:芯片的PWM-OUT端口假設(shè)可以輸出芯片供電電壓:VCC=14.5V的幅值脈寬信號(hào)去觸發(fā)圖騰柱的基極(B)從而使VCC的信號(hào)源得到IB*貝塔倍=IC通過上管(S8050)的集電結(jié)流入R2最后觸發(fā)MOS上電VGS從而導(dǎo)通MOS! 那么IB的大小可以在上電延這個(gè)區(qū)間內(nèi)的兩個(gè)狀態(tài)之和得出:分別為輸入電容(Ciss)被觸發(fā)并開始升壓至VGS)_(th)MOS管打開,此時(shí)Coss輸出電容極性翻轉(zhuǎn)并有一個(gè)觸發(fā)電流旁路流入Coss內(nèi)后飽和!接著Ciss電容幅值繼續(xù)升高,當(dāng)快要與VCC電平幅值持平時(shí),管子進(jìn)入飽和狀態(tài),此時(shí)VCC的幅值約等于VGS?。ㄉ仙兀┩瓿芍芷?!那么通過Ciss Coss兩個(gè)結(jié)電容的充放電來估算VGS的上升沿中的兩個(gè)階段所需要的總電流:Iciss=Ciss*10`-12/T上升沿=89MA; 接著再計(jì)算Icoss=Coss*10`-12*Vdc_min/T上升沿=231MA  則預(yù)估算IGS=231+89=320MA(峰值觸發(fā)電流)通過這個(gè)電流快要得出上圖中R2=10歐;R1=1K歐!  (提示:下降沿也是一個(gè)原理)

      旅長:我說的有點(diǎn)混亂!不知道你怎么看?

0
回復(fù)
2016-10-13 17:52
@越凌科技
   上圖中已經(jīng)說道此次舉例的圖騰柱試用的對(duì)管是S8050和S8550 現(xiàn)在分析預(yù)知條件:芯片的PWM-OUT端口假設(shè)可以輸出芯片供電電壓:VCC=14.5V的幅值脈寬信號(hào)去觸發(fā)圖騰柱的基極(B)從而使VCC的信號(hào)源得到IB*貝塔倍=IC通過上管(S8050)的集電結(jié)流入R2最后觸發(fā)MOS上電VGS從而導(dǎo)通MOS!那么IB的大小可以在上電延這個(gè)區(qū)間內(nèi)的兩個(gè)狀態(tài)之和得出:分別為輸入電容(Ciss)被觸發(fā)并開始升壓至VGS)_(th)MOS管打開,此時(shí)Coss輸出電容極性翻轉(zhuǎn)并有一個(gè)觸發(fā)電流旁路流入Coss內(nèi)后飽和!接著Ciss電容幅值繼續(xù)升高,當(dāng)快要與VCC電平幅值持平時(shí),管子進(jìn)入飽和狀態(tài),此時(shí)VCC的幅值約等于VGS!(上升沿)完成周期!那么通過CissCoss兩個(gè)結(jié)電容的充放電來估算VGS的上升沿中的兩個(gè)階段所需要的總電流:Iciss=Ciss*10`-12/T上升沿=89MA;接著再計(jì)算Icoss=Coss*10`-12*Vdc_min/T上升沿=231MA 則預(yù)估算IGS=231+89=320MA(峰值觸發(fā)電流)通過這個(gè)電流快要得出上圖中R2=10歐;R1=1K歐! (提示:下降沿也是一個(gè)原理)   旅長:我說的有點(diǎn)混亂!不知道你怎么看?
   以下是TMC-7N65C場(chǎng)效應(yīng)管的DATASHEET!

0
回復(fù)
2016-10-13 19:24
@心如刀割
R2取值涉及MOS的參數(shù),應(yīng)該貼出具體MOS的DATASheet

   高手們:你們?cè)谀睦铮?

0
回復(fù)
2016-10-13 19:58
@越凌科技
   上圖中已經(jīng)說道此次舉例的圖騰柱試用的對(duì)管是S8050和S8550 現(xiàn)在分析預(yù)知條件:芯片的PWM-OUT端口假設(shè)可以輸出芯片供電電壓:VCC=14.5V的幅值脈寬信號(hào)去觸發(fā)圖騰柱的基極(B)從而使VCC的信號(hào)源得到IB*貝塔倍=IC通過上管(S8050)的集電結(jié)流入R2最后觸發(fā)MOS上電VGS從而導(dǎo)通MOS!那么IB的大小可以在上電延這個(gè)區(qū)間內(nèi)的兩個(gè)狀態(tài)之和得出:分別為輸入電容(Ciss)被觸發(fā)并開始升壓至VGS)_(th)MOS管打開,此時(shí)Coss輸出電容極性翻轉(zhuǎn)并有一個(gè)觸發(fā)電流旁路流入Coss內(nèi)后飽和!接著Ciss電容幅值繼續(xù)升高,當(dāng)快要與VCC電平幅值持平時(shí),管子進(jìn)入飽和狀態(tài),此時(shí)VCC的幅值約等于VGS?。ㄉ仙兀┩瓿芍芷?!那么通過CissCoss兩個(gè)結(jié)電容的充放電來估算VGS的上升沿中的兩個(gè)階段所需要的總電流:Iciss=Ciss*10`-12/T上升沿=89MA;接著再計(jì)算Icoss=Coss*10`-12*Vdc_min/T上升沿=231MA 則預(yù)估算IGS=231+89=320MA(峰值觸發(fā)電流)通過這個(gè)電流快要得出上圖中R2=10歐;R1=1K歐! (提示:下降沿也是一個(gè)原理)   旅長:我說的有點(diǎn)混亂!不知道你怎么看?

LZ你太謙虛了,

這個(gè)分幾個(gè)階段的計(jì)算方法你可以驗(yàn)證一下。但實(shí)際當(dāng)中可能沒什么意義。

我想問的是你是為了解決你同行的電源出現(xiàn)了炸掉圖騰柱電路的問題還是單純?yōu)榱擞?jì)算這個(gè)電阻?

如果是為了解決問題,那就有點(diǎn)鉆牛角尖了。因?yàn)閷?shí)際當(dāng)中還有一些寄生參數(shù),并且這些參數(shù)的影響也是挺大的,如一些寄生電感,電感對(duì)電流的影響那就不用說了,如果沒考慮進(jìn)去那也只是理想值而已。

0
回復(fù)
2016-10-14 11:18
@心如刀割
LZ你太謙虛了,這個(gè)分幾個(gè)階段的計(jì)算方法你可以驗(yàn)證一下。但實(shí)際當(dāng)中可能沒什么意義。我想問的是你是為了解決你同行的電源出現(xiàn)了炸掉圖騰柱電路的問題還是單純?yōu)榱擞?jì)算這個(gè)電阻?如果是為了解決問題,那就有點(diǎn)鉆牛角尖了。因?yàn)閷?shí)際當(dāng)中還有一些寄生參數(shù),并且這些參數(shù)的影響也是挺大的,如一些寄生電感,電感對(duì)電流的影響那就不用說了,如果沒考慮進(jìn)去那也只是理想值而已。
       我是想了解清楚! 同時(shí)看能否幫朋友找到一個(gè)合理的解決方法! 另外就是我也想驗(yàn)證一下那個(gè)公式是否可以行!順向想群里手學(xué)習(xí)一下圖騰柱哥哥元器件的計(jì)算!
0
回復(fù)
2016-10-14 17:49
@心如刀割
LZ你太謙虛了,這個(gè)分幾個(gè)階段的計(jì)算方法你可以驗(yàn)證一下。但實(shí)際當(dāng)中可能沒什么意義。我想問的是你是為了解決你同行的電源出現(xiàn)了炸掉圖騰柱電路的問題還是單純?yōu)榱擞?jì)算這個(gè)電阻?如果是為了解決問題,那就有點(diǎn)鉆牛角尖了。因?yàn)閷?shí)際當(dāng)中還有一些寄生參數(shù),并且這些參數(shù)的影響也是挺大的,如一些寄生電感,電感對(duì)電流的影響那就不用說了,如果沒考慮進(jìn)去那也只是理想值而已。
旅長:  可否解析一下你的公式計(jì)算!或者是估算方法? 我這個(gè)計(jì)算的模式是驗(yàn)證過的, 上了10N以上 偏差太大,要調(diào)節(jié)R1的值  所以根本無法作為一個(gè)參考的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)!  還希望大俠能上上課?。。?!萬分感謝?。?!
0
回復(fù)
2016-10-14 19:14
@越凌科技
旅長: 可否解析一下你的公式計(jì)算!或者是估算方法?我這個(gè)計(jì)算的模式是驗(yàn)證過的,上了10N以上偏差太大,要調(diào)節(jié)R1的值 所以根本無法作為一個(gè)參考的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)! 還希望大俠能上上課?。。?!萬分感謝?。?![圖片]

我也坐等高手來講課。

0
回復(fù)
2016-10-16 09:41
@越凌科技
   高手們:你們?cè)谀睦铮?/span>
高手們: 你在哪里? 我的心也承受不來!·······   不行!晚上回去補(bǔ)一補(bǔ)課!看看能否將這個(gè)電路解析一下! 忘來往過路的大神進(jìn)來批評(píng)一下子!
0
回復(fù)
2016-10-17 10:33
@yaojinc1962
圖騰柱作用是解決驅(qū)動(dòng)能力,即增加“灌”電流和“抽”電流的能力。由于MOS管存在柵極電容,會(huì)延緩方波的上升沿及下降沿,增加損壞;有了圖騰柱可使驅(qū)動(dòng)波形上升沿及下降沿變陡。一般R2取1K,R3取幾十歐以下。
先賞了~
0
回復(fù)
2016-10-17 10:34
來幫頂~~~
0
回復(fù)
2016-10-17 11:02
@電源網(wǎng)-璐璐
來幫頂~~~

      每次見到璐璐的足跡! 我就樂呵的不要不要的!

      好吧! 高手不來頂!我自己來瞎說一通!再讓高手看到了過來批評(píng)一下下!

0
回復(fù)
2016-10-17 12:08
@越凌科技
高手們:你在哪里?我的心也承受不來!·······[圖片][圖片]  不行!晚上回去補(bǔ)一補(bǔ)課!看看能否將這個(gè)電路解析一下!忘來往過路的大神進(jìn)來批評(píng)一下子![圖片]

是應(yīng)該好好看一下模擬電路了,這電路就是一個(gè)無過零偏置的射極跟隨器.理論上輸出電壓比輸入電壓低一個(gè)二極管壓降,R1的主要作用是限制PWM輸出的電流,可以防止IC負(fù)載過重,只要能滿足后面圖騰的電流要求,它取1K歐和取20歐區(qū)別不大.

MOS的驅(qū)動(dòng)波形由R2,D1及MOS的結(jié)電容決定.

0
回復(fù)
2016-10-17 13:34
@越凌科技
   每次見到璐璐的足跡!我就樂呵的不要不要的![圖片][圖片]   好吧!高手不來頂!我自己來瞎說一通!再讓高手看到了過來批評(píng)一下下![圖片]
討厭的不要不要的~
0
回復(fù)
2016-10-17 14:39
@電源網(wǎng)-璐璐
[圖片]討厭的不要不要的~
      想你的不要不要的!
0
回復(fù)
2016-10-17 15:17
@越凌科技
   想你的不要不要的![圖片][圖片]
      先上個(gè)矩形波!  大戲唱起來!  氣氛搞起來! COME ON BABY! 

 

      根據(jù)2樓我上傳的那個(gè)通用圖騰柱電路圖!當(dāng)上圖中PWM(矩形波)進(jìn)入上升沿階段時(shí),Q1的BE得到一個(gè)近視VCC(15VDC)觸發(fā)幅值電壓?。ㄌ崾荆簩?shí)際上芯片的觸發(fā)I/O口距VCC有一個(gè)壓降0.3-0.7V)在上升沿過沖0.7V以上對(duì)地后,集電結(jié)打開,此時(shí)VGS便會(huì)隨著上升沿的攀升和升高!當(dāng)集電結(jié)升至VCC電壓幅值左右,此時(shí)VC約等于VB  IC趨近于飽和狀態(tài)!VGS約等于:VBE-0.7V MOS外圈打開!當(dāng)進(jìn)入下降沿的時(shí)候PWM端口驟降,在下降沿中到達(dá)低于VGS0.7V時(shí),下官Q(mào)2同理泄放(如上)! 下一篇再來聊聊MOS的觸發(fā)電流!和結(jié)電容效應(yīng)!待續(xù)```````

0
回復(fù)
2016-10-18 09:19
@越凌科技
   先上個(gè)矩形波! 大戲唱起來! 氣氛搞起來!COMEONBABY! [圖片]    根據(jù)2樓我上傳的那個(gè)通用圖騰柱電路圖!當(dāng)上圖中PWM(矩形波)進(jìn)入上升沿階段時(shí),Q1的BE得到一個(gè)近視VCC(15VDC)觸發(fā)幅值電壓?。ㄌ崾荆簩?shí)際上芯片的觸發(fā)I/O口距VCC有一個(gè)壓降0.3-0.7V)在上升沿過沖0.7V以上對(duì)地后,集電結(jié)打開,此時(shí)VGS便會(huì)隨著上升沿的攀升和升高!當(dāng)集電結(jié)升至VCC電壓幅值左右,此時(shí)VC約等于VB IC趨近于飽和狀態(tài)!VGS約等于:VBE-0.7VMOS外圈打開!當(dāng)進(jìn)入下降沿的時(shí)候PWM端口驟降,在下降沿中到達(dá)低于VGS0.7V時(shí),下官Q(mào)2同理泄放(如上)!下一篇再來聊聊MOS的觸發(fā)電流!和結(jié)電容效應(yīng)!待續(xù)```````[圖片]
       一大早!先上點(diǎn)昨晚查詢和理解的東西!忘論壇里高手們!能批評(píng)指正! 下圖是VGS的波形(手畫的,將就看著先):

      在上升沿的中下部(一般的MOS的V_th=3-10VDC)或者中腰部的位置會(huì)出現(xiàn)一個(gè)階梯口=XF1(泄放點(diǎn),我暫時(shí)取個(gè)名字先叫著);同理在下降沿中腰部或者中下部也會(huì)有一個(gè)同樣的泄放口=XF2;但是很明顯為什么XF2相較于XF1的階梯口的寬度(延遲時(shí)間相較于MOS_ON要小很多,個(gè)別一些方案80-100K下降沿會(huì)更加的平滑;在高手說中肯定都是一樣OK的),IC_DATE端口的下降沿中都會(huì)有下拉旁路的(針對(duì)于近幾年的一些原邊的料而言)進(jìn)而會(huì)加速下降沿的響應(yīng),如果家圖騰那不用說就更加的快捷,并且在下降沿中VGS_Ciss是可以忽略不計(jì)的(紋路阻抗和感抗還是要考慮的喲)!

其實(shí)針兩個(gè)階梯口就很容易的理解出Ciss Coss兩個(gè)結(jié)電容存在的重要性! 再就是紋路感抗和阻抗,(實(shí)際在MOS的三個(gè)電極間也是有RL存在的,這個(gè)充放電要按經(jīng)驗(yàn)值取舍,至今這個(gè)經(jīng)驗(yàn)值我都在摸索中;見笑了) 至于公式上面已經(jīng)解釋驗(yàn)證了?。ㄌ崾荆涸趯?shí)際的實(shí)驗(yàn)中這個(gè)電流遠(yuǎn)不夠的,因?yàn)楹雎粤思y路和極點(diǎn)的RL和R)基本上我實(shí)驗(yàn)后發(fā)現(xiàn)在40W以內(nèi)這個(gè)參數(shù)是通用的(因?yàn)槟闾嵘碾娏飨禂?shù)都已經(jīng)基本滿足MOS的觸發(fā)電流_峰峰值) 未完待續(xù)!高手高手你們?cè)谀睦铮???? 出來批評(píng)指正一下不行嗎?一個(gè)人唱獨(dú)角戲很傻B的!  璐璐你在哪里······

0
回復(fù)
發(fā)