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圖騰電路解析

        望長官多多光顧！

        一個(gè)同行說他經(jīng)手的一款電源出現(xiàn)了炸掉圖騰柱電路的不良現(xiàn)象！剛好這次在論壇上跟各位大哥大討論一下這個(gè)問題！先上一張手繪的圖（見笑） 湊合看！

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      以上是一個(gè)簡(jiǎn)易的圖騰柱觸發(fā)電路！當(dāng)然有些高手還用作推挽電路上面！這次先聊聊圖騰柱的觸發(fā)！ 設(shè)：VCC=14V   PWM=14V  （兩者其實(shí)是比較常見的芯片共VCC驅(qū)動(dòng)模式) Q1 和Q2就用比較常規(guī)的S8050那對(duì)管子來做實(shí)驗(yàn)！另設(shè)：若輸出要求12V（PWM）400MA管電流，上升沿：50NS ；接下來就是求解：R1和R2的阻值如何確定？ 相對(duì)應(yīng)的A' B' C'所對(duì)應(yīng)的各處電壓值如何可以計(jì)算（或者估算）出來，也就可以確定你所需要的阻值了?。ㄌ崾荆篠8050系列管子采用C級(jí)放大系數(shù)：&=200-300） 未完待續(xù)?。ㄕ?qǐng)各位高手多多批評(píng)）

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2016-10-05 16:32
　　接著唱大戲：　　修正上述電路：（市場(chǎng)比較多的通用圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路）：

　　上圖根據(jù)已知條件求未知電阻阻值，并給出設(shè)定：ＩＯＵＴ＝200ＭＡ　根據(jù)Ｓ8050的＆＝200-300倍　（按照最小計(jì)算得）ＩＢ等于1ＭＡ即刻正常觸發(fā)ＭＯＳ（Ｃ１）

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2016-10-05 17:15
@越凌科技
　　接著唱大戲：　　修正上述電路：（市場(chǎng)比較多的通用圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路）：[圖片]　　上圖根據(jù)已知條件求未知電阻阻值，并給出設(shè)定：ＩＯＵＴ＝200ＭＡ　根據(jù)Ｓ8050的＆＝200-300倍?。ò凑兆钚∮?jì)算得）ＩＢ等于1ＭＡ即刻正常觸發(fā)ＭＯＳ（Ｃ１）
　　　高手們：請(qǐng)進(jìn)來坐！·······
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suiyi3
LV.5
4
2016-10-05 17:33
搬個(gè)凳子來學(xué)習(xí)~
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2016-10-06 08:34
@suiyi3
搬個(gè)凳子來學(xué)習(xí)~
      可以糾正一下我的解析過程和方向的?。。?！
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2016-10-06 09:21
這是要說明什么？
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2016-10-06 09:43
只想說:這只是個(gè)射級(jí)跟隨器!
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2016-10-13 09:22
@zz052025
這是要說明什么？
     提到的是是主要設(shè)計(jì)輸入 和輸出電阻的R2  R3阻值等等！
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2016-10-13 09:23
@qinzutaim
只想說:這只是個(gè)射級(jí)跟隨器!
     圖中的幾個(gè)電阻阻值如何及孫？？？？？？
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2016-10-13 11:14
@越凌科技
　　接著唱大戲：　　修正上述電路：（市場(chǎng)比較多的通用圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路）：[圖片]　　上圖根據(jù)已知條件求未知電阻阻值，并給出設(shè)定：ＩＯＵＴ＝200ＭＡ　根據(jù)Ｓ8050的＆＝200-300倍?。ò凑兆钚∮?jì)算得）ＩＢ等于1ＭＡ即刻正常觸發(fā)ＭＯＳ（Ｃ１）
      接著唱大戲！　高手請(qǐng)進(jìn)來指導(dǎo)一下?。“萃辛?！
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yaojinc1962
LV.6
11
2016-10-13 11:25
@越凌科技
   提到的是是主要設(shè)計(jì)輸入和輸出電阻的R2 R3阻值等等！
圖騰柱作用是解決驅(qū)動(dòng)能力，即增加“灌”電流和“抽”電流的能力。由于MOS管存在柵極電容，會(huì)延緩方波的上升沿及下降沿，增加損壞；有了圖騰柱可使驅(qū)動(dòng)波形上升沿及下降沿變陡。一般R2取1K，R3取幾十歐以下。
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2016-10-13 11:31
@越凌科技
   圖中的幾個(gè)電阻阻值如何及孫？？？？？？
       個(gè)人名義先按照自己的解釋理一下： 高手多指正批評(píng)??！  R1的阻值是根據(jù)自己設(shè)定的IB 貝塔倍=IC  =IGS   預(yù)設(shè)VB  VC=VGS  從而理論值得出R1    R2作為緩沖和分壓電阻供電并觸發(fā)給MOS的VGS ！但是我計(jì)算的過程中很懵懂！  單上上訴的那個(gè)公式我驗(yàn)證了一下，確實(shí)可以正常的觸發(fā)MOS做ON和OFF動(dòng)作執(zhí)行！ 大家可以各抒己見！
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2016-10-13 15:08
@越凌科技
    個(gè)人名義先按照自己的解釋理一下：高手多指正批評(píng)??！ R1的阻值是根據(jù)自己設(shè)定的IB貝塔倍=IC =IGS 預(yù)設(shè)VB VC=VGS 從而理論值得出R1  R2作為緩沖和分壓電阻供電并觸發(fā)給MOS的VGS！但是我計(jì)算的過程中很懵懂！ 單上上訴的那個(gè)公式我驗(yàn)證了一下，確實(shí)可以正常的觸發(fā)MOS做ON和OFF動(dòng)作執(zhí)行！大家可以各抒己見！
坐等高手解析··········
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2016-10-13 16:45
@越凌科技
坐等高手解析··········
R2取值涉及MOS的參數(shù)，應(yīng)該貼出具體MOS的DATASheet
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2016-10-13 17:23
@心如刀割
R2取值涉及MOS的參數(shù)，應(yīng)該貼出具體MOS的DATASheet
好的！旅長！　馬上帖！　　我先吧自己計(jì)算的步驟和參數(shù)貼出來給你看一下！你多批評(píng)······   稍等
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2016-10-13 17:48
@越凌科技
好的！旅長！　馬上帖！　　我先吧自己計(jì)算的步驟和參數(shù)貼出來給你看一下！你多批評(píng)······ 稍等

     上圖中已經(jīng)說道此次舉例的圖騰柱試用的對(duì)管是S8050和S8550  現(xiàn)在分析預(yù)知條件：芯片的PWM-OUT端口假設(shè)可以輸出芯片供電電壓：VCC=14.5V的幅值脈寬信號(hào)去觸發(fā)圖騰柱的基極（B）從而使VCC的信號(hào)源得到IB*貝塔倍=IC通過上管（S8050）的集電結(jié)流入R2最后觸發(fā)MOS上電VGS從而導(dǎo)通MOS！ 那么IB的大小可以在上電延這個(gè)區(qū)間內(nèi)的兩個(gè)狀態(tài)之和得出：分別為輸入電容（Ciss)被觸發(fā)并開始升壓至VGS)_(th)MOS管打開，此時(shí)Coss輸出電容極性翻轉(zhuǎn)并有一個(gè)觸發(fā)電流旁路流入Coss內(nèi)后飽和！接著Ciss電容幅值繼續(xù)升高，當(dāng)快要與VCC電平幅值持平時(shí)，管子進(jìn)入飽和狀態(tài)，此時(shí)VCC的幅值約等于VGS?。ㄉ仙兀┩瓿芍芷?！那么通過Ciss Coss兩個(gè)結(jié)電容的充放電來估算VGS的上升沿中的兩個(gè)階段所需要的總電流：Iciss=Ciss*10`-12/T上升沿=89MA； 接著再計(jì)算Icoss=Coss*10`-12*Vdc_min/T上升沿=231MA  則預(yù)估算IGS=231+89=320MA（峰值觸發(fā)電流）通過這個(gè)電流快要得出上圖中R2=10歐；R1=1K歐！  （提示：下降沿也是一個(gè)原理）

      旅長：我說的有點(diǎn)混亂！不知道你怎么看？

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2016-10-13 17:52
@越凌科技
   上圖中已經(jīng)說道此次舉例的圖騰柱試用的對(duì)管是S8050和S8550 現(xiàn)在分析預(yù)知條件：芯片的PWM-OUT端口假設(shè)可以輸出芯片供電電壓：VCC=14.5V的幅值脈寬信號(hào)去觸發(fā)圖騰柱的基極（B）從而使VCC的信號(hào)源得到IB*貝塔倍=IC通過上管（S8050）的集電結(jié)流入R2最后觸發(fā)MOS上電VGS從而導(dǎo)通MOS！那么IB的大小可以在上電延這個(gè)區(qū)間內(nèi)的兩個(gè)狀態(tài)之和得出：分別為輸入電容（Ciss)被觸發(fā)并開始升壓至VGS)_(th)MOS管打開，此時(shí)Coss輸出電容極性翻轉(zhuǎn)并有一個(gè)觸發(fā)電流旁路流入Coss內(nèi)后飽和！接著Ciss電容幅值繼續(xù)升高，當(dāng)快要與VCC電平幅值持平時(shí)，管子進(jìn)入飽和狀態(tài)，此時(shí)VCC的幅值約等于VGS！（上升沿）完成周期！那么通過CissCoss兩個(gè)結(jié)電容的充放電來估算VGS的上升沿中的兩個(gè)階段所需要的總電流：Iciss=Ciss*10`-12/T上升沿=89MA；接著再計(jì)算Icoss=Coss*10`-12*Vdc_min/T上升沿=231MA 則預(yù)估算IGS=231+89=320MA（峰值觸發(fā)電流）通過這個(gè)電流快要得出上圖中R2=10歐；R1=1K歐！ （提示：下降沿也是一個(gè)原理）   旅長：我說的有點(diǎn)混亂！不知道你怎么看？
　　　以下是ＴＭＣ-7Ｎ65Ｃ場(chǎng)效應(yīng)管的ＤＡＴＡＳＨＥＥＴ！

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2016-10-13 19:24
@心如刀割
R2取值涉及MOS的參數(shù)，應(yīng)該貼出具體MOS的DATASheet

　　　高手們：你們?cè)谀睦铮?

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2016-10-13 19:58
@越凌科技
   上圖中已經(jīng)說道此次舉例的圖騰柱試用的對(duì)管是S8050和S8550 現(xiàn)在分析預(yù)知條件：芯片的PWM-OUT端口假設(shè)可以輸出芯片供電電壓：VCC=14.5V的幅值脈寬信號(hào)去觸發(fā)圖騰柱的基極（B）從而使VCC的信號(hào)源得到IB*貝塔倍=IC通過上管（S8050）的集電結(jié)流入R2最后觸發(fā)MOS上電VGS從而導(dǎo)通MOS！那么IB的大小可以在上電延這個(gè)區(qū)間內(nèi)的兩個(gè)狀態(tài)之和得出：分別為輸入電容（Ciss)被觸發(fā)并開始升壓至VGS)_(th)MOS管打開，此時(shí)Coss輸出電容極性翻轉(zhuǎn)并有一個(gè)觸發(fā)電流旁路流入Coss內(nèi)后飽和！接著Ciss電容幅值繼續(xù)升高，當(dāng)快要與VCC電平幅值持平時(shí)，管子進(jìn)入飽和狀態(tài)，此時(shí)VCC的幅值約等于VGS?。ㄉ仙兀┩瓿芍芷?！那么通過CissCoss兩個(gè)結(jié)電容的充放電來估算VGS的上升沿中的兩個(gè)階段所需要的總電流：Iciss=Ciss*10`-12/T上升沿=89MA；接著再計(jì)算Icoss=Coss*10`-12*Vdc_min/T上升沿=231MA 則預(yù)估算IGS=231+89=320MA（峰值觸發(fā)電流）通過這個(gè)電流快要得出上圖中R2=10歐；R1=1K歐！ （提示：下降沿也是一個(gè)原理）   旅長：我說的有點(diǎn)混亂！不知道你怎么看？

LZ你太謙虛了，

這個(gè)分幾個(gè)階段的計(jì)算方法你可以驗(yàn)證一下。但實(shí)際當(dāng)中可能沒什么意義。

我想問的是你是為了解決你同行的電源出現(xiàn)了炸掉圖騰柱電路的問題還是單純?yōu)榱擞?jì)算這個(gè)電阻？

如果是為了解決問題，那就有點(diǎn)鉆牛角尖了。因?yàn)閷?shí)際當(dāng)中還有一些寄生參數(shù)，并且這些參數(shù)的影響也是挺大的，如一些寄生電感，電感對(duì)電流的影響那就不用說了，如果沒考慮進(jìn)去那也只是理想值而已。

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2016-10-14 11:18
@心如刀割
LZ你太謙虛了，這個(gè)分幾個(gè)階段的計(jì)算方法你可以驗(yàn)證一下。但實(shí)際當(dāng)中可能沒什么意義。我想問的是你是為了解決你同行的電源出現(xiàn)了炸掉圖騰柱電路的問題還是單純?yōu)榱擞?jì)算這個(gè)電阻？如果是為了解決問題，那就有點(diǎn)鉆牛角尖了。因?yàn)閷?shí)際當(dāng)中還有一些寄生參數(shù)，并且這些參數(shù)的影響也是挺大的，如一些寄生電感，電感對(duì)電流的影響那就不用說了，如果沒考慮進(jìn)去那也只是理想值而已。
       我是想了解清楚！ 同時(shí)看能否幫朋友找到一個(gè)合理的解決方法！ 另外就是我也想驗(yàn)證一下那個(gè)公式是否可以行！順向想群里手學(xué)習(xí)一下圖騰柱哥哥元器件的計(jì)算！
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2016-10-14 17:49
@心如刀割
LZ你太謙虛了，這個(gè)分幾個(gè)階段的計(jì)算方法你可以驗(yàn)證一下。但實(shí)際當(dāng)中可能沒什么意義。我想問的是你是為了解決你同行的電源出現(xiàn)了炸掉圖騰柱電路的問題還是單純?yōu)榱擞?jì)算這個(gè)電阻？如果是為了解決問題，那就有點(diǎn)鉆牛角尖了。因?yàn)閷?shí)際當(dāng)中還有一些寄生參數(shù)，并且這些參數(shù)的影響也是挺大的，如一些寄生電感，電感對(duì)電流的影響那就不用說了，如果沒考慮進(jìn)去那也只是理想值而已。
旅長：  可否解析一下你的公式計(jì)算！或者是估算方法？ 我這個(gè)計(jì)算的模式是驗(yàn)證過的， 上了10N以上 偏差太大，要調(diào)節(jié)R1的值  所以根本無法作為一個(gè)參考的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)！  還希望大俠能上上課?。。?！萬分感謝?。?！
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2016-10-14 19:14
@越凌科技
旅長： 可否解析一下你的公式計(jì)算！或者是估算方法？我這個(gè)計(jì)算的模式是驗(yàn)證過的，上了10N以上偏差太大，要調(diào)節(jié)R1的值 所以根本無法作為一個(gè)參考的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)！ 還希望大俠能上上課?。。?！萬分感謝?。?！[圖片]

我也坐等高手來講課。

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2016-10-16 09:41
@越凌科技
　　　高手們：你們?cè)谀睦铮?/span>
高手們： 你在哪里？ 我的心也承受不來！·······   不行！晚上回去補(bǔ)一補(bǔ)課！看看能否將這個(gè)電路解析一下！ 忘來往過路的大神進(jìn)來批評(píng)一下子！
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2016-10-17 10:33
@yaojinc1962
圖騰柱作用是解決驅(qū)動(dòng)能力，即增加“灌”電流和“抽”電流的能力。由于MOS管存在柵極電容，會(huì)延緩方波的上升沿及下降沿，增加損壞；有了圖騰柱可使驅(qū)動(dòng)波形上升沿及下降沿變陡。一般R2取1K，R3取幾十歐以下。
先賞了~
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2016-10-17 10:34
來幫頂~~~
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2016-10-17 11:02
@電源網(wǎng)-璐璐
來幫頂~~~

      每次見到璐璐的足跡！ 我就樂呵的不要不要的！

      好吧！ 高手不來頂！我自己來瞎說一通！再讓高手看到了過來批評(píng)一下下！

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2016-10-17 12:08
@越凌科技
高手們：你在哪里？我的心也承受不來！·······[圖片][圖片]  不行！晚上回去補(bǔ)一補(bǔ)課！看看能否將這個(gè)電路解析一下！忘來往過路的大神進(jìn)來批評(píng)一下子！[圖片]

是應(yīng)該好好看一下模擬電路了,這電路就是一個(gè)無過零偏置的射極跟隨器.理論上輸出電壓比輸入電壓低一個(gè)二極管壓降,R1的主要作用是限制PWM輸出的電流,可以防止IC負(fù)載過重,只要能滿足后面圖騰的電流要求,它取1K歐和取20歐區(qū)別不大.

MOS的驅(qū)動(dòng)波形由R2,D1及MOS的結(jié)電容決定.

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2016-10-17 13:34
@越凌科技
   每次見到璐璐的足跡！我就樂呵的不要不要的！[圖片][圖片]   好吧！高手不來頂！我自己來瞎說一通！再讓高手看到了過來批評(píng)一下下！[圖片]
討厭的不要不要的~
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2016-10-17 14:39
@電源網(wǎng)-璐璐
[圖片]討厭的不要不要的~
      想你的不要不要的！
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2016-10-17 15:17
@越凌科技
   想你的不要不要的！[圖片][圖片]
      先上個(gè)矩形波！  大戲唱起來！  氣氛搞起來！ COME ON BABY！ 

 

      根據(jù)2樓我上傳的那個(gè)通用圖騰柱電路圖！當(dāng)上圖中PWM（矩形波）進(jìn)入上升沿階段時(shí)，Q1的BE得到一個(gè)近視VCC（15VDC)觸發(fā)幅值電壓?。ㄌ崾荆簩?shí)際上芯片的觸發(fā)I/O口距VCC有一個(gè)壓降0.3-0.7V）在上升沿過沖0.7V以上對(duì)地后，集電結(jié)打開，此時(shí)VGS便會(huì)隨著上升沿的攀升和升高！當(dāng)集電結(jié)升至VCC電壓幅值左右，此時(shí)VC約等于VB  IC趨近于飽和狀態(tài)！VGS約等于：VBE-0.7V MOS外圈打開！當(dāng)進(jìn)入下降沿的時(shí)候PWM端口驟降，在下降沿中到達(dá)低于VGS0.7V時(shí)，下官Q(mào)2同理泄放（如上）！ 下一篇再來聊聊MOS的觸發(fā)電流！和結(jié)電容效應(yīng)！待續(xù)```````

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2016-10-18 09:19
@越凌科技
   先上個(gè)矩形波！ 大戲唱起來！ 氣氛搞起來！COMEONBABY！ [圖片]    根據(jù)2樓我上傳的那個(gè)通用圖騰柱電路圖！當(dāng)上圖中PWM（矩形波）進(jìn)入上升沿階段時(shí)，Q1的BE得到一個(gè)近視VCC（15VDC)觸發(fā)幅值電壓?。ㄌ崾荆簩?shí)際上芯片的觸發(fā)I/O口距VCC有一個(gè)壓降0.3-0.7V）在上升沿過沖0.7V以上對(duì)地后，集電結(jié)打開，此時(shí)VGS便會(huì)隨著上升沿的攀升和升高！當(dāng)集電結(jié)升至VCC電壓幅值左右，此時(shí)VC約等于VB IC趨近于飽和狀態(tài)！VGS約等于：VBE-0.7VMOS外圈打開！當(dāng)進(jìn)入下降沿的時(shí)候PWM端口驟降，在下降沿中到達(dá)低于VGS0.7V時(shí)，下官Q(mào)2同理泄放（如上）！下一篇再來聊聊MOS的觸發(fā)電流！和結(jié)電容效應(yīng)！待續(xù)```````[圖片]
       一大早！先上點(diǎn)昨晚查詢和理解的東西！忘論壇里高手們！能批評(píng)指正！ 下圖是VGS的波形（手畫的，將就看著先）：

      在上升沿的中下部（一般的MOS的V_th=3-10VDC）或者中腰部的位置會(huì)出現(xiàn)一個(gè)階梯口=XF1（泄放點(diǎn)，我暫時(shí)取個(gè)名字先叫著）；同理在下降沿中腰部或者中下部也會(huì)有一個(gè)同樣的泄放口=XF2；但是很明顯為什么XF2相較于XF1的階梯口的寬度（延遲時(shí)間相較于MOS_ON要小很多，個(gè)別一些方案80-100K下降沿會(huì)更加的平滑；在高手說中肯定都是一樣OK的），IC_DATE端口的下降沿中都會(huì)有下拉旁路的（針對(duì)于近幾年的一些原邊的料而言）進(jìn)而會(huì)加速下降沿的響應(yīng)，如果家圖騰那不用說就更加的快捷，并且在下降沿中VGS_Ciss是可以忽略不計(jì)的（紋路阻抗和感抗還是要考慮的喲)！

其實(shí)針兩個(gè)階梯口就很容易的理解出Ciss Coss兩個(gè)結(jié)電容存在的重要性！ 再就是紋路感抗和阻抗，（實(shí)際在MOS的三個(gè)電極間也是有RL存在的，這個(gè)充放電要按經(jīng)驗(yàn)值取舍，至今這個(gè)經(jīng)驗(yàn)值我都在摸索中；見笑了） 至于公式上面已經(jīng)解釋驗(yàn)證了?。ㄌ崾荆涸趯?shí)際的實(shí)驗(yàn)中這個(gè)電流遠(yuǎn)不夠的，因?yàn)楹雎粤思y路和極點(diǎn)的RL和R）基本上我實(shí)驗(yàn)后發(fā)現(xiàn)在40W以內(nèi)這個(gè)參數(shù)是通用的（因?yàn)槟闾嵘碾娏飨禂?shù)都已經(jīng)基本滿足MOS的觸發(fā)電流_峰峰值） 未完待續(xù)！高手高手你們?cè)谀睦铮?？？? 出來批評(píng)指正一下不行嗎？一個(gè)人唱獨(dú)角戲很傻B的！  璐璐你在哪里······

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