以上的波形都是MOS管還沒有加高壓的，想問一下加上高壓和不加高壓的波形相差大不大？

一般是GS電容越大，上升時間越長。加高壓后，密勒平臺可能會更明顯，還有上下橋臂間的干擾。

那么我這個上升時間是否合適呢？最短的也到了180納秒哦。

46K頻率不算髙，200nS左右可以接受。

那就只有6R160C6這個管子和IRFP460LC這兩種可以用，另外兩種電流較大的就有點不理想了。有沒有辦法把這個時間搞短一些呢？

驅(qū)動供電加到15v，C18加大到0.47uf試試。

謝謝版主的指點。C18我是用0.47微法的。我把驅(qū)動變壓器的圈數(shù)減少了一些，電感量由原來的6mH減到2.5mH,略有改善，但不明顯。提高供電電壓可以試試。

把電壓提高到15V，沒得10%到90%上升電壓對應(yīng)的上升時間只是略有縮短，不明顯。但是如果把最高上升電壓標定在8V，這差別就大了。

標定上升電壓10%到90%時的上升時間為268nS，和12V供電時差不多。

標定上升電壓高點為8V時的上升時間192nS，

我看了這幾種MOS管的文檔，柵極電壓都是在8V時就可認為管已經(jīng)飽和了。可不可以這樣理解，同樣是取8V上升電壓，提高驅(qū)動電壓在同樣8V的范圍內(nèi)上升時間就大大縮短了。

飽和電壓取10v以上比較好。

已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫嘍
http://www.15119.cn/bbs/classic/

波形上升斜波主要的因素是變壓器的漏感造成的，而減小漏感的辦法是：

 在磁芯不飽和的情況下，盡可能的減少圈數(shù)， 

采用三明治繞法，

能雙線并繞的盡量雙線或多組并繞，這樣才能使漏感做到最少，（當然如果不需考慮匝間電容的情況下）

這樣的變壓器可以讓你從260ns, 降低至160ns左右