最近用FQPF9N90做的反激電源發(fā)現(xiàn)有燒管的。實(shí)測(cè)MOS關(guān)斷時(shí)dv/dt較高,約10V/nS,文檔上面 peak diode recovery dv/dt 是4V/nS。會(huì)是這個(gè)原因?qū)е聼艿膯幔?
最近用FQPF9N90做的反激電源發(fā)現(xiàn)有燒管的。實(shí)測(cè)MOS關(guān)斷時(shí)dv/dt較高,約10V/nS,文檔上面 peak diode recovery dv/dt 是4V/nS。會(huì)是這個(gè)原因?qū)е聼艿膯幔?