LinkSwitch-XT系列在片上集成了一個(gè)700V的功率MOSFET,還有其他振蕩器、高壓切換的電流源、頻率抖動、熱關(guān)斷電路,既然都是相同的MOSFET,為什么mosfet的限流點(diǎn)設(shè)置的會不一樣,這個(gè)限流點(diǎn)的大小會對不同的型號有什么影響呢?和輸出功率相關(guān)么? 內(nèi)部限流我覺得就是一個(gè)保護(hù)mosfet的保護(hù)而已,難道不同型號的內(nèi)部mosfet的最大電流不一樣?
較高的限流點(diǎn)可提供最大連續(xù)輸出電流,較低的限流點(diǎn)允許使用小尺寸表面貼裝電感