上圖是一個(gè)簡單的方波驅(qū)動信號,驅(qū)動信號添加在Q1的發(fā)射極,通過判斷Q1是工作在放大狀態(tài)。。。。。。。
那Q2的工作狀態(tài)怎么確定呢?通過saber仿真,發(fā)現(xiàn)Q2的管子狀態(tài)與Rload的阻值有關(guān)!請模電大神們幫忙解決一下吧! |
這是一個(gè)射極隨藕器, 主要是用在阻抗匹配用, 你方波幹嘛如此用?
你Rload的變化, 是因?yàn)镼2無法完全進(jìn)入飽和區(qū)當(dāng)然會如此
把Q2先拿掉, 波形於Low時(shí)b2相當(dāng)於接地, 此時(shí)Q1 C對E路徑電流為 (15V-Vset) / (a1+b2) = 14.8/ 1020 = 0.0145A =14.5mA
但路徑Ie = Ic + Ib 而Ib = (3.3-Vbe) / 750 = 0.00346 =3.46mA
所以Ic =14.5mA - 3.46mA = 11.04A, 這是理想值, 因?yàn)楫?dāng)Ie =14.5mA, 則在b2 會有跨壓=10.5V, Q1絕對不可能通
所以讓Q1導(dǎo)通點(diǎn)最大就是 Vbe+Vb2 = 3.3V , Vb2 = 3.3V-0.7V = 2.6V 則Ie 最大能容許電流為 2.6V / 750 =0.0034 = 3.4mA
且 Ie為Ib與Ic的總和
接上Q2, Va2 = Vbe(Q2) 在這條路徑上, Ia2 = 0.7V / 270 = 0.00259= 2.59mA
而Ic(Q1) = Ib2 + Ie(Q2)
所以 如果Ie(Q1)總和為3.4mA , Ic(Q1)總和為2.59mA, 這都是方波為Low時(shí), 那波形上升到1V勒????你Q2不是進(jìn)到線性區(qū)了.....
大師你好,又遇到你了!麻煩問一下,你首先分析Q1的時(shí)候,是假設(shè)Q1工作在飽和區(qū),所以可以得到Ice= (15V-Vset) / (a1+b2) = 14.8/ 1020 = 0.0145A =14.5mA;我想問一下,雖然假設(shè)Q1工作在飽和區(qū),但是為什么Ib = (3.3-Vbe) / 750 = 0.00346 =3.46mA呢,這里不應(yīng)該是Ie嗎?
可以問一下,Q1的工作狀態(tài)怎么判斷呢?模電書上寫道:發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏是放大區(qū),發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏是飽和區(qū)?但是在上面實(shí)際的電路中,假設(shè)Q2不存在,發(fā)射結(jié)肯定正偏,那集電結(jié)怎么確定呢,是根據(jù)Q1在不導(dǎo)通的情況下,Vc=12V,所以集電結(jié)反偏,是這樣判斷嗎?
我看網(wǎng)上的說法不一,第一種是根據(jù)電壓來判斷飽和還是放大;第二種是根據(jù)電流來判斷飽和還是放大。
這種情況怎么去判斷呢?
上圖中如何判斷Q2的工作狀態(tài)呢,既然求出了Q2的Ib,那怎么去判斷Q2在飽和還是放大區(qū)呢,假設(shè)放大倍數(shù)為100。
因?yàn)槟阍赒1_E接了一個(gè)電阻, 當(dāng)電流流過後, 在電阻上會有壓降, 所以即使HFE 很大,但是在B接+3.3V的條件下滿足電晶體能導(dǎo)通一定是
VBE+VB2 = 3.3V 其中VB2只能低不能高, 我們假設(shè)VBE=0.7, 電流造成VB2=3V, 但是總電壓為3.3V而已, 電晶體VBE都不足怎可能還會通?
所以最大條件一定是VB2 = 3.3-0.7 =2.6V, 而2.6V是流過b2 的電阻電流乘積, 所以VB2 =2.6V / 750 =3.46mA
現(xiàn)在問題來了, 假設(shè)你方波高度上升到1V, 所以B極對方波只有2.3V位差, VBE不變, VB2 =1.6V, 所以在 750R上的電流只容許
1.6 / 750 = 2.13mA
假設(shè)方波高度上升到2V, 一樣VBE 不變, VB2=0.6V 750R電流只容許 0.6V / 750=0.8mA
所以輸上跟你說的你沒懂的是B - E 正偏, B為正, E為負(fù) , B - C 為逆偏 B為負(fù), C 為正
上圖為一個(gè)NPN 電晶體接法, 動作為(算電子流是由負(fù)到正, 跟電流相反)
1). E為N通道, 所以多自由電子(圈圈那個(gè)), 當(dāng)B-E施加順向時(shí)E極的自由電子被負(fù)所推斥, 被B極正電所吸引, 當(dāng)VBE超過障壁電壓後, 自由電子將穿過障壁區(qū)到達(dá)B
2). C - B 為逆向, 所以C極所帶正電比B極還正, 因此多數(shù)自由電子越過障壁後被C所吸引, 大量自由電子將穿越障壁到達(dá)C極, 而少數(shù)自由電子由B極流出
這就是為何IE=IB+IC 的原因, 當(dāng)所有自由電子從B極到C極全數(shù)流出, 就叫做飽和
3). 把B - C 極性反過來為正偏, 則所有自由電子被E極與C極所推斥, 全部由B極流出, 所以一下就飽和
所以你那電路E所串接電阻會發(fā)現(xiàn), 當(dāng)輸入源為低位時(shí), 阻抗變低, 高位時(shí)阻抗變高, 這就是射極隨藕器用來做阻抗匹配的原因
所以除非你特殊用途, 不然SWITCH 算那沒意義........
令Q1_Ie為3.4mA(max) Ie = Ic + Ib 其中Ic= β * Ib ; 所以 Ie = (β * Ib) + Ib ; Ie = Ib (β +1)
若電晶體 β = 150 則 Ib = Ie /151 = 3.4mA /151 Ib = 0.022mA
Ic=Ie - Ib =3.4mA-0.022mA =3.378mA -----------------Q1 第一式
Q1_IC =Q2_Ib 其中Ib 由 Q2_Vbe與Ia2 兩個(gè)迴路來, Ia2 = Vbe_Q2 / 270 = 2.59mA
Ib2 = 3.378mA-2.59mA = 0.788mA ---------------------Q2 第一式
Ic_Q2 =Ib2 * β2 令 β2 = 150 Ic_Q2 = 0.788mA * 150 = 118.2mA
Ic 路徑由 Ie 流下來 , 故實(shí)際IC 118.2mA - 0.788mA = 117.4mA ----Q2 第二式
以上都是以信號為Low 時(shí)理想值算的, 其它自己參考......