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請教一下，工程上為什么不用3個(gè)PMOS+3個(gè)NMOS的方式做全橋驅(qū)動而用6個(gè)NMOS做全橋驅(qū)動

請教一下，工程上為什么不用3個(gè)PMOS+3個(gè)NMOS的方式做全橋驅(qū)動而用6個(gè)NMOS做全橋驅(qū)動

大俠請指教

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dog41
LV.6
2
2017-01-04 12:09
路過
0
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guang盧
LV.7
3
2017-01-04 13:39
一個(gè)是驅(qū)動方面，一個(gè)PMOS多貴??！
0
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平平11
LV.1
4
2017-01-04 14:14
@guang盧
一個(gè)是驅(qū)動方面，一個(gè)PMOS多貴??！
那沒其他因素么
0
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2017-01-04 14:44
@平平11
那沒其他因素么

低壓可以, 高壓就麻煩了...

1). P_MOS因?yàn)檠u程關(guān)係, 越高壓則Die Size(晶片尺寸)需要越大, Die Size越大則價(jià)錢越貴, 且目前P-mos 做到400V已經(jīng)不錯(cuò)了, 問題400V夠用麼?

2). P-MOS在關(guān)斷時(shí), G-S極必須低於一個(gè)Vth, 當(dāng)你P-MOS的S接腳接到500V, 那驅(qū)動部份High 必須拉到500V-Vth ,沒這種高壓的驅(qū)動, 再者, 打開時(shí) Low必須高出一個(gè)Vth, 問題時(shí)N-MOS必須關(guān)掉, 因此Low Active 必須是500V-Vth , 但是MOSFET 的VGS最多+/-25V - 30V而以阿...

3). P-MOS的關(guān)斷速度慢, RDSon高, 耐電流不大, 用這種有何意義?  

0
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huangfuu
LV.2
6
2017-01-08 09:07
6個(gè)NMOS做全橋驅(qū)動能做的，為什么想用3個(gè)PMOS+3個(gè)NMOS的方式做全橋，電路也不會簡單高效。
0
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ybl131769
LV.1
7
2017-09-06 16:41
@huangfuu
6個(gè)NMOS做全橋驅(qū)動能做的，為什么想用3個(gè)PMOS+3個(gè)NMOS的方式做全橋，電路也不會簡單高效。

那6個(gè)nmos有三個(gè)需要自舉升壓如何處理啊

0
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2017-09-06 18:12
@ybl131769
那6個(gè)nmos有三個(gè)需要自舉升壓如何處理啊

有三個(gè)驅(qū)動要用自舉電路將驅(qū)動電壓提升到Vin+Vgs(th)電壓...

專用Gate Driver就有這功能, 像IR2110這一類就是.....

0
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