你這不燒才怪.....

當(dāng)電壓輸入時, 電壓只要超過DA給的電壓, MOSFET馬上通, 且電壓越高導(dǎo)通電流越大, 且超過電流時, MOSFET根本無法關(guān)段, 所以不管任何電壓, 只要超過DA點電壓, 都只有MOSFET_RDSon+0.5R的阻抗

假設(shè)你輸入100V, MOS_RDSon=10mR 則電流為100V / 0.5R+10mR  MOSfet怎承受的了?

把DA端連接一顆電阻到 Mosfet_S端, 然後再從DA端, 連接一顆電阻到原來DA控制端, 利用DAV+ V0.5R分配控制你的電流點, 達成定電阻模式..這樣才不會燒管........

這個SOA圖是理想散熱條件下的，實際情況下核心溫度往往會超，有實物圖片嗎？

感謝您的回復(fù)！是這樣，光伏電源是一種特殊的電源，可以把它想象成一種電流源，那么它的短路電流就是所能輸出的最高電流，我的光伏型號短路電流為6A，所以是不會超出SOA區(qū)域的。光伏電源I-V特性曲線圖

確實有這種可能，因為直接將管子作為負載來用，核心溫度有多少就無法知道了。我設(shè)置的停留時間很短，只有20ms，外表的溫度也不高的情況下，就有去無回了。。我找遍了英飛凌的MOSFET和IGBT才找到這種SOA大的，這種都不行的話，是否說明電壓控制性是不行的？

我做光伏逆變系統(tǒng)的怎不知道光伏電池......

那你是要測 Isc 就對了, 但你沒有抓電流信號怎會知道Isc是多少? 你那電路最麻煩一點就是:

常態(tài), 光福特兩端分壓電壓不會高過DA, 所以MOS是不會導(dǎo)通, 當(dāng)你送信號讓光伏短路, 是要從DA送出LOW信號, 可是你並沒有抓取流過MOS電流, 而是任由

光伏Vmp直接灌到Mos兩端, 此時Mos轉(zhuǎn)態(tài)時, 高RDSon 也必須承受Isc, Mos 怎能不掛勒....若是這樣, 那你乾脆把MOS換成Relay, 利用電晶體控制Relay 線圈導(dǎo)通20mS後再放開就好了.........

建議改成恒阻或者恒流模式，并用多個MOS并聯(lián)來降低熱阻。

電路中mos或IGBT要承受短路電流，通常IGBT的電流比MOS大，而一般的IGBT都會有短路數(shù)據(jù)，也就是短路后10us以內(nèi)必須關(guān)斷IGBT，否則就燒了，你這20ms肯定會壞的

明白您的意思了，我的控制思路一開始使DA信號高于反饋信號，然后逐步降低DA電壓，直到接近0，然后快速回到初始值，完成一次掃描，中間每一次降壓的停留時間為20ms，并不是只是當(dāng)做開關(guān)管使用，是要采集一整個過程中的點，不單只有短路電流點

能否詳細說明下

正在嘗試中

實際上，我并未讓IGBT達到短路，用DA控制到5V就馬上關(guān)斷了

你這樣更慘, 表示IGBT不見的是處於完全導(dǎo)通狀態(tài).......

用示波器與串電流表看看是不是像這樣的波形.....

如果真想這樣用, 好歹也加個快速的Driver, OP如果可以這樣推, 那就不叫OP了.....

是的，是這么用的，有沒有好的driver推薦呢？我想著這個區(qū)域內(nèi)采集電流、電壓點，速度又不能太慢，要怎么設(shè)計才行？

用比較器加圖騰柱........

非常感謝您熱心的幫助

我能說這圖本身有問題嗎？

為了不燒管，可以加限流保護進行調(diào)試；

這圖在沒有DA或者DA小于取樣電壓的情況下，只要光伏有電，IGBT都是開通的，由于沒反饋到驅(qū)動級，電阻上的電流限不住……

我分析,

如果運放先供電,在IGBT供電前,其柵極已是最高電壓,只要IGBT一供電,開機就是IGBT短路,燒雞

如果光伏先供電,運放后供電,IGBT柵極上的電壓應(yīng)該是慢慢上升,IGBT電流慢慢上升,炸雞.

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建議用MC33071，MC33072這類OP，可驅(qū)動較大容性負載驅(qū)動管子，具體可參考HP電子負載原理圖，這里還要加上反饋補償，你這用358本身就太慢了，還沒有加任何反饋網(wǎng)絡(luò)