不了解你的意思, 可說具體一點麼?

不是boost,是burst

有芯片的型號？

主要是反饋。

OB2362 ，主要是調(diào)節(jié)哪里

431和光耦部分嗎？具體的方法

喔...原來, 哪一家在誤人子弟.......

是深度的Burst 操作模式,沒聽過Boost 模式.....

之前有發(fā)過帖, Green Model IC 通?？蛰d會有幾個模式

1). 線性降頻, 這是早期崇茂開出第一顆Green Model IC所擁有的專利,後來被Fairchild 把公司給買了....線性降頻的好處是減少MOSFET操作的交換損失

     進而提升空載的效率, 不過那是早期E2000能源之星時代, 要是現(xiàn)在我看Level 3都過不了, 而其缺點是因為頻率降到人耳可聽見的音頻(20Khz以下)

     所以空載常會有噪音

2), Cycle Skip: 是利用回授量以原邊 FeedBack OP of Comp 點偵測, 當Comp因為副邊空載, 使的回授量大, Comp接腳電位降的很低,PWM隨即無輸出

     當副邊因為沒有能量, 電壓慢慢往下掉, Comp 點因為回授量沒那麼大 , 所以電壓略升, 此時PWM送出週期同時副邊能量又使FeedBack變大, Comp電壓 又      降, PWM 又停止輸出, 週而復始, 這時看到的原邊VDS波形, 週期是一段一段且若隱若現(xiàn)..好處是損耗低, 壞處是偶爾會出現(xiàn)噪音.....

3). Burst Model : 是最常用且效率最高的, 他是利用環(huán)路特性, 使出現(xiàn)週期在約200Hz-1Khz 之間斷續(xù)出現(xiàn), 模式有點像Cycle Skip, 出現(xiàn)也是一段一段, 但當迴      路增益高出現(xiàn)週期短且頻率低, 迴路增益低, 則出現(xiàn)週期短但頻率會較高, 不會像Cycle Skip隨回授擺動......

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所以你要進入深度的Burst Model 要把圈比變小, 輔助Vcc降低, 就可以進入深度Buest Model, 不過如果是單模Green Model IC ,重載效率會略減

除非是三模或四模IC.......

空載功耗，一是假負載，二是啟動電阻，還有就是X電容的放電電阻