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有使用真空電子管當開關用的嗎?

做了一個約30kv的直流電源,功率只有100w,現(xiàn)在想簡單測一下它的瞬態(tài)響應。問題是以前的低壓開關電源我都是用mosfet當電阻負載開關的,進行測試的?,F(xiàn)在用mosfet也不太合適,電壓太高了,看老外都是用真空電子管當電阻負載開關的,但是不知道型號,也不知該廠家,有知道的嗎?
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2017-05-09 07:47
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2017-05-09 14:44
@新月GG
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真空管大多拿來做音響, 會有人拿來做負載麼? 哪有那麼閑的老外?
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2017-05-09 17:09
@juntion
真空管大多拿來做音響,會有人拿來做負載麼?哪有那麼閑的老外?

大功率真空電子管,能工作到100MHZ,耐壓可達幾十KV,單只功率可達幾十KW,秒殺一切IGBT,IGBT估計再發(fā)展十年都達不到這種能力。

 

但電子管缺點也很明顯,笨重,可靠性低,效率低。

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oppp
LV.3
5
2017-05-09 21:09
@juntion
真空管大多拿來做音響,會有人拿來做負載麼?哪有那麼閑的老外?

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oppp
LV.3
6
2017-05-09 21:09
@oppp
[圖片]
就這個電子管。
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2017-05-09 23:24
@oppp
[圖片]

這種元件, 如果不是60年代的應該都沒看過, 不要在網上找一張圖就表示會.......

真空管至少會有5Pin, 圓型玻璃封裝, 要加腳座, 除了與電晶體一樣有發(fā)射極, 收集極,  控制極, 另外兩Pin 就是鎢絲, 會發(fā)亮發(fā)熱, 其亮度與氖燈差不多, 所以使用真空管要預熱一段時間才可以工作......

原理是: 將鎢絲置於發(fā)射極底下, 鎢絲施加AC6V使其發(fā)亮發(fā)熱, 發(fā)射及施加負, 收集極施加正, 控制極置中, 它是一片金屬然後很多小孔, 以方便電子穿越....

 當鎢絲加熱到一定程度時, 發(fā)射極金屬電子開始產生熱跑脫, 因為收集極施加正壓,所以電子會往收集極跑, 形成電子流, 此時若在控制極施加負壓, 則會因為推斥而阻擋電子流, 讓電子流截斷, 若施加正電則會讓電子加速往收集極跑直到飽和

真空管的好處是全都是金屬沒有半導體材料, 因此不會發(fā)生雪崩現(xiàn)象, 施加高壓或流過很大電流也燒不死, 因為其本身就操作在高溫, 所以根本就不怕高溫

唯一會壞的是鎢絲久了會燒斷, 燒斷就沒用了......

若是超功率管, 則是怕溫度超過金屬疲乏點, 因此上面玻璃面還會包裝水, 以利玻璃散熱, 這除非特殊用途, 不然還是乖乖用IGBT就好, 因為這元件已經很少幾乎不生產, 買的道也非常非常的貴........

 

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2017-05-10 00:11
@juntion
這種元件,如果不是60年代的應該都沒看過,不要在網上找一張圖就表示會.......真空管至少會有5Pin,圓型玻璃封裝,要加腳座,除了與電晶體一樣有發(fā)射極,收集極, 控制極,另外兩Pin就是鎢絲,會發(fā)亮發(fā)熱,其亮度與氖燈差不多,所以使用真空管要預熱一段時間才可以工作......原理是:將鎢絲置於發(fā)射極底下,鎢絲施加AC6V使其發(fā)亮發(fā)熱,發(fā)射及施加負,收集極施加正,控制極置中,它是一片金屬然後很多小孔,以方便電子穿越.... 當鎢絲加熱到一定程度時,發(fā)射極金屬電子開始產生熱跑脫,因為收集極施加正壓,所以電子會往收集極跑,形成電子流,此時若在控制極施加負壓,則會因為推斥而阻擋電子流,讓電子流截斷,若施加正電則會讓電子加速往收集極跑直到飽和真空管的好處是全都是金屬沒有半導體材料,因此不會發(fā)生雪崩現(xiàn)象,施加高壓或流過很大電流也燒不死,因為其本身就操作在高溫,所以根本就不怕高溫唯一會壞的是鎢絲久了會燒斷,燒斷就沒用了......若是超功率管,則是怕溫度超過金屬疲乏點,因此上面玻璃面還會包裝水,以利玻璃散熱,這除非特殊用途,不然還是乖乖用IGBT就好,因為這元件已經很少幾乎不生產,買的道也非常非常的貴........ 

目前,在高壓高頻大功率應用方面,電子管仍無替代的半導體產品。

 

在上MHz高壓高頻大功率領域,電子管仍是無可替代的唯一選擇。

 

在幾KKW的大功率方面,是可控硅的天下。

 

只有在幾百KW以內的功率內,才是IGBT的應用范圍。

 

在幾百W范圍內,是MOSFET的領域!

 

最頂級的功率應用,是電子管,這是目前半導體無法達到的高度,高達30KV的耐壓能力,這時即使1A的工作電流,就意味著能輸出近30KW功率,單這一點就把半導體甩幾條街,另外就是它能達上百MHZ的高頻能力。這兩方面,就夠半導體追趕幾十年的!

再次是可控硅,中小功率方面,可控硅已被IGBT替代,但幾KKW的大功率方面,IGBT性能仍不及可控硅。

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oppp
LV.3
9
2017-05-10 22:24
@juntion
這種元件,如果不是60年代的應該都沒看過,不要在網上找一張圖就表示會.......真空管至少會有5Pin,圓型玻璃封裝,要加腳座,除了與電晶體一樣有發(fā)射極,收集極, 控制極,另外兩Pin就是鎢絲,會發(fā)亮發(fā)熱,其亮度與氖燈差不多,所以使用真空管要預熱一段時間才可以工作......原理是:將鎢絲置於發(fā)射極底下,鎢絲施加AC6V使其發(fā)亮發(fā)熱,發(fā)射及施加負,收集極施加正,控制極置中,它是一片金屬然後很多小孔,以方便電子穿越.... 當鎢絲加熱到一定程度時,發(fā)射極金屬電子開始產生熱跑脫,因為收集極施加正壓,所以電子會往收集極跑,形成電子流,此時若在控制極施加負壓,則會因為推斥而阻擋電子流,讓電子流截斷,若施加正電則會讓電子加速往收集極跑直到飽和真空管的好處是全都是金屬沒有半導體材料,因此不會發(fā)生雪崩現(xiàn)象,施加高壓或流過很大電流也燒不死,因為其本身就操作在高溫,所以根本就不怕高溫唯一會壞的是鎢絲久了會燒斷,燒斷就沒用了......若是超功率管,則是怕溫度超過金屬疲乏點,因此上面玻璃面還會包裝水,以利玻璃散熱,這除非特殊用途,不然還是乖乖用IGBT就好,因為這元件已經很少幾乎不生產,買的道也非常非常的貴........ 
今天找到一個廠家生產這種電子管,耐壓40kv,但是這種元件買回來后再試驗怎么用,因為我根本就不懂。供電和控制還比較復雜。
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