有沒有高手過來(lái)指點(diǎn)一點(diǎn)！

是做吸收用的。

你好，能不能說(shuō)得詳細(xì)一點(diǎn)，我不加好像也沒什么問題！

測(cè)試出現(xiàn)上圖波形，不理解死區(qū)S2管電壓波形怎么是這樣的，向大家求助。

CH1：S2管驅(qū)動(dòng)  CH2：S2管電壓應(yīng)力  CH3：S1管驅(qū)動(dòng)  CH4：副邊繞組電壓（同名端為正）

就相當(dāng)于MOS的DS并上RC，用于吸收開關(guān)尖峰，你可以試加與不加時(shí)的VDS電壓波形，看尖峰

有沒有高手幫忙解答一下！

你指的是哪里不正常？是VDS尖峰？

把示波器時(shí)間拉開一點(diǎn)看看。

CH1通道是S2管的驅(qū)動(dòng)電壓，CH2通道是S2管的Vds電壓應(yīng)力，我覺得不正常的是S2的驅(qū)動(dòng)關(guān)斷了，為什么它的電壓應(yīng)力還保持在0V，它不應(yīng)該在驅(qū)動(dòng)關(guān)斷的時(shí)候上升為2Vin嗎？麻煩指點(diǎn)一下

看波形不是上升了嗎？周期顯示太小了，所以叫你把時(shí)間軸放大點(diǎn)來(lái)看看。 死區(qū)時(shí)應(yīng)力大概應(yīng)為Vin，VDS尖峰高是漏感引起。

我再上傳一個(gè)新的測(cè)試圖片，CH1：S1的Vds  CH2：S2驅(qū)動(dòng)Vge  CH3：S1驅(qū)動(dòng)Vge  CH4：S2的Vds

版主你可能搞錯(cuò)了，我的拓?fù)鋱D在最上面，我的推挽是一個(gè)開環(huán)的電路，輸出是沒有電感的，副邊繞組也是沒有中心抽頭的。那么它在死區(qū)的Vds應(yīng)力自然不是Vin，所以我的問題是驅(qū)動(dòng)Vge關(guān)斷了，它的應(yīng)力Vds不是變?yōu)?Vin,而是緩慢上升（在死區(qū)時(shí)間那一段）。

死區(qū)時(shí)間內(nèi)的波形是漏感和MOS管寄生電容諧振的波形。

初級(jí)兩線圈如果采用雙線并繞耦合比較好的話可以不加RC吸收電路，上述波形既是未加RC吸收電路。

變壓器初級(jí)兩線圈是使用雙線并繞的繞線方式，測(cè)試漏感值為3uH，MOS管兩端是加有RC吸收電路的。我使用理想變壓器模型分析發(fā)現(xiàn)是沒有辦法出現(xiàn)上述波形，所以可能是你說(shuō)的是變壓器漏感引起了上述波形，但是你能不能仔細(xì)分析一下這個(gè)過程。另外再附上減小占空比的測(cè)試波形以供分析。

CH1：S1的Vds  CH2：S2的Vge  CH3:S2的Vds  CH4：S1的Vge

理想變壓器的電感量是無(wú)窮大的，仿真時(shí)要在理想變壓器旁并聯(lián)一個(gè)電感（勵(lì)磁電感）來(lái)接近真實(shí)變壓器。死區(qū)內(nèi)的波形諧振頻率比較低經(jīng)分析應(yīng)當(dāng)是勵(lì)磁電感和MOS管的寄生電容發(fā)生了諧振。

我用的參數(shù)，開關(guān)頻率50Khz，勵(lì)磁電感10mH，寄生電容300pF，你可以試一下。

吸收電路