容易燒MOS管,是什么原因?
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這誰(shuí)給你的電路, 想害死你麼? 還是自己設(shè)計(jì)的?.....
MOSFET為何會(huì)死? 先看電路, 假設(shè)MOS都不導(dǎo)通, 那麼LED+對(duì)LED-剛好是等於輸入電壓
假設(shè)MOSFET任何一顆導(dǎo)通, 那LED+對(duì)LED-等於發(fā)光LED的VF, 所以假設(shè)你輸入(從輸入電容耐壓研判)可能高於30V以上, 那麼當(dāng)你用Low關(guān)掉MOSFET時(shí)
你的VG為零, 但是VS還保持在Vi-VLed, 所以G-S成負(fù)電壓......
假設(shè)電路動(dòng)作後, 開啟MOSFET(移除Low Active) 則在主SW切換剛好Low 週期, 則你的VGS會(huì)剛好等於Vin..
所以你量一下MOSFET的VGS看一下就知道為何老是燒MOSFET......
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@juntion
這誰(shuí)給你的電路,想害死你麼?還是自己設(shè)計(jì)的?.....MOSFET為何會(huì)死?先看電路,假設(shè)MOS都不導(dǎo)通,那麼LED+對(duì)LED-剛好是等於輸入電壓假設(shè)MOSFET任何一顆導(dǎo)通,那LED+對(duì)LED-等於發(fā)光LED的VF,所以假設(shè)你輸入(從輸入電容耐壓研判)可能高於30V以上,那麼當(dāng)你用Low關(guān)掉MOSFET時(shí)你的VG為零,但是VS還保持在Vi-VLed,所以G-S成負(fù)電壓......假設(shè)電路動(dòng)作後,開啟MOSFET(移除LowActive)則在主SW切換剛好Low週期,則你的VGS會(huì)剛好等於Vin..所以你量一下MOSFET的VGS看一下就知道為何老是燒MOSFET......
方案公司給的,哥,那這個(gè)圖紙還要怎么修改呀?現(xiàn)在都急死了。
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http://www.15119.cn/bbs/classic/
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