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容易燒MOS管,是什么原因?

193O0N[(R)F4MW6(JL3SG`I

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jianyedin
LV.9
2
2017-08-05 20:05
有測(cè)驅(qū)動(dòng)波形么
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同予
LV.3
3
2017-08-06 00:19
MOS管D極上面接一個(gè)電阻?覺得一個(gè)發(fā)光二極管的壓降是不是不太夠?
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2017-08-06 00:28

這誰(shuí)給你的電路, 想害死你麼? 還是自己設(shè)計(jì)的?.....

MOSFET為何會(huì)死? 先看電路, 假設(shè)MOS都不導(dǎo)通, 那麼LED+對(duì)LED-剛好是等於輸入電壓

假設(shè)MOSFET任何一顆導(dǎo)通, 那LED+對(duì)LED-等於發(fā)光LED的VF, 所以假設(shè)你輸入(從輸入電容耐壓研判)可能高於30V以上, 那麼當(dāng)你用Low關(guān)掉MOSFET時(shí)

你的VG為零, 但是VS還保持在Vi-VLed, 所以G-S成負(fù)電壓......

假設(shè)電路動(dòng)作後, 開啟MOSFET(移除Low Active) 則在主SW切換剛好Low 週期, 則你的VGS會(huì)剛好等於Vin..

所以你量一下MOSFET的VGS看一下就知道為何老是燒MOSFET......

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854853273
LV.2
5
2017-08-07 08:43
@juntion
這誰(shuí)給你的電路,想害死你麼?還是自己設(shè)計(jì)的?.....MOSFET為何會(huì)死?先看電路,假設(shè)MOS都不導(dǎo)通,那麼LED+對(duì)LED-剛好是等於輸入電壓假設(shè)MOSFET任何一顆導(dǎo)通,那LED+對(duì)LED-等於發(fā)光LED的VF,所以假設(shè)你輸入(從輸入電容耐壓研判)可能高於30V以上,那麼當(dāng)你用Low關(guān)掉MOSFET時(shí)你的VG為零,但是VS還保持在Vi-VLed,所以G-S成負(fù)電壓......假設(shè)電路動(dòng)作後,開啟MOSFET(移除LowActive)則在主SW切換剛好Low週期,則你的VGS會(huì)剛好等於Vin..所以你量一下MOSFET的VGS看一下就知道為何老是燒MOSFET......
方案公司給的,哥,那這個(gè)圖紙還要怎么修改呀?現(xiàn)在都急死了。
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854853273
LV.2
6
2017-08-07 08:45
@同予
MOS管D極上面接一個(gè)電阻?覺得一個(gè)發(fā)光二極管的壓降是不是不太夠?
LED工作電壓在9伏左右,3串4并的,我圖只是畫了一個(gè)LED燈
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854853273
LV.2
7
2017-08-07 08:46
@jianyedin
有測(cè)驅(qū)動(dòng)波形么
還沒(méi)有
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2017-08-07 17:53
@854853273
方案公司給的,哥,那這個(gè)圖紙還要怎么修改呀?現(xiàn)在都急死了。

這種結(jié)構(gòu), 無(wú)法關(guān)閉MOSFET....只要MOSFET關(guān)閉再打開, 一定掛, 尤其是兩顆MOSFET同時(shí)開路時(shí)..

所以很難改.....

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2017-08-10 11:14
已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫(kù)嘍
http://www.15119.cn/bbs/classic/
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jingxi
LV.2
10
2017-08-10 16:16
一般過(guò)壓容易燒MOS
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paxade
LV.1
11
2017-08-12 13:25
這樣接搞不好連控制端都會(huì)燒!可以改成用p管接在d3與led之間,
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