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請(qǐng)教做HID安定器大俠們一個(gè)問(wèn)題(有圖)

就展日安定器電路原理高壓充電回路有兩種接法既:1.高壓繞組與低壓繞組接在一起 2.高壓繞組與低壓繞組分開(kāi)
請(qǐng)教兩種接法的區(qū)別與特點(diǎn),多謝朋友們指教
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lxphid
LV.1
2
2007-04-27 09:38
兄弟,留個(gè)聯(lián)系方式
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2007-05-08 16:49
1.高壓繞組與低壓繞組接在一起 2.高壓繞組與低壓繞組分開(kāi)

接法1的點(diǎn)燈必須在全橋開(kāi)通的情況下才開(kāi)始工作,,,接法2則不依賴于全橋電路的工作狀態(tài)...
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LV.1
4
2007-05-09 09:00
嗯,不錯(cuò);是個(gè)肯專研的人,答案在4樓已經(jīng)有回復(fù)了
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LV.1
5
2007-05-09 09:07
@藏經(jīng)閣
1.高壓繞組與低壓繞組接在一起2.高壓繞組與低壓繞組分開(kāi)接法1的點(diǎn)燈必須在全橋開(kāi)通的情況下才開(kāi)始工作,,,接法2則不依賴于全橋電路的工作狀態(tài)...
回答是正確的,第二種接法對(duì)MOS保護(hù)有好處,不容易出現(xiàn)燒毀橋管、燒毀橋區(qū)芯片等問(wèn)題;

當(dāng)然,殘余吸收也很重要,否則照樣燒.
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szqbq
LV.2
6
2007-05-09 09:35
@
嗯,不錯(cuò);是個(gè)肯專研的人,答案在4樓已經(jīng)有回復(fù)了
**此帖已被管理員刪除**
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2007-05-09 10:14
@szqbq
**此帖已被管理員刪除**
因?yàn)槿珮蛴袝r(shí)沒(méi)有開(kāi)通去點(diǎn)燈,,,兩個(gè)中點(diǎn)懸浮是一個(gè)很不穩(wěn)定的狀態(tài),,,在這種狀態(tài)下,,,什么事情都有可能發(fā)生,,,
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LV.1
8
2007-05-09 12:39
@藏經(jīng)閣
因?yàn)槿珮蛴袝r(shí)沒(méi)有開(kāi)通去點(diǎn)燈,,,兩個(gè)中點(diǎn)懸浮是一個(gè)很不穩(wěn)定的狀態(tài),,,在這種狀態(tài)下,,,什么事情都有可能發(fā)生,,,
這個(gè)說(shuō)法不能成立吧???以本人的理解和看法不是這樣,當(dāng)然,第二種接法從電壓的回路上講是要好很多,而第一種接法的電壓回路是必須經(jīng)過(guò)MOS管,太多的分析大家多考慮考慮就知道的;

不管用哪種接法,漏感產(chǎn)生的尖峰都是存在的,所以吸收很重要,最好測(cè)試一下,合理地加大吸收電容或電感,達(dá)到匹配,但又要考慮主供電回路的損耗,否則永遠(yuǎn)只能在門邊轉(zhuǎn),以上見(jiàn)解只是個(gè)人之見(jiàn),諒之.
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2007-05-09 15:29
@
這個(gè)說(shuō)法不能成立吧???以本人的理解和看法不是這樣,當(dāng)然,第二種接法從電壓的回路上講是要好很多,而第一種接法的電壓回路是必須經(jīng)過(guò)MOS管,太多的分析大家多考慮考慮就知道的;不管用哪種接法,漏感產(chǎn)生的尖峰都是存在的,所以吸收很重要,最好測(cè)試一下,合理地加大吸收電容或電感,達(dá)到匹配,但又要考慮主供電回路的損耗,否則永遠(yuǎn)只能在門邊轉(zhuǎn),以上見(jiàn)解只是個(gè)人之見(jiàn),諒之.
不妨說(shuō)說(shuō)你的看法..我的觀點(diǎn)好像恰恰跟你相反哦!!
它的兩個(gè)橋臂中間接了個(gè)TVS,,,吸收電容,,連電感都加上了,,,不知到上面那個(gè)MOS損壞的情形是怎樣的?炸開(kāi)了,,還是結(jié)擊穿了...
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LV.1
10
2007-05-10 10:37
@藏經(jīng)閣
不妨說(shuō)說(shuō)你的看法..我的觀點(diǎn)好像恰恰跟你相反哦!!它的兩個(gè)橋臂中間接了個(gè)TVS,,,吸收電容,,連電感都加上了,,,不知到上面那個(gè)MOS損壞的情形是怎樣的?炸開(kāi)了,,還是結(jié)擊穿了...
加再多的東西都沒(méi)用的,呵呵;為啥?多想想嘛;我還是喜歡多從器件的一些參數(shù)下手.
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