本人從事電源研發(fā)不久,所做的內(nèi)容比較細(xì)致,以前在學(xué)校時(shí)從未設(shè)計(jì)這方面的內(nèi)容.現(xiàn)在從事開關(guān)電源設(shè)計(jì)主要目的就是為了提高效率,所以才從這兩個(gè)關(guān)鍵器件的損耗入手進(jìn)行分析計(jì)算,但是做了一定的分析計(jì)算之后才發(fā)現(xiàn)有好多細(xì)節(jié)并不是想象的那么簡(jiǎn)單.
Q1.MOS損耗主要分為開通損耗、通態(tài)損耗和關(guān)斷損耗,其中開通損耗又分為Coss(等效電容放電所引起的損耗)和電壓電流交疊所引起的損耗.
在我計(jì)算損耗時(shí),電壓電流交疊波形的建模是一個(gè)難點(diǎn),希望和大家共同分析一下有沒有好的solution可以準(zhǔn)確的建模?
歡迎大家積極參與討論!
959801177493502.pdf 959801177493592.pdf
如何計(jì)算功率MOSFET和功率DIODE的損耗
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@胡莊主
開通和關(guān)斷的損耗都比較麻煩,受許多因素影響,實(shí)際中只能靠估算,然后再來驗(yàn)證,但誤差比較大.另外一個(gè),實(shí)際中的測(cè)試也是個(gè)大問題,探頭總有延遲和誤差,這就造成測(cè)試的結(jié)果比較糟糕.
你所說的很正確,由于它們受多種因素的影響,我們無法非常準(zhǔn)確的計(jì)算出其真正的損耗值,但是如果我們能夠把計(jì)算值與實(shí)際值之間的差距做的更小,這樣就會(huì)更好的指導(dǎo)我們進(jìn)行電路設(shè)計(jì)以及優(yōu)化!
如你所說“探頭總有延遲和誤差”,但是我們可以通過同步測(cè)量探頭測(cè)出波形來進(jìn)行建模,也許所得到的結(jié)果會(huì)讓大家更能確信!
如你所說“探頭總有延遲和誤差”,但是我們可以通過同步測(cè)量探頭測(cè)出波形來進(jìn)行建模,也許所得到的結(jié)果會(huì)讓大家更能確信!
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@albert_wang
關(guān)注中,期待高手更深入的分析.
在開關(guān)電源前級(jí)PFC電路中,對(duì)于普通的升壓Boost電路,為了提高效率降低成本,boost電感材料是選擇鐵氧體還是選擇磁粉芯(鐵硅鋁)?
大多數(shù)認(rèn)為用鐵氧體會(huì)更好一些,因?yàn)殍F氧體的Permeability線型度更好,這樣磁心的利用率會(huì)更好;缺點(diǎn)是對(duì)影響EMI較大.
由于PFC電路本身的特性決定了BOOST電感值在一個(gè)工頻周期內(nèi)隨輸入電壓的有效值在變化,雖然如此,但是我個(gè)人一直沒有搞清楚到底是磁心那部分的損耗降低了?才使得鐵氧體磁心的損耗會(huì)小一些!
那位大師可幫忙關(guān)注一下.
大多數(shù)認(rèn)為用鐵氧體會(huì)更好一些,因?yàn)殍F氧體的Permeability線型度更好,這樣磁心的利用率會(huì)更好;缺點(diǎn)是對(duì)影響EMI較大.
由于PFC電路本身的特性決定了BOOST電感值在一個(gè)工頻周期內(nèi)隨輸入電壓的有效值在變化,雖然如此,但是我個(gè)人一直沒有搞清楚到底是磁心那部分的損耗降低了?才使得鐵氧體磁心的損耗會(huì)小一些!
那位大師可幫忙關(guān)注一下.
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@aileen888
在開關(guān)電源前級(jí)PFC電路中,對(duì)于普通的升壓Boost電路,為了提高效率降低成本,boost電感材料是選擇鐵氧體還是選擇磁粉芯(鐵硅鋁)? 大多數(shù)認(rèn)為用鐵氧體會(huì)更好一些,因?yàn)殍F氧體的Permeability線型度更好,這樣磁心的利用率會(huì)更好;缺點(diǎn)是對(duì)影響EMI較大. 由于PFC電路本身的特性決定了BOOST電感值在一個(gè)工頻周期內(nèi)隨輸入電壓的有效值在變化,雖然如此,但是我個(gè)人一直沒有搞清楚到底是磁心那部分的損耗降低了?才使得鐵氧體磁心的損耗會(huì)小一些! 那位大師可幫忙關(guān)注一下.
樓主可以參考一下美國人Ron Lenk寫的一本叫《實(shí)用開關(guān)電源設(shè)計(jì)技術(shù)》,里面有這方面的估算
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