看了一會(huì)兒,發(fā)現(xiàn)交換時(shí)刻有問(wèn)題!

呵呵,
不知琢磨這東東有沒(méi)意義???

不搞同步的話,還是用二極管來(lái)整流好了!呵呵!

還不如把GS短接來(lái)得省事.

看看這兩個(gè)圖有無(wú)問(wèn)題?
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/23/1101597640.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

你的mosfet不會(huì)導(dǎo)通

哪一個(gè)?是左圖還是右圖,還是兩個(gè)都不不導(dǎo)通?

右邊的好象可以啊,左邊的好象看不懂,誰(shuí)解釋一下

C1和D1組成自舉升壓,為MOS提供驅(qū)動(dòng)電源,不知行不?

從原理圖上看,首先由于mos管gs耐壓限制,該結(jié)構(gòu)所能承受的反壓有限,否則開(kāi)通時(shí)電容上的電壓會(huì)損壞器件;mos開(kāi)通驅(qū)動(dòng)原理上屬于電荷保持型驅(qū)動(dòng)方式,原理上從反向截至過(guò)渡到正向開(kāi)通很容易,但從正向開(kāi)通到反向關(guān)斷就不那么容易了,反向短路電流很大.

感謝zpower

1、Ns電壓上負(fù)下正時(shí),對(duì)應(yīng)初級(jí)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通狀態(tài),整流場(chǎng)管Vds所承受的電壓是Uout + Uin/n,C1電壓是該值扣除D1的正向?qū)妷?只要選擇合適的MOS,DS耐壓應(yīng)該沒(méi)問(wèn)題;

2、有的場(chǎng)管GS有兩個(gè)穩(wěn)壓管串聯(lián)保護(hù),如果沒(méi)有或內(nèi)部穩(wěn)壓管功耗不夠,可以在外面補(bǔ)加兩個(gè)10V管串聯(lián)在GS極之間,這樣是不是可以解決您說(shuō)的耐壓限制問(wèn)題?

3、“…從正向開(kāi)通到反向關(guān)斷就不那么容易了,反向短路電流很大.”這句我不太理解,能否再進(jìn)一步解釋一下?您的意思是不是說(shuō)DS導(dǎo)通與截止的狀態(tài),會(huì)影響G極電容的充放電或Vgs的關(guān)斷電壓?

我覺(jué)得你的這兩個(gè)圖應(yīng)該都可以工作,但最好是用在反激電流非連續(xù)方式和低頻率如5到6K,且低壓輸出要不然效率和驅(qū)動(dòng)就都成問(wèn)題了.

如您第一貼所示,反向時(shí)KA間需足夠高的電壓才能使三極管開(kāi)通,而此時(shí)mos管柵極還處于電荷保持開(kāi)通狀態(tài),而通常mos的RDS電阻很小,因此反向截至需要足夠大的短路電流;
如您第5貼所示應(yīng)用于反激的同步整流,左圖原理上是可以的,但實(shí)用上由于三極管BE結(jié)耐反壓能力一般只有5V,容易出現(xiàn)損壞;右圖采用自驅(qū),當(dāng)反激變換器工作于完全能量傳遞時(shí),同步整流管驅(qū)動(dòng)不能維持,可能會(huì)出現(xiàn)振蕩.

受教,十分感謝

不好意思,第一貼的圖是錯(cuò)的,MOS開(kāi)通以后就再也不能關(guān)斷了,除非能識(shí)別m歐姆電阻上的小電流方向,我還真想了,用IVC變壓器或是Hall什么的,只是過(guò)于復(fù)雜就沒(méi)意思了.

您說(shuō)的對(duì),三極管EB結(jié)耐壓是個(gè)問(wèn)題.我查了一下三極管手冊(cè),VEB0都在4-7V間,最高8V,還有2V的管子.在三極管的EB結(jié)上并個(gè)二極管,如何?

您說(shuō)的“完全能量傳遞狀態(tài)”是不就是DCM,變壓器磁能釋放完以后,Ns輸出電流降到0A以后發(fā)生振蕩的情況?這是我沒(méi)考慮到的,容我再琢磨琢磨,感謝!

再次感謝st.you
您說(shuō)的是不是與zpower大俠正好相反?
還有,為什么低頻使用比較好?