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死區(qū)時(shí)間的設(shè)置問(wèn)題?請(qǐng)指教

在橋式逆變電路中,同一個(gè)橋臂的2個(gè)IGBT的死區(qū)時(shí)間設(shè)置為多長(zhǎng)才適合呢?
在用“單片機(jī)產(chǎn)生spwm波在ups電源中的應(yīng)用”一文中,設(shè)置死區(qū)時(shí)間為5us.
請(qǐng)問(wèn),死區(qū)時(shí)間有沒(méi)有最少的設(shè)定值呢?
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philipdu
LV.3
2
2007-05-17 08:34
有沒(méi)有那位大蝦知道呢.
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mknj
LV.7
3
2007-05-17 08:40
我們現(xiàn)在做的死區(qū)時(shí)間設(shè)為1US
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philipdu
LV.3
4
2007-05-17 09:04
@mknj
我們現(xiàn)在做的死區(qū)時(shí)間設(shè)為1US
你好,你設(shè)定的1us的死區(qū),使用起來(lái)有沒(méi)有問(wèn)題呢.
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mknj
LV.7
5
2007-05-18 09:51
@philipdu
你好,你設(shè)定的1us的死區(qū),使用起來(lái)有沒(méi)有問(wèn)題呢.
我公司現(xiàn)在用的芯片能正常工作,以前作的用單片機(jī)做的SPWM時(shí)死區(qū)時(shí)間為5US
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