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反激式電源 MOS最高開關(guān)頻率

由于反激式開關(guān)電源在MOS開通時(shí),變壓器是作為電感使用,MOS關(guān)斷時(shí),是工作在變壓器狀態(tài)下.基于此,決定MOS開關(guān)頻率不宜過高,防止電源效率降低,損耗增大
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孤燈下
LV.7
2
2007-06-13 15:55
這是說什么啊?
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mike_qiao
LV.2
3
2007-06-14 09:02
@孤燈下
這是說什么啊?
討論單端反激式電源開關(guān)頻率
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孤燈下
LV.7
4
2007-06-14 11:34
@mike_qiao
討論單端反激式電源開關(guān)頻率
我的意思是說你在亂講!
我有下列疑問:
1,關(guān)于變壓器:MOS關(guān)斷時(shí),是工作在變壓器狀態(tài)下.這是什么意思啊?
2,按你上面的推斷,是因?yàn)轭l率高了變壓器的損耗會(huì)增大、效率會(huì)降低,才不把MOS開關(guān)頻率定太高的.是這樣的嗎?
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mike_qiao
LV.2
5
2007-06-14 15:32
@孤燈下
我的意思是說你在亂講!我有下列疑問:1,關(guān)于變壓器:MOS關(guān)斷時(shí),是工作在變壓器狀態(tài)下.這是什么意思啊?2,按你上面的推斷,是因?yàn)轭l率高了變壓器的損耗會(huì)增大、效率會(huì)降低,才不把MOS開關(guān)頻率定太高的.是這樣的嗎?
如果您知道的話,可以指出?讓不清楚得人提高一下
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孤燈下
LV.7
6
2007-06-14 18:46
@mike_qiao
如果您知道的話,可以指出?讓不清楚得人提高一下
關(guān)于反激變壓器說明如下:
1,變壓器不存儲(chǔ)能量.
2,反激變壓器,首先存儲(chǔ)能量(用主繞組電感)——電能轉(zhuǎn)化為磁能;再釋放能量(通過輸出繞組釋放)——磁能轉(zhuǎn)化為電能傳輸出去.
3,轉(zhuǎn)換時(shí)滿足安培定律:Np*Ip=Ns*Is.
關(guān)于MOSFET說明如下:
1,影響MOSFET損耗大小的本身因素,主要由Rds(on)和開關(guān)特性.
2,開關(guān)頻率升高后,開關(guān)特性對(duì)損耗的影響越來越顯著.

最高開關(guān)頻率的確定,是變壓器鐵損和銅損,MOSFET開關(guān)損耗和Rds(on)損耗,經(jīng)過不斷優(yōu)化的結(jié)果(效率和EMI特性的實(shí)現(xiàn)成本達(dá)到平衡).如果不采用特殊的鐵芯(比PC47更好)和特殊的MOS(CoolMOS),反激式開關(guān)電源的最高開關(guān)頻率應(yīng)該不會(huì)超過100KHz.

說得不好,請(qǐng)各抒己見!
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lcf2008
LV.4
7
2009-08-14 09:51
@孤燈下
關(guān)于反激變壓器說明如下:1,變壓器不存儲(chǔ)能量.2,反激變壓器,首先存儲(chǔ)能量(用主繞組電感)——電能轉(zhuǎn)化為磁能;再釋放能量(通過輸出繞組釋放)——磁能轉(zhuǎn)化為電能傳輸出去.3,轉(zhuǎn)換時(shí)滿足安培定律:Np*Ip=Ns*Is.關(guān)于MOSFET說明如下:1,影響MOSFET損耗大小的本身因素,主要由Rds(on)和開關(guān)特性.2,開關(guān)頻率升高后,開關(guān)特性對(duì)損耗的影響越來越顯著.最高開關(guān)頻率的確定,是變壓器鐵損和銅損,MOSFET開關(guān)損耗和Rds(on)損耗,經(jīng)過不斷優(yōu)化的結(jié)果(效率和EMI特性的實(shí)現(xiàn)成本達(dá)到平衡).如果不采用特殊的鐵芯(比PC47更好)和特殊的MOS(CoolMOS),反激式開關(guān)電源的最高開關(guān)頻率應(yīng)該不會(huì)超過100KHz.說得不好,請(qǐng)各抒己見!
反激電源開關(guān)頻率一般不大于100KHz?不會(huì)吧,象用TOP247YN芯片做到132K是很平常的事情,也沒有見到變壓器需要特殊的材料的呀.
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2009-08-14 10:21
@lcf2008
反激電源開關(guān)頻率一般不大于100KHz?不會(huì)吧,象用TOP247YN芯片做到132K是很平常的事情,也沒有見到變壓器需要特殊的材料的呀.
就是嘛 TOP起碼都是100KHZ
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2009-08-14 12:52
@孤燈下
關(guān)于反激變壓器說明如下:1,變壓器不存儲(chǔ)能量.2,反激變壓器,首先存儲(chǔ)能量(用主繞組電感)——電能轉(zhuǎn)化為磁能;再釋放能量(通過輸出繞組釋放)——磁能轉(zhuǎn)化為電能傳輸出去.3,轉(zhuǎn)換時(shí)滿足安培定律:Np*Ip=Ns*Is.關(guān)于MOSFET說明如下:1,影響MOSFET損耗大小的本身因素,主要由Rds(on)和開關(guān)特性.2,開關(guān)頻率升高后,開關(guān)特性對(duì)損耗的影響越來越顯著.最高開關(guān)頻率的確定,是變壓器鐵損和銅損,MOSFET開關(guān)損耗和Rds(on)損耗,經(jīng)過不斷優(yōu)化的結(jié)果(效率和EMI特性的實(shí)現(xiàn)成本達(dá)到平衡).如果不采用特殊的鐵芯(比PC47更好)和特殊的MOS(CoolMOS),反激式開關(guān)電源的最高開關(guān)頻率應(yīng)該不會(huì)超過100KHz.說得不好,請(qǐng)各抒己見!
MOS開關(guān)頻率越高當(dāng)然損耗就越大了,頻率PI的EN封裝都可以達(dá)到132KHZ,不知閣下的結(jié)論是怎么定下的?
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lcf2008
LV.4
10
2009-08-14 14:12
@半導(dǎo)體1
MOS開關(guān)頻率越高當(dāng)然損耗就越大了,頻率PI的EN封裝都可以達(dá)到132KHZ,不知閣下的結(jié)論是怎么定下的?
支持樓上的說法
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孤燈下
LV.7
11
2009-08-14 22:04
@半導(dǎo)體1
MOS開關(guān)頻率越高當(dāng)然損耗就越大了,頻率PI的EN封裝都可以達(dá)到132KHZ,不知閣下的結(jié)論是怎么定下的?
PI的東西,是集成MOS的!那個(gè)是不是性能特別好(Ciss、Crss和Coss)呢?或者,是不是內(nèi)部對(duì)集成MOS的驅(qū)動(dòng)能力很強(qiáng)呢?我們不得而知.
我們是用普通的PWM IC加一般的MOS做過實(shí)驗(yàn)的!開關(guān)頻率高于86KHz(因?yàn)殡娮枳柚档牟贿B續(xù)性,所以大致是這么多),效率就會(huì)變低.不相信的話,你自己可以做實(shí)驗(yàn).
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lcf2008
LV.4
12
2009-08-15 08:56
@孤燈下
PI的東西,是集成MOS的!那個(gè)是不是性能特別好(Ciss、Crss和Coss)呢?或者,是不是內(nèi)部對(duì)集成MOS的驅(qū)動(dòng)能力很強(qiáng)呢?我們不得而知.我們是用普通的PWMIC加一般的MOS做過實(shí)驗(yàn)的!開關(guān)頻率高于86KHz(因?yàn)殡娮枳柚档牟贿B續(xù)性,所以大致是這么多),效率就會(huì)變低.不相信的話,你自己可以做實(shí)驗(yàn).
沒有啊,我這里有成熟的用UC3843做的60W電源,上邊也是獨(dú)立MOS管,我們的頻率也能上100K啊,所以,我認(rèn)為你所謂的頻率不能高于100K有些欠穩(wěn)妥,呵呵.對(duì)了,朋友,你可不可以去看看我的另一個(gè)提問,幫我參考一下,因?yàn)檫@是我第一次設(shè)計(jì)主變.http://bbs.dianyuan.com/topic/494137 ,特別關(guān)注23 貼,謝謝了.
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yuyan
LV.9
13
2009-08-15 09:33
@lcf2008
沒有啊,我這里有成熟的用UC3843做的60W電源,上邊也是獨(dú)立MOS管,我們的頻率也能上100K啊,所以,我認(rèn)為你所謂的頻率不能高于100K有些欠穩(wěn)妥,呵呵.對(duì)了,朋友,你可不可以去看看我的另一個(gè)提問,幫我參考一下,因?yàn)檫@是我第一次設(shè)計(jì)主變.http://bbs.dianyuan.com/topic/494137,特別關(guān)注23貼,謝謝了.
你頻率做再高,沒人說你
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lcf2008
LV.4
14
2009-08-15 09:35
@yuyan
你頻率做再高,沒人說你
呵呵,謝謝你的指點(diǎn),可以幫我看看我的問題嗎,我現(xiàn)在也有個(gè)問題想請(qǐng)教下你,我的模塊是:輸出為 600V5A  ,主變溫度在老化穩(wěn)定后磁芯和線包穩(wěn)定在110度,我的模塊參數(shù)是這樣的:380VAC輸入,全橋拓?fù)?開關(guān)頻率20K,整機(jī)效率0.87,輸出用全橋整流.主變?yōu)镋E55/28/21雙磁芯.以前的主變是初次級(jí)為:3*1mm*30T:1*1mm*50T,而我現(xiàn)在重新設(shè)計(jì)的參數(shù)是這樣的,電流密度取400,Bm =2000 GS ,Dmax =0.8  ,主變?cè)呺妷簽?00~600V,最大輸出600V,5A,用雙EE55/28/25 ,初次為:3*0.9mm*32T:2*0.9mm*54T,不知道這樣行不行,現(xiàn)在準(zhǔn)備做樣,希望好心人快幫幫我,謝謝了
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孤燈下
LV.7
15
2009-08-15 12:53
@yuyan
你頻率做再高,沒人說你
樓上說得好!你頻率再高,沒有人說你.你想高就高吧!
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孤燈下
LV.7
16
2009-08-15 13:00
@lcf2008
沒有啊,我這里有成熟的用UC3843做的60W電源,上邊也是獨(dú)立MOS管,我們的頻率也能上100K啊,所以,我認(rèn)為你所謂的頻率不能高于100K有些欠穩(wěn)妥,呵呵.對(duì)了,朋友,你可不可以去看看我的另一個(gè)提問,幫我參考一下,因?yàn)檫@是我第一次設(shè)計(jì)主變.http://bbs.dianyuan.com/topic/494137,特別關(guān)注23貼,謝謝了.
你有沒有嘗試過,頻率低一點(diǎn),反而整機(jī)性能會(huì)好一些呢?
折衷,是開關(guān)電源設(shè)計(jì)的靈魂!開關(guān)頻率,兩三百KHz也很多(反激式較少),幾MHz的,也很多.要的是,各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及零件選擇后,選多大頻率才是比較優(yōu)化的“折衷”.
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2009-08-17 21:24
@孤燈下
你有沒有嘗試過,頻率低一點(diǎn),反而整機(jī)性能會(huì)好一些呢?折衷,是開關(guān)電源設(shè)計(jì)的靈魂!開關(guān)頻率,兩三百KHz也很多(反激式較少),幾MHz的,也很多.要的是,各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及零件選擇后,選多大頻率才是比較優(yōu)化的“折衷”.
就是所謂找個(gè)平衡點(diǎn)....
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vvljy
LV.2
18
2009-08-18 16:42
@孤燈下
你有沒有嘗試過,頻率低一點(diǎn),反而整機(jī)性能會(huì)好一些呢?折衷,是開關(guān)電源設(shè)計(jì)的靈魂!開關(guān)頻率,兩三百KHz也很多(反激式較少),幾MHz的,也很多.要的是,各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及零件選擇后,選多大頻率才是比較優(yōu)化的“折衷”.
不同應(yīng)用的話頻率選擇不同吧.
AC/DC里面的Flyback可能頻率底一點(diǎn).我碰過Delta有款電源100K以下頻率,所以很容易過CE測(cè)試(150k~30M).
但是在小功率DC/DC電源模塊里,我接觸到的Ericsson的Flyback就有510K Hz.
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LV.1
19
2009-08-18 17:21
@vvljy
不同應(yīng)用的話頻率選擇不同吧.AC/DC里面的Flyback可能頻率底一點(diǎn).我碰過Delta有款電源100K以下頻率,所以很容易過CE測(cè)試(150k~30M).但是在小功率DC/DC電源模塊里,我接觸到的Ericsson的Flyback就有510KHz.
510K是不是用硬開關(guān)的呀,應(yīng)該是用軟開關(guān)的吧!
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2009-08-18 21:18
@vvljy
不同應(yīng)用的話頻率選擇不同吧.AC/DC里面的Flyback可能頻率底一點(diǎn).我碰過Delta有款電源100K以下頻率,所以很容易過CE測(cè)試(150k~30M).但是在小功率DC/DC電源模塊里,我接觸到的Ericsson的Flyback就有510KHz.
DC-DC過的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)不同啊,肯定測(cè)試方法也不同咯,不可同日而語(yǔ)矣....
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