PI工程師你好,請教關(guān)于LNK363的幾個問題:
1.我在一些資料中看到LNK363最好工作在斷續(xù)模式下,這樣可以提高功率,那么KP的值要大于1,但是取幾會好一點?
2.VOR的取值我看到的都是建議80V,我之前用到TOP243取值為80V,取值過低,結(jié)果芯片發(fā)燙,所以請教你VOR的取值多少好一些?跟KP的值是不是有一定的關(guān)系?
3.輔助繞組,LNK362中小于2W說可以不用輔助繞組,那么這個輔助繞組在電路中的作用是不是提供內(nèi)部的5.8V,那是不是大于2W的都要加上輔助繞組?我現(xiàn)在用LNK363要做一個6W的輸出,230V輸入,敞開式的,12V/0.5A,我現(xiàn)在要不要用輔助繞組?
LNK363請教
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@powerint_pks
1.要提高輸出功率,kp值是越小越好,但一般不提倡小于0.62.對top系列而言,VOR的取值太小,效率一般降低,剛開始設(shè)計時,一般取100-120,然后考調(diào)試決定取值.對LNK和TNY系列而言,VOR小點反而效率越高.我看你可以從80V開始試.3.一般而言,LNK多不需要輔助繞組.當然,輔助繞組可以減小NO-LOAD輸入功耗,也可以提高整機效率.
1.KP值小于1不就是工作在連續(xù)狀態(tài)了?那請問選擇0.6是根據(jù)什么選擇的?
3.那就是說不論多大的功率都可以不使用輔助繞組的?
3.那就是說不論多大的功率都可以不使用輔助繞組的?
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@powerint_pks
1.要提高輸出功率,kp值是越小越好,但一般不提倡小于0.62.對top系列而言,VOR的取值太小,效率一般降低,剛開始設(shè)計時,一般取100-120,然后考調(diào)試決定取值.對LNK和TNY系列而言,VOR小點反而效率越高.我看你可以從80V開始試.3.一般而言,LNK多不需要輔助繞組.當然,輔助繞組可以減小NO-LOAD輸入功耗,也可以提高整機效率.
輔助繞組
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/54/1178711182739033.bmp');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

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@powerint_pks
KP值太小,變壓器容易有噪音問題對LNK系列而言,從功能實現(xiàn)上,是不需要偏制繞組的.
KP取值
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/54/1178711182740060.bmp');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

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@叮鐺
輔助繞組[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/54/1178711182739033.bmp');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
這句話是針對沒有鉗位電路的應(yīng)用而言的,不過老實說,翻譯得確實不是很好,我會通知我們marketing,教他們修改翻譯.
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@叮鐺
KP取值[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/54/1178711182740060.bmp');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
lnk-xt 針對的是5W以下的應(yīng)用場合,因而emi得問題都不大.
對于噪音,一個是和磁通密度有關(guān),越小越好. 一個是和kp有關(guān),kp太小,容易有噪音問題.
對于噪音,一個是和磁通密度有關(guān),越小越好. 一個是和kp有關(guān),kp太小,容易有噪音問題.
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@powerint_pks
kp系數(shù)由輸入電壓,vor,變壓器電感量等決定.
我這邊的取值:VOR=80V,D=VOR/(VOR+VIMIN-VDS)=80/80+262-10=0.24
輸入電流的平均值 IAVG =PO/η·UImin=5/0.8/262=0.024A,IP =
IAVE/(1-0.5KRP)·Dmax=0.024/(1-0.5*0.78)*0.24=0.16A,這里的KRP取值0.78,初級繞組脈動電流 IR=IP·KRP=0.125A,
初級繞組臨界電感量Lp= DMax?VinDCMin/fs?ΔIp=3665UH,
Np=Lp?Ip2?104/Bw?Ae=228T,NS=(V0+VD)*(1-DMAX)*NP/(VIMIN*DMAX)=35T
這個值似乎也太大了吧請教PI工程師,因為我在你們的變壓器的設(shè)計里面沒有看到EE13的磁芯資料,現(xiàn)在取EE13,可是算出來值太夸張!
輸入電流的平均值 IAVG =PO/η·UImin=5/0.8/262=0.024A,IP =
IAVE/(1-0.5KRP)·Dmax=0.024/(1-0.5*0.78)*0.24=0.16A,這里的KRP取值0.78,初級繞組脈動電流 IR=IP·KRP=0.125A,
初級繞組臨界電感量Lp= DMax?VinDCMin/fs?ΔIp=3665UH,
Np=Lp?Ip2?104/Bw?Ae=228T,NS=(V0+VD)*(1-DMAX)*NP/(VIMIN*DMAX)=35T
這個值似乎也太大了吧請教PI工程師,因為我在你們的變壓器的設(shè)計里面沒有看到EE13的磁芯資料,現(xiàn)在取EE13,可是算出來值太夸張!
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@叮鐺
我這邊的取值:VOR=80V,D=VOR/(VOR+VIMIN-VDS)=80/80+262-10=0.24輸入電流的平均值IAVG=PO/η·UImin=5/0.8/262=0.024A,IP=IAVE/(1-0.5KRP)·Dmax=0.024/(1-0.5*0.78)*0.24=0.16A,這里的KRP取值0.78,初級繞組脈動電流IR=IP·KRP=0.125A,初級繞組臨界電感量Lp=DMax?VinDCMin/fs?ΔIp=3665UH,Np=Lp?Ip2?104/Bw?Ae=228T,NS=(V0+VD)*(1-DMAX)*NP/(VIMIN*DMAX)=35T這個值似乎也太大了吧請教PI工程師,因為我在你們的變壓器的設(shè)計里面沒有看到EE13的磁芯資料,現(xiàn)在取EE13,可是算出來值太夸張!
請問我需要修改那里的參數(shù)?
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@powerint_pks
kp系數(shù)由輸入電壓,vor,變壓器電感量等決定.
請教PI工程師:附件為用PI的軟件做出來的,一直提示說BM太大,已經(jīng)超過1500,請問修改哪里可以減少?我試了很長時間,可是沒有效果 1178711182819705.xls
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@叮鐺
請教PI工程師:附件為用PI的軟件做出來的,一直提示說BM太大,已經(jīng)超過1500,請問修改哪里可以減少?我試了很長時間,可是沒有效果1178711182819705.xls
我也給你算了一個,僅供參考.Bm值超過1500guass 一點點,一般沒關(guān)系,假如你想讓他小于1500,增加原邊的匝數(shù)就可以了.有兩個辦法可以增加原邊匝數(shù):
1. Vor 不變,增加次級匝數(shù)
2. 次級匝數(shù)不變,增加vor,Vor 一般不能超過135V, 因為,vor 越高,漏極電壓越高.lnk系列的mosfet最高不能超700V 949481182830911.doc
1. Vor 不變,增加次級匝數(shù)
2. 次級匝數(shù)不變,增加vor,Vor 一般不能超過135V, 因為,vor 越高,漏極電壓越高.lnk系列的mosfet最高不能超700V 949481182830911.doc
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@powerint_pks
我也給你算了一個,僅供參考.Bm值超過1500guass一點點,一般沒關(guān)系,假如你想讓他小于1500,增加原邊的匝數(shù)就可以了.有兩個辦法可以增加原邊匝數(shù):1.Vor不變,增加次級匝數(shù)2.次級匝數(shù)不變,增加vor,Vor一般不能超過135V,因為,vor越高,漏極電壓越高.lnk系列的mosfet最高不能超700V949481182830911.doc
謝謝你的回復(fù),我現(xiàn)在采用的是N1=157T,N2=25T,EE13磁芯,2643UH的電感,0.2mm的氣隙長度,這樣算下來BM大約為2200,先做一個試試了
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@powerint_pks
我也給你算了一個,僅供參考.Bm值超過1500guass一點點,一般沒關(guān)系,假如你想讓他小于1500,增加原邊的匝數(shù)就可以了.有兩個辦法可以增加原邊匝數(shù):1.Vor不變,增加次級匝數(shù)2.次級匝數(shù)不變,增加vor,Vor一般不能超過135V,因為,vor越高,漏極電壓越高.lnk系列的mosfet最高不能超700V949481182830911.doc

初定電路圖如附件所示,請教各位的是,對于LNK363,L2和C4還要不要?因為看起來有些多余,但是之前用TOP芯片的時候在用.還有就是C6的用處,是隔離的作用吧?拿掉可不可以?
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@叮鐺
[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/54/1178711183186807.bmp');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">初定電路圖如附件所示,請教各位的是,對于LNK363,L2和C4還要不要?因為看起來有些多余,但是之前用TOP芯片的時候在用.還有就是C6的用處,是隔離的作用吧?拿掉可不可以?
還有就是次級輸出整流管要用什么樣的?我看到的很多都是用肖特基二極管,他跟普通的整流二極管也沒有什么區(qū)別啊!還是有什么特殊的要求嗎
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@powerint_pks
我也給你算了一個,僅供參考.Bm值超過1500guass一點點,一般沒關(guān)系,假如你想讓他小于1500,增加原邊的匝數(shù)就可以了.有兩個辦法可以增加原邊匝數(shù):1.Vor不變,增加次級匝數(shù)2.次級匝數(shù)不變,增加vor,Vor一般不能超過135V,因為,vor越高,漏極電壓越高.lnk系列的mosfet最高不能超700V949481182830911.doc

如圖所示,其中的穩(wěn)壓管是10V的,穩(wěn)壓管下面的兩個電阻都取100,現(xiàn)在的狀況是10V穩(wěn)壓管上壓降13V,導(dǎo)致輸出的12V變成15V,穩(wěn)壓管換成12V,輸出為18V,穩(wěn)壓管換成6.8V,輸出為11V.請教是不是LNK系列的穩(wěn)壓管會比正常壓降多嗎?不明白
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