Q1和橋組成一個(gè)交流開(kāi)關(guān),T1是一個(gè)磁飽和變壓器,當(dāng)整流電壓高于D4導(dǎo)通值Q1導(dǎo)通.此處應(yīng)該用來(lái)控制D2門(mén)級(jí),D2導(dǎo)通D1門(mén)級(jí)失壓,構(gòu)成一個(gè)完整的過(guò)流保護(hù).
   不好意思,第一次來(lái)如有錯(cuò)處各位大俠指正.

橋電路和三級(jí)管在這里相當(dāng)于一個(gè)電阻,利用橋堆將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,因?yàn)槿?jí)管控制不了交流電的,控制三級(jí)管的基級(jí)就可以控制橋的2和3腳的電位差,這樣就控制了通過(guò)R3加在C4的電壓了,從而控制C4的充電速度!關(guān)于可控硅和整個(gè)電路的作用我就不說(shuō)了,我也是剛來(lái)這里幾次,呵呵,說(shuō)的不明白別怪!!!

有誰(shuí)知道圖中可控硅回路的工作原理,請(qǐng)指教

是不是只有在負(fù)載過(guò)重時(shí)才會(huì)擊穿D4拉低電壓后來(lái)改變可控硅的導(dǎo)通角?
也就是只是一個(gè)簡(jiǎn)單的過(guò)載保護(hù)電路,是嗎?