我已將雪兄的《反激變壓器設(shè)計(jì)》做成了軟件,供初學(xué)者參考.
原文如下
113211183384964.pdf
軟件如下:
由于變壓器的設(shè)計(jì)參考量較多,所以該軟件的設(shè)計(jì)結(jié)果僅供初學(xué)者參考!
使用中有些需要注意的地方
我已將雪兄的《反激變壓器設(shè)計(jì)》做成了軟件,供初學(xué)者參考
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@藍(lán)海
有道理,都這樣說了,我也不好意思再掛上了.請(qǐng)求斑竹將此貼刪除.
剛好我剛學(xué)了雪前輩的資料,有些地方弄不明白,還望大家解釋一下啊.
1 Vf=Vmos-Vindcmax-150v
這里的反激電壓是用這個(gè)公式算的,這個(gè)Vmos應(yīng)該是MOS管的DS最大壓降吧,那如果我用了個(gè)VMOS為700V的(用VIPER12/22集成芯片),Vf算出來不是很大,會(huì)接近200V啊?是不是這個(gè)公式還需要靈活運(yùn)用
2,請(qǐng)問設(shè)計(jì)時(shí)怎么樣設(shè)定工作愛斷續(xù)模式和連續(xù)模式,是不是一般設(shè)計(jì)都是連續(xù)模式?
3,Ko窗口有效系數(shù),根據(jù)安歸要求和輸出路數(shù)決定,一般為0. 2-0.4,具體怎么選取啊,這方面資料哪里有,0.2- 0.4范圍太盲目,不知道新手怎么選取,具體怎么根據(jù)選?
4,氣隙到底是根據(jù)Lg=0.4*圓周率*Np的平方*Ae*10的負(fù)8次方/Lp這個(gè)公式?jīng)Q定的呢?還是根據(jù)初級(jí)電感量決定的?因?yàn)榇判狙b上去不可能電感量剛好符合的吧,總要磨點(diǎn)氣隙來使其符合吧?
望大家?guī)臀医忉屜?萬分感激!
1 Vf=Vmos-Vindcmax-150v
這里的反激電壓是用這個(gè)公式算的,這個(gè)Vmos應(yīng)該是MOS管的DS最大壓降吧,那如果我用了個(gè)VMOS為700V的(用VIPER12/22集成芯片),Vf算出來不是很大,會(huì)接近200V啊?是不是這個(gè)公式還需要靈活運(yùn)用
2,請(qǐng)問設(shè)計(jì)時(shí)怎么樣設(shè)定工作愛斷續(xù)模式和連續(xù)模式,是不是一般設(shè)計(jì)都是連續(xù)模式?
3,Ko窗口有效系數(shù),根據(jù)安歸要求和輸出路數(shù)決定,一般為0. 2-0.4,具體怎么選取啊,這方面資料哪里有,0.2- 0.4范圍太盲目,不知道新手怎么選取,具體怎么根據(jù)選?
4,氣隙到底是根據(jù)Lg=0.4*圓周率*Np的平方*Ae*10的負(fù)8次方/Lp這個(gè)公式?jīng)Q定的呢?還是根據(jù)初級(jí)電感量決定的?因?yàn)榇判狙b上去不可能電感量剛好符合的吧,總要磨點(diǎn)氣隙來使其符合吧?
望大家?guī)臀医忉屜?萬分感激!
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@lose52068
剛好我剛學(xué)了雪前輩的資料,有些地方弄不明白,還望大家解釋一下啊.1Vf=Vmos-Vindcmax-150v這里的反激電壓是用這個(gè)公式算的,這個(gè)Vmos應(yīng)該是MOS管的DS最大壓降吧,那如果我用了個(gè)VMOS為700V的(用VIPER12/22集成芯片),Vf算出來不是很大,會(huì)接近200V啊?是不是這個(gè)公式還需要靈活運(yùn)用2,請(qǐng)問設(shè)計(jì)時(shí)怎么樣設(shè)定工作愛斷續(xù)模式和連續(xù)模式,是不是一般設(shè)計(jì)都是連續(xù)模式?3,Ko窗口有效系數(shù),根據(jù)安歸要求和輸出路數(shù)決定,一般為0.2-0.4,具體怎么選取啊,這方面資料哪里有,0.2- 0.4范圍太盲目,不知道新手怎么選取,具體怎么根據(jù)選?4,氣隙到底是根據(jù)Lg=0.4*圓周率*Np的平方*Ae*10的負(fù)8次方/Lp這個(gè)公式?jīng)Q定的呢?還是根據(jù)初級(jí)電感量決定的?因?yàn)榇判狙b上去不可能電感量剛好符合的吧,總要磨點(diǎn)氣隙來使其符合吧?望大家?guī)臀医忉屜?萬分感激!
你到《變壓器/磁技術(shù)》論壇里看一下, 里面有很多這方面的解釋.
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