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EMI怪事!(空前)很急!在線等!!!!

同樣的PCB用在美規(guī)(可動式插頭)的外殼里傳導(dǎo)超3DB,而用在歐規(guī)的外殼里卻有4DB余量.
充電器用VIPER22A.
請高手們幫忙分析一下!1104838562.pdf
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philips
LV.8
2
2005-01-04 19:59
難道沒人遇見過嗎?
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philips
LV.8
3
2005-01-04 20:35
@philips
難道沒人遇見過嗎?
ding!!!!!
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s.m.xiao
LV.5
4
2005-01-04 21:13
將電路和變壓器資料立即貼上來,咱們幫你看看!
S.M.XIAO
2005 01 04 21: 12
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philips
LV.8
5
2005-01-04 22:21
插腳離變壓器近了會不會有磁耦合?因為插腳機構(gòu)是可動式(類似摩托羅拉充電器)彈片是鐵材的,請高手們踴躍發(fā)言!!!!!
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s.m.xiao
LV.5
6
2005-01-04 22:26
@philips
插腳離變壓器近了會不會有磁耦合?因為插腳機構(gòu)是可動式(類似摩托羅拉充電器)彈片是鐵材的,請高手們踴躍發(fā)言!!!!!
不影響EMI!
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marketyjh
LV.1
7
2005-01-04 22:41
外殼材料的問題,
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2005-01-04 23:28
把PCB和線路圖貼一來.不難弄.
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cmg
LV.9
9
2005-01-05 09:01
@philips
插腳離變壓器近了會不會有磁耦合?因為插腳機構(gòu)是可動式(類似摩托羅拉充電器)彈片是鐵材的,請高手們踴躍發(fā)言!!!!!
插腳近了會影響EMI,有時是嚴重的影響.不是磁耦合,是電場耦合
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richy
LV.4
10
2005-01-05 11:31
我也有碰到這樣EMI怪事,同一個電源在三家實驗室測出來的結(jié)果相差10多個DB,搞的我現(xiàn)在都不知道是我的錯呢,還是實驗室的錯.
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ridgewang
LV.8
11
2005-01-05 11:40
試著上下,左右,前后調(diào)整一下電源在外殼中的位置,或許能解決問題.
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philips
LV.8
12
2005-01-05 12:37
@ridgewang
試著上下,左右,前后調(diào)整一下電源在外殼中的位置,或許能解決問題.
謝謝各位大俠的頂力相助!不知將彈片換成銅材的會不會好轉(zhuǎn)?
我現(xiàn)在已叫測試公司把外殼打開讓PCB離插頭遠點在測看看.有結(jié)果再告訴大家.
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philips
LV.8
13
2005-01-05 12:39
@cmg
插腳近了會影響EMI,有時是嚴重的影響.不是磁耦合,是電場耦合
兄弟,是否遇到過這樣的問題?
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cmg
LV.9
14
2005-01-05 12:50
@philips
兄弟,是否遇到過這樣的問題?
在PCB板下面放一個薄的單面PCB板,引線到初級地線.
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cmg
LV.9
15
2005-01-05 12:51
@richy
我也有碰到這樣EMI怪事,同一個電源在三家實驗室測出來的結(jié)果相差10多個DB,搞的我現(xiàn)在都不知道是我的錯呢,還是實驗室的錯.
正常,不同實驗室的理論最大差別是17dB.
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philips
LV.8
16
2005-01-05 13:08
@cmg
在PCB板下面放一個薄的單面PCB板,引線到初級地線.
由于上下距離太近,是不是要再加一層絕緣材料?
還有,不知將彈片換成銅的行不行?
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philips
LV.8
17
2005-01-05 15:34
@philips
謝謝各位大俠的頂力相助!不知將彈片換成銅材的會不會好轉(zhuǎn)?我現(xiàn)在已叫測試公司把外殼打開讓PCB離插頭遠點在測看看.有結(jié)果再告訴大家.
果然是這個原因,不知有什么簡單的方法解決?
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cmg
LV.9
18
2005-01-05 16:00
@philips
由于上下距離太近,是不是要再加一層絕緣材料?還有,不知將彈片換成銅的行不行?
電場耦合,換成銅的沒有作用.距離近了當(dāng)然要加絕緣.
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richy
LV.4
19
2005-01-06 11:21
@cmg
正常,不同實驗室的理論最大差別是17dB.
兄弟,我說的是傳導(dǎo),不是幅射.一般來說傳導(dǎo)在不同的實驗室只會相差2個DB而已.
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philips
LV.8
20
2005-01-06 12:30
@cmg
電場耦合,換成銅的沒有作用.距離近了當(dāng)然要加絕緣.
我說的是傳導(dǎo)啊!
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deello
LV.2
21
2005-01-06 13:03
@philips
果然是這個原因,不知有什么簡單的方法解決?
我也有過這樣的問題:不過我的電源無法在CASE中活動,我只好在電源上接了一塊銅箔然後接初級的地,將L,N隔離.
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philips
LV.8
22
2005-01-06 13:08
@deello
我也有過這樣的問題:不過我的電源無法在CASE中活動,我只好在電源上接了一塊銅箔然後接初級的地,將L,N隔離.
謝謝!會影響安規(guī)嗎?
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deello
LV.2
23
2005-01-06 15:12
@philips
謝謝!會影響安規(guī)嗎?
光銅箔的話會,你可以試試有一種銅箔上加了一層絕緣片的那種.
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cmg
LV.9
24
2005-01-06 15:21
@richy
兄弟,我說的是傳導(dǎo),不是幅射.一般來說傳導(dǎo)在不同的實驗室只會相差2個DB而已.
我知道是傳導(dǎo),不是我說的,是在一個資料上看的,這個資料是香港一個大學(xué)的EMI專家寫的,很多大的電源廠都請他去做過演講.當(dāng)然,上面已經(jīng)說了是理論值,一般不會有這么大的.
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cmg
LV.9
25
2005-01-06 15:29
@philips
我說的是傳導(dǎo)啊!
我知道你說的是傳導(dǎo),傳導(dǎo)的一個途徑就是電場耦合,雖然較少遇到,但很不幸,叫你遇到了.具體的說,就是MOS漏級及其相連PCB銅薄和變壓器對插腳形成電容,把傳導(dǎo)干擾直接送過去,這時你改X電容,共模電感都沒有.就向我上面說的方法,加單面PCB板,或小銅片也一樣,下面已經(jīng)有人說它用過這個方法是可以的.
  還有一個方法,降低初次級變比,當(dāng)然以初級多發(fā)點熱為代價.
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jackyluo
LV.4
26
2005-01-06 16:47
@cmg
我知道你說的是傳導(dǎo),傳導(dǎo)的一個途徑就是電場耦合,雖然較少遇到,但很不幸,叫你遇到了.具體的說,就是MOS漏級及其相連PCB銅薄和變壓器對插腳形成電容,把傳導(dǎo)干擾直接送過去,這時你改X電容,共模電感都沒有.就向我上面說的方法,加單面PCB板,或小銅片也一樣,下面已經(jīng)有人說它用過這個方法是可以的.  還有一個方法,降低初次級變比,當(dāng)然以初級多發(fā)點熱為代價.
改變匝比,就改變了D所以就改變了源的頻普分布,效果不一定好,對于手機充電器,它主要是電場,所以用銅片接地效果好
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老楊
LV.4
27
2005-01-06 17:14
加大點前濾波電感量
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philips
LV.8
28
2005-01-06 19:02
@deello
光銅箔的話會,你可以試試有一種銅箔上加了一層絕緣片的那種.
謝謝!那豈不是上下都要加絕緣片?
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philips
LV.8
29
2005-01-06 19:03
@老楊
加大點前濾波電感量
已試過,無效!
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小林
LV.5
30
2005-01-07 10:00
你在mosfet的上方接一塊銅箔,注意銅箔折的方向與幵關(guān)管的散熱片成90度,銅箔可與散熱片相連.銅箔的折方向能延伸到變壓器為好
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jackyluo
LV.4
31
2005-01-07 10:43
@philips
已試過,無效!
因為是電場耦合所以改變這些意義不大,如果是磁場耦合,就有意義
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