求購250A逆變焊機(jī).單相輸入230VAC
需要一臺(tái)逆變焊機(jī),單相230VAC輸入.輸出電流250A.
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@liujz
我做的單端正激的,用的IGBT,可是輸入電流在35A左右.我現(xiàn)在就是想如果做250A的還用單端正激的,輸入電流太大了,一些元器件不好選.另外市場(chǎng)上到底有沒有小型的逆變焊機(jī)輸出電流可以到250A.
你的空載電流是多少,有噪音嗎?變壓器與開關(guān)管發(fā)熱大嗎?IGBT遠(yuǎn)沒有MOS耐用,也不易并聯(lián),頻率也做不高,單端要想達(dá)到全橋的功率,目前也只有頻率加倍,所以盡量用MOS管,在380伏電源下使用IGBT比較合理,另外體積和功率是一對(duì)矛盾,除非降低暫載率.
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單相220V輸入,輸出250A的焊機(jī)不好做,不知道你需要什么功能,氬弧、手工、還是氣保?這三種功能難度依次加大.
談一下個(gè)人的看法:
1、從拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來講,單端反激、正激不容易做到,半橋則需大電流的IGBT,成本高,綜合考慮全橋比較合算.
2、輸入電壓低,輸入電流則大,需要大的整流橋.
3、有一定空載電壓要求,輸入電壓低,變壓器變比要小,變壓器原邊電流要大,需要增大變壓器原邊導(dǎo)線截面積,可能會(huì)增加磁芯尺寸.
4、單相輸入,輸入整流后濾波電容要大,否則會(huì)帶來一些問題.
5、一般單相輸入焊機(jī)能輸出200A的電流就已經(jīng)不錯(cuò)了,再大,性價(jià)比不高.
談一下個(gè)人的看法:
1、從拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來講,單端反激、正激不容易做到,半橋則需大電流的IGBT,成本高,綜合考慮全橋比較合算.
2、輸入電壓低,輸入電流則大,需要大的整流橋.
3、有一定空載電壓要求,輸入電壓低,變壓器變比要小,變壓器原邊電流要大,需要增大變壓器原邊導(dǎo)線截面積,可能會(huì)增加磁芯尺寸.
4、單相輸入,輸入整流后濾波電容要大,否則會(huì)帶來一些問題.
5、一般單相輸入焊機(jī)能輸出200A的電流就已經(jīng)不錯(cuò)了,再大,性價(jià)比不高.
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@liujz
準(zhǔn)備用兩個(gè)EE65,或則更大一點(diǎn)的.我現(xiàn)在沒有做出樣機(jī),只是在做方案階段.
選用鐵氧體磁芯,適合于采用高的開關(guān)頻率,但目前IGBT的使用開關(guān)頻率太高損耗大,不適宜高頻,因此二者配合使用不恰當(dāng),一般鐵氧體配合MOSFET比較合適,但單個(gè)MOSFET額定電流較小,則需要多個(gè)并聯(lián)使用,這樣安裝不方便,可靠性降低.
不知道你用多高頻率?我覺得用EE65磁芯很難傳送這么大的功率,另外,導(dǎo)線粗,能否繞下需要考慮.
你變壓器成功了,機(jī)器也就成功一大半了.祝你成功.
不知道你用多高頻率?我覺得用EE65磁芯很難傳送這么大的功率,另外,導(dǎo)線粗,能否繞下需要考慮.
你變壓器成功了,機(jī)器也就成功一大半了.祝你成功.
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@lhxue
單相220V輸入,輸出250A的焊機(jī)不好做,不知道你需要什么功能,氬弧、手工、還是氣保?這三種功能難度依次加大.談一下個(gè)人的看法:1、從拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來講,單端反激、正激不容易做到,半橋則需大電流的IGBT,成本高,綜合考慮全橋比較合算.2、輸入電壓低,輸入電流則大,需要大的整流橋.3、有一定空載電壓要求,輸入電壓低,變壓器變比要小,變壓器原邊電流要大,需要增大變壓器原邊導(dǎo)線截面積,可能會(huì)增加磁芯尺寸.4、單相輸入,輸入整流后濾波電容要大,否則會(huì)帶來一些問題.5、一般單相輸入焊機(jī)能輸出200A的電流就已經(jīng)不錯(cuò)了,再大,性價(jià)比不高.
謝謝你的指導(dǎo),目前我們現(xiàn)有的單相輸入最大輸出為180A.至于做單相輸入輸出250A的目前還沒有確定的方案.但是肯定要選的是單相輸入,至于逆變回路如何選取還在考慮之中,不知大俠有何高見.
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@zongguoqing
用全橋做到250A單相機(jī)子可以,我現(xiàn)在用4只IGBT60A-1000V輸出230A電流沒有問題,主變用納米晶主變.總重量5.5KG,做成半橋也可以,也是用4只管子
你的IGBT60A-1000V是什么廠家的啊?焊機(jī)中常用的IGBT耐壓一般為600V和1200V,220V單相輸入選用600V的就可以.
你選用IGBT作為開關(guān)管,納米晶作為主變磁芯,開關(guān)頻率不會(huì)太高吧?
也就20~30K?
全橋可以用一個(gè)電解電容濾波,半橋得要兩個(gè)電解電容吧!半橋電解電容容量能減少嗎?不過半橋時(shí)可以選用耐壓低的IGBT,綜合算起來,半橋成本與全橋低相差不大吧!
你選用IGBT作為開關(guān)管,納米晶作為主變磁芯,開關(guān)頻率不會(huì)太高吧?
也就20~30K?
全橋可以用一個(gè)電解電容濾波,半橋得要兩個(gè)電解電容吧!半橋電解電容容量能減少嗎?不過半橋時(shí)可以選用耐壓低的IGBT,綜合算起來,半橋成本與全橋低相差不大吧!
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@lhxue
你的IGBT60A-1000V是什么廠家的啊?焊機(jī)中常用的IGBT耐壓一般為600V和1200V,220V單相輸入選用600V的就可以.你選用IGBT作為開關(guān)管,納米晶作為主變磁芯,開關(guān)頻率不會(huì)太高吧?也就20~30K?全橋可以用一個(gè)電解電容濾波,半橋得要兩個(gè)電解電容吧!半橋電解電容容量能減少嗎?不過半橋時(shí)可以選用耐壓低的IGBT,綜合算起來,半橋成本與全橋低相差不大吧!
疑惑A:220V單相選用1000VIGBT是否可以簡化或省去浪涌吸收電路?
B:我用UC3846電流型PWM對(duì)220V電源的半橋電路進(jìn)行控制,電流互
感器取樣,過流保護(hù)試驗(yàn)多次失敗(炸管),不知是何原因,我想半橋
電路是通過變壓器初級(jí)線圈對(duì)電容進(jìn)行充放電過程獲得功率轉(zhuǎn)換,
在這個(gè)充放電過程中過流關(guān)斷會(huì)引起中點(diǎn)電壓不對(duì)稱嗎?還是別的
什麻原因?望指點(diǎn),謝謝.
B:我用UC3846電流型PWM對(duì)220V電源的半橋電路進(jìn)行控制,電流互
感器取樣,過流保護(hù)試驗(yàn)多次失敗(炸管),不知是何原因,我想半橋
電路是通過變壓器初級(jí)線圈對(duì)電容進(jìn)行充放電過程獲得功率轉(zhuǎn)換,
在這個(gè)充放電過程中過流關(guān)斷會(huì)引起中點(diǎn)電壓不對(duì)稱嗎?還是別的
什麻原因?望指點(diǎn),謝謝.
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@正激
疑惑A:220V單相選用1000VIGBT是否可以簡化或省去浪涌吸收電路? B:我用UC3846電流型PWM對(duì)220V電源的半橋電路進(jìn)行控制,電流互 感器取樣,過流保護(hù)試驗(yàn)多次失敗(炸管),不知是何原因,我想半橋 電路是通過變壓器初級(jí)線圈對(duì)電容進(jìn)行充放電過程獲得功率轉(zhuǎn)換, 在這個(gè)充放電過程中過流關(guān)斷會(huì)引起中點(diǎn)電壓不對(duì)稱嗎?還是別的 什麻原因?望指點(diǎn),謝謝.
電流采樣在直流側(cè),浪涌吸收電路一定要有,沒有一樣會(huì)炸管的,最主要還是在主變上面下功夫.我做頻率是15-18KHZ,用單管做機(jī)器主要是走線,線路一定要干凈,解決好爬電和相互電磁干擾.
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@lhxue
你的IGBT60A-1000V是什么廠家的啊?焊機(jī)中常用的IGBT耐壓一般為600V和1200V,220V單相輸入選用600V的就可以.你選用IGBT作為開關(guān)管,納米晶作為主變磁芯,開關(guān)頻率不會(huì)太高吧?也就20~30K?全橋可以用一個(gè)電解電容濾波,半橋得要兩個(gè)電解電容吧!半橋電解電容容量能減少嗎?不過半橋時(shí)可以選用耐壓低的IGBT,綜合算起來,半橋成本與全橋低相差不大吧!
成本價(jià)差不多少,全橋結(jié)構(gòu)對(duì)管子應(yīng)力小,如果管子耐壓夠用半橋的,半橋意上手.
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@liujz
不知道現(xiàn)在市場(chǎng)上有沒有單相輸入,實(shí)際輸出250A的IGBT逆變焊機(jī).
1093401190354389.doc
半橋的,最大可做到300A,就是輸入電流太大了,頻率20K用IGBT單管
半橋的,最大可做到300A,就是輸入電流太大了,頻率20K用IGBT單管
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