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一個元件搞死了我--------

兄臺們,我給IR2166S這塊芯片搞到頭破血流了.當(dāng)我做硬開關(guān),或不激活時,IC好像是內(nèi)部擊穿,外表看不到一點(diǎn)壞的痕跡.換新的IC正常工作.你們有碰到這樣的嗎?有位版主好像是IR代言人,能說說嗎?
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unique
LV.9
2
2007-09-10 21:40
樓主兄弟,別急,詳細(xì)說說,大伙好幫你!
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2007-09-11 11:20
@unique
樓主兄弟,別急,詳細(xì)說說,大伙好幫你!
那是, 連李工都出面了,不用擔(dān)心解決不了
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trust_me
LV.6
4
2007-09-11 15:21
兄臺,請問你的燈絲繞組為多少T?按IR推薦參數(shù)就可了!在沒有足夠的燈絲電壓下瞬間開關(guān)有一反脈沖返回,至IC內(nèi)部穿,我現(xiàn)在開關(guān)16K次都不黑頭.也沒什么異常出現(xiàn).
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2007-09-11 17:34
@trust_me
兄臺,請問你的燈絲繞組為多少T?按IR推薦參數(shù)就可了!在沒有足夠的燈絲電壓下瞬間開關(guān)有一反脈沖返回,至IC內(nèi)部穿,我現(xiàn)在開關(guān)16K次都不黑頭.也沒什么異常出現(xiàn).
歡迎從事開關(guān)電源 適配器 充電器 節(jié)能燈 驅(qū)動電源 鎮(zhèn)流器等朋友加入本群 做技術(shù) 業(yè)務(wù)方面交流 加入本群的請改群名片 Q群36431592
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2007-09-13 03:34
@andylongshao
那是,連李工都出面了,不用擔(dān)心解決不了
好.謝謝!當(dāng)我用電阻代燈絲模擬不激活,上電幾次后,IC就掛了.(保護(hù)線路有效果的).就換IC工作一切正常.你說是什么原因?
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2007-09-13 03:38
@trust_me
兄臺,請問你的燈絲繞組為多少T?按IR推薦參數(shù)就可了!在沒有足夠的燈絲電壓下瞬間開關(guān)有一反脈沖返回,至IC內(nèi)部穿,我現(xiàn)在開關(guān)16K次都不黑頭.也沒什么異常出現(xiàn).
燈絲圈數(shù)是根據(jù)燈絲電流來取的.我的是PLC-26W,現(xiàn)在用8T.你說的-反脈沖是怎樣返回的.
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dreamyou
LV.3
8
2007-09-13 10:16
@廊橋星辰
好.謝謝!當(dāng)我用電阻代燈絲模擬不激活,上電幾次后,IC就掛了.(保護(hù)線路有效果的).就換IC工作一切正常.你說是什么原因?
我們年初的時候從IR2166換用IRS2166時也遇上同樣問題.
在損壞多只以后,暫停試驗,后來在與IR公司技術(shù)人員探討時,他們說收到我們返回的損壞樣品后檢測發(fā)現(xiàn)是內(nèi)部集成穩(wěn)壓管(0.5W)擊穿,建議在半橋中點(diǎn)取電電容后面串接一個一、二十歐限流電阻,不過具體我們沒試過,因為我們的2166已經(jīng)量產(chǎn).

IRS2166比之IR2166,PFC部分有改善,諧波有所降低,不過啟動電流也加大了,好象是從150μA加到了250μA.
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dreamyou
LV.3
9
2007-09-13 10:22
@trust_me
兄臺,請問你的燈絲繞組為多少T?按IR推薦參數(shù)就可了!在沒有足夠的燈絲電壓下瞬間開關(guān)有一反脈沖返回,至IC內(nèi)部穿,我現(xiàn)在開關(guān)16K次都不黑頭.也沒什么異常出現(xiàn).
我們做的T4/9W,電壓預(yù)熱,2管串聯(lián),用菲利普燈管,按鐵標(biāo)10/3一個周期,已經(jīng)開關(guān)了16萬次了,沒發(fā)現(xiàn)黑頭.感覺T4管預(yù)熱比T8管預(yù)熱容易做.
以前的T8管,做了26萬次,自己把它停了,不想做下去了.這次的決定做到掛為止,初步估計至少還要1個半月.
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2007-09-14 10:02
@dreamyou
我們做的T4/9W,電壓預(yù)熱,2管串聯(lián),用菲利普燈管,按鐵標(biāo)10/3一個周期,已經(jīng)開關(guān)了16萬次了,沒發(fā)現(xiàn)黑頭.感覺T4管預(yù)熱比T8管預(yù)熱容易做.以前的T8管,做了26萬次,自己把它停了,不想做下去了.這次的決定做到掛為止,初步估計至少還要1個半月.
龍兄,謝了.想請教你.你說的是內(nèi)部集成穩(wěn)壓管(0.5W)擊穿,能說具體點(diǎn)嗎.我想有針對性的看能不能解決它.
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dreamyou
LV.3
11
2007-09-22 10:21
@廊橋星辰
龍兄,謝了.想請教你.你說的是內(nèi)部集成穩(wěn)壓管(0.5W)擊穿,能說具體點(diǎn)嗎.我想有針對性的看能不能解決它.
呵呵,不好意思,我說錯了,內(nèi)部穩(wěn)壓管不是0.5W,是IR的技術(shù)人員說的只能通過250mA的電流,實(shí)際解決辦法,還是加限流電阻,或者同時降低中點(diǎn)取電電容容量.
個人認(rèn)為,預(yù)熱狀態(tài)時,頻率較高,會使得電流較大,而此時芯片消耗電流反而比穩(wěn)態(tài)時要小,容易出現(xiàn)Vcc電壓過高,內(nèi)部穩(wěn)壓管吸收電流超限而損壞.
我想問下,你電路穩(wěn)態(tài)工作時,Vcc電壓多少?那個電容容量又是多少呢?
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kl123
LV.1
12
2007-09-24 14:25
@dreamyou
呵呵,不好意思,我說錯了,內(nèi)部穩(wěn)壓管不是0.5W,是IR的技術(shù)人員說的只能通過250mA的電流,實(shí)際解決辦法,還是加限流電阻,或者同時降低中點(diǎn)取電電容容量.個人認(rèn)為,預(yù)熱狀態(tài)時,頻率較高,會使得電流較大,而此時芯片消耗電流反而比穩(wěn)態(tài)時要小,容易出現(xiàn)Vcc電壓過高,內(nèi)部穩(wěn)壓管吸收電流超限而損壞.我想問下,你電路穩(wěn)態(tài)工作時,Vcc電壓多少?那個電容容量又是多少呢?
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2007-09-24 18:41
@dreamyou
呵呵,不好意思,我說錯了,內(nèi)部穩(wěn)壓管不是0.5W,是IR的技術(shù)人員說的只能通過250mA的電流,實(shí)際解決辦法,還是加限流電阻,或者同時降低中點(diǎn)取電電容容量.個人認(rèn)為,預(yù)熱狀態(tài)時,頻率較高,會使得電流較大,而此時芯片消耗電流反而比穩(wěn)態(tài)時要小,容易出現(xiàn)Vcc電壓過高,內(nèi)部穩(wěn)壓管吸收電流超限而損壞.我想問下,你電路穩(wěn)態(tài)工作時,Vcc電壓多少?那個電容容量又是多少呢?
我的電容用到681.
我找出真兇了,是供電電路走得太近高壓線那邊了.因為他們做試驗時把那板搞得不象樣,做不激活時不時有打火現(xiàn)象.也好,有這樣的隱患.已改了.
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