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正激,變壓器響~!高手來支招!

我今天剛設(shè)計了一個正激的電源120W,輸出12V/10A,用3843控制的,發(fā)現(xiàn)一穩(wěn)壓的時候,變壓器響得歷害,
變壓器,初級110匝 次級.10 匝用EC35的變壓器,還有一個去磁復(fù)位繞組,也是110匝,用外加的VCC,請幫忙分析一下原因!!!
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2008-01-12 14:59
前一級是PFC,高壓輸入+380V.不過,去磁復(fù)位沒有接入,掛在變壓器上面,什么也沒接~!
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2008-01-12 15:07
@jingfeng0192
前一級是PFC,高壓輸入+380V.不過,去磁復(fù)位沒有接入,掛在變壓器上面,什么也沒接~!
EC35 的AE=107mm2,不加氣隙的初級電感量有25mh.會不會太大了!
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2008-01-13 11:21
變壓器的匝數(shù)太多了吧.
1.初級用68TS 次級用7TS (次級匝數(shù)不變時.初級匝數(shù)越大占空比變大)
占空比大對初級溫度下降.次級上升.當(dāng)然溫升要越均勻越好.
2.磁復(fù)位繞組比初級匝數(shù)多時.PWM MOS尖峰電壓變小.尖峰電流變大 反之MOS尖峰電壓變大.尖峰電流變小.
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ta7698
LV.9
5
2008-01-13 13:45
@jingfeng0192
前一級是PFC,高壓輸入+380V.不過,去磁復(fù)位沒有接入,掛在變壓器上面,什么也沒接~!
復(fù)位電路一定要接入!
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2008-01-13 17:00
@ccychen123
變壓器的匝數(shù)太多了吧.1.初級用68TS次級用7TS(次級匝數(shù)不變時.初級匝數(shù)越大占空比變大)占空比大對初級溫度下降.次級上升.當(dāng)然溫升要越均勻越好.2.磁復(fù)位繞組比初級匝數(shù)多時.PWMMOS尖峰電壓變小.尖峰電流變大反之MOS尖峰電壓變大.尖峰電流變小.
我將主變壓器加0.1mm的氣隙,就不響了!!

另外復(fù)位電路,一接入,輸入電流立馬變大,我的原理圖應(yīng)該沒錯,
我用網(wǎng)絡(luò)表排PCB的,應(yīng)該也不會錯~!同名端我也測過了啊!!

不知道是什么原因!!!
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2008-01-13 17:02
@jingfeng0192
我將主變壓器加0.1mm的氣隙,就不響了!!另外復(fù)位電路,一接入,輸入電流立馬變大,我的原理圖應(yīng)該沒錯,我用網(wǎng)絡(luò)表排PCB的,應(yīng)該也不會錯~!同名端我也測過了啊!!不知道是什么原因!!!
初級我是根據(jù)公式:NP=VON*TON/(AE*BM),頻率我用65K,D=0.4
高手能不能看看,我算得對不對!!
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楚天?
LV.8
8
2008-01-13 18:46
@jingfeng0192
我將主變壓器加0.1mm的氣隙,就不響了!!另外復(fù)位電路,一接入,輸入電流立馬變大,我的原理圖應(yīng)該沒錯,我用網(wǎng)絡(luò)表排PCB的,應(yīng)該也不會錯~!同名端我也測過了啊!!不知道是什么原因!!!
二極管反了?
否則不可能的.有問題就有錯誤.
正激是沒必要加氣隙的.
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2008-01-14 08:10
@楚天?
二極管反了?否則不可能的.有問題就有錯誤.正激是沒必要加氣隙的.
二極管我今天又看了一下,沒錯啊~!
待會我把二極管反過來試試~!~!
正激不加氣隙,空載的時候,變壓器響得歷害~!
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cyyzej
LV.7
10
2008-01-14 11:01
@jingfeng0192
二極管我今天又看了一下,沒錯啊~!待會我把二極管反過來試試~!~!正激不加氣隙,空載的時候,變壓器響得歷害~!
初級繞組太多了
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2008-01-14 14:41
@cyyzej
初級繞組太多了
一般的帶PFC的高壓都有380V了~!又是單管正激,MOS管一般至少要選到多少V啊!!!我?guī)M載的時候,都快800-900了!!我現(xiàn)在調(diào)試用的是900的!!
我都擔(dān)心管子!!!
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2008-01-14 16:11
@ccychen123
變壓器的匝數(shù)太多了吧.1.初級用68TS次級用7TS(次級匝數(shù)不變時.初級匝數(shù)越大占空比變大)占空比大對初級溫度下降.次級上升.當(dāng)然溫升要越均勻越好.2.磁復(fù)位繞組比初級匝數(shù)多時.PWMMOS尖峰電壓變小.尖峰電流變大反之MOS尖峰電壓變大.尖峰電流變小.
68匝!!!!如果用這個公式算的話,NP=VON*TON/(AE*BM)那不是BM取得了0.32
會不會太大了!!雖然是正激的,但一般的情況,通常都是取到0.25就差不多了吧!!
如果BM是0.25的話,那D就是0.3了!!!
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2008-01-14 19:47
@ccychen123
變壓器的匝數(shù)太多了吧.1.初級用68TS次級用7TS(次級匝數(shù)不變時.初級匝數(shù)越大占空比變大)占空比大對初級溫度下降.次級上升.當(dāng)然溫升要越均勻越好.2.磁復(fù)位繞組比初級匝數(shù)多時.PWMMOS尖峰電壓變小.尖峰電流變大反之MOS尖峰電壓變大.尖峰電流變小.
我把匝數(shù)改為68:7后,波形有點改善,但效率一下子低了5個點啊!!!
昏倒~!!!輸入電流也大了!!!!!
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maxpayne
LV.5
14
2008-01-14 21:44
@jingfeng0192
我把匝數(shù)改為68:7后,波形有點改善,但效率一下子低了5個點啊!!!昏倒~!!!輸入電流也大了!!!!!
前級是PFC,所以占空比可以適當(dāng)大些,
如果是電流型驅(qū)動IC,要加斜率補償,
復(fù)位線圈可以不加,
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楚天?
LV.8
15
2008-01-14 23:03
@maxpayne
前級是PFC,所以占空比可以適當(dāng)大些,如果是電流型驅(qū)動IC,要加斜率補償,復(fù)位線圈可以不加,
正激不加磁復(fù)位??????????那反峰電壓得飆到月球上去了
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2008-01-15 07:59
@楚天?
正激不加磁復(fù)位??????????那反峰電壓得飆到月球上去了
.!加了,我暫時用的RCD!!
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2008-01-15 08:06
@楚天?
正激不加磁復(fù)位??????????那反峰電壓得飆到月球上去了
現(xiàn)在工作的時候,芯片很熱!!怎么回事??
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楚天?
LV.8
18
2008-01-15 09:14
@jingfeng0192
現(xiàn)在工作的時候,芯片很熱!!怎么回事??
芯片熱說明芯片的耗散功率大.因為能量守恒:)
1、芯片劣質(zhì)
2、芯片供電電壓過高
3、芯片負(fù)載重(或有短路)
你著重檢查一下各腳的電壓波形 跟 手冊上對比一下.
比如芯片供電20V,MOS 柵極 鉗位穩(wěn)壓管15V
實在不成 撤掉輔助供電回路 外加電源給IC供電 斷開MOS,測量靜態(tài)功耗.
一部分一部分找.
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2008-01-15 11:08
@楚天?
芯片熱說明芯片的耗散功率大.因為能量守恒:)1、芯片劣質(zhì)2、芯片供電電壓過高3、芯片負(fù)載重(或有短路)你著重檢查一下各腳的電壓波形跟手冊上對比一下.比如芯片供電20V,MOS柵極鉗位穩(wěn)壓管15V實在不成撤掉輔助供電回路外加電源給IC供電斷開MOS,測量靜態(tài)功耗.一部分一部分找.
是第一條!劣質(zhì)的!(我現(xiàn)在調(diào)試,一直是外加VCC)
我換了一塊后好了!但帶滿8A時,HDC+還有380,帶10A時,只有280多V了!
PFC的MOS管還在工作!我將IPFC電流取樣的電阻減少一半,換成0.5歐,還行,
但PFC的MOS管的工作電壓波形感覺不太好!而且PFC值也不夠高才0.8多點!
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2008-01-15 14:13
@楚天?
芯片熱說明芯片的耗散功率大.因為能量守恒:)1、芯片劣質(zhì)2、芯片供電電壓過高3、芯片負(fù)載重(或有短路)你著重檢查一下各腳的電壓波形跟手冊上對比一下.比如芯片供電20V,MOS柵極鉗位穩(wěn)壓管15V實在不成撤掉輔助供電回路外加電源給IC供電斷開MOS,測量靜態(tài)功耗.一部分一部分找.
是減少到了0.05歐!!
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楚天?
LV.8
21
2008-01-15 20:12
@jingfeng0192
是減少到了0.05歐!!
PFC0.8的話……和沒調(diào)一樣.
而且……交流整流后的峰值就有311V了,你確定你的PFC干活了?
PFC用的是什么IC?
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2008-01-16 08:12
@楚天?
PFC0.8的話……和沒調(diào)一樣.而且……交流整流后的峰值就有311V了,你確定你的PFC干活了?PFC用的是什么IC?
我用的是sg6932!!那一個芯片發(fā)現(xiàn)有點問題!換個新的上去的話就有0.92了!!
覺得還行!但我想做到0.99!!現(xiàn)在怎么改,總有點上不去!最多的時候在220V是有0.94.
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ccychen123
LV.3
23
2008-01-16 11:29
@jingfeng0192
一般的帶PFC的高壓都有380V了~!又是單管正激,MOS管一般至少要選到多少V啊!!!我?guī)M載的時候,都快800-900了!!我現(xiàn)在調(diào)試用的是900的!!我都擔(dān)心管子!!!
比較忙.現(xiàn)在才上.
你改一下電路.
1.請在D16的正端到M4的D極間接一個顆103 1KV的陶瓷電容.
2.將復(fù)位繞組多繞4-8圈.(三明治繞法)
3.查一下VCC極性.

加氣隙是防止變壓器飽和.但要注意漏感不能大太.影響效率
最好是修改匝比將初級電感量降低.
  測試MOS管電流波形,如果頂端往上翹就是有飽和了.
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2008-01-16 11:45
@ccychen123
比較忙.現(xiàn)在才上.你改一下電路.1.請在D16的正端到M4的D極間接一個顆1031KV的陶瓷電容.2.將復(fù)位繞組多繞4-8圈.(三明治繞法)3.查一下VCC極性.加氣隙是防止變壓器飽和.但要注意漏感不能大太.影響效率最好是修改匝比將初級電感量降低.  測試MOS管電流波形,如果頂端往上翹就是有飽和了.
呵呵!!!先前的一個變壓器我加了一點氣隙后,帶重載時波形有點往上!
我后來把匝比改成你說的那樣了!!不過,效率好象低了一些了!
不過,波形看來還好!沒有往上的勢頭!
不知道你有沒有過用SG6932這個芯片!!比較難買!!
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2008-01-16 11:53
@jingfeng0192
呵呵!!!先前的一個變壓器我加了一點氣隙后,帶重載時波形有點往上!我后來把匝比改成你說的那樣了!!不過,效率好象低了一些了!不過,波形看來還好!沒有往上的勢頭!不知道你有沒有過用SG6932這個芯片!!比較難買!!
忘了發(fā)個圖,手畫的!比較難看!!看到的波形的大致意思就行了!!呵呵!!
:)
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2008-01-16 11:55
@jingfeng0192
忘了發(fā)個圖,手畫的!比較難看!!看到的波形的大致意思就行了!!呵呵!!:)
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2008-01-16 11:57
@jingfeng0192
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怎么樣將圖片發(fā)成讓別人可以下載的壓縮包呀!我一發(fā)上去就成了一個大圖!
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