詳細問題如下:我想用9個40n60并聯(lián)使用為約0.5歐姆電阻提供脈沖,頻率為5000hz,前端電壓約250v,平均電流小于3A.可以嗎?
另外驅(qū)動這些管子用一對8050/8550推挽行不行?我想在這對三極管前面加個大點的電容.
求善人出手:請問mos管40n60瞬間最大承受的電流是多大?極壓差200v.
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可以考慮infineon(英飛凌),IGBT芯片產(chǎn)量第一,約占全球1/3. EUPEC只是infineon一個小部門,只封裝模塊化中大功率產(chǎn)品. infineon IGBT 從3A-400A/600V,8A-3600A/1200V,3600A/1700V,3300V,6500V全系列在產(chǎn),有分立器件和模塊化IGBT、快恢復(fù)二極管等功率半導(dǎo)體器件.
北京晶川公司-符先生
010-67695050-826
IKW20N60T 100度20A
IKW50N60T 100度50A
IKW75N60T 100度75A
1.45V導(dǎo)通 壓降,最優(yōu)效率.
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010-67695050-826
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1.45V導(dǎo)通 壓降,最優(yōu)效率.
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@fahaj
可以考慮infineon(英飛凌),IGBT芯片產(chǎn)量第一,約占全球1/3. EUPEC只是infineon一個小部門,只封裝模塊化中大功率產(chǎn)品. infineon IGBT從3A-400A/600V,8A-3600A/1200V,3600A/1700V,3300V,6500V全系列在產(chǎn),有分立器件和模塊化IGBT、快恢復(fù)二極管等功率半導(dǎo)體器件. 北京晶川公司-符先生 010-67695050-826IKW20N60T 100度20AIKW50N60T 100度50AIKW75N60T 100度75A1.45V導(dǎo)通壓降,最優(yōu)效率.
看你驅(qū)動脈沖的寬度怎樣?
如果占空比不是太小,一個就夠.
如果占空比不是太小,一個就夠.
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