你這個(gè)電路初看此IC應(yīng)該是個(gè)三極管或MOS管,如果是開關(guān)IC的話,連IC周邊最基本的回路都沒(méi)有形成

就是一個(gè)P溝道MOSFET!

其一,你的圖上一個(gè)續(xù)流二極管畫的下端要接地(圖上沒(méi)接地);其二,這是一個(gè)開關(guān)電源的IC,不知是不是PI公司的,你可以到WWW.POWERINT.COM\去看看.

這個(gè)東西肯定不是PI的芯片,首先反饋就不是這樣的,應(yīng)該就是一個(gè)P-MOS

這是一開關(guān)電源,怎么可能是MOS管呢?如果是MOS管,請(qǐng)教是怎樣工作的.

是一個(gè)N MOSFET.

工作在線性區(qū)域.這個(gè)是個(gè)線性電源.就類似于 LDO一樣.

小三級(jí)管是用來(lái)控制基極電壓的.不過(guò)光歐的反饋好似多余.因?yàn)橛譀](méi)有隔離.

那要電感干嗎呢?還有三級(jí)管發(fā)射級(jí)的二級(jí)管有什么意義呢?

電感貯能的,二極管在驅(qū)動(dòng)里都有用到的,關(guān)斷用的!
光耦可以做恒壓!

電路工作在什么狀態(tài),開關(guān)狀態(tài),還是線性穩(wěn)壓狀態(tài)?能說(shuō)的更清楚點(diǎn)嗎?謝了.

關(guān)鍵是要看樓主的圖正確與否,5822的陽(yáng)極和9014的E極都沒(méi)有接地,就形不成一個(gè)基本的DC-DC串聯(lián)開關(guān)穩(wěn)壓電路,只能看成一個(gè)線性穩(wěn)壓電源,前面看錯(cuò)了這個(gè)管子的結(jié)型了,應(yīng)該是NPN的三極管或N溝道的MOS.
如果5822的陽(yáng)極和9014的E極都接地,電源工作的時(shí)候會(huì)有頻率的,但不是電路震蕩出來(lái)的,應(yīng)該是431和光藕的反饋電路造成的,所以接個(gè)電感和5822,看起來(lái)像開關(guān)電源,其實(shí)效率應(yīng)該和線性區(qū)別不大.

如果不是開關(guān)電源,那電感主要起什么作用呢?請(qǐng)教

這是一個(gè)失敗的設(shè)計(jì),從電路看樓主設(shè)計(jì)目標(biāo)是做一個(gè)簡(jiǎn)單的BUCK變換器,失敗之處如下:
1:電路錯(cuò)誤,圖中Q1發(fā)射極應(yīng)該接地,不然三極管無(wú)法控制MOSFET關(guān)閉,且續(xù)流二極管也沒(méi)有形成工作回路;
2:MOSFET驅(qū)動(dòng)失誤,由圖中所畫MOSFET管腳編號(hào)結(jié)合電路分析,此為N型MOSFET無(wú)疑,那么即使使用低GS門限的MOSFET,驅(qū)動(dòng)所使用電壓也應(yīng)該比圖中的+12VDC(即Vg)高3V左右,如果按圖中使用等于Vg的電壓的話,MOSFET將工作于線形狀態(tài)而不是開關(guān)狀態(tài);
3:既然是不隔離輸出,那么反饋電路中的光偶完全沒(méi)有必要;
4:圖中控制三極管的基極回路中沒(méi)有對(duì)電流進(jìn)行限制,一旦電路反饋建立,D6、Q1的b-e、IC2的c-e中必然會(huì)有一處或多處損壞;
5:......

...........

應(yīng)該是個(gè)PWM+MOS的IC

對(duì)第2條有不解:為什么驅(qū)動(dòng)要比12VDC高3V?
對(duì)第4條:Q2從PIN4拉電流,不會(huì)產(chǎn)生過(guò)流吧,只會(huì)關(guān)斷!
說(shuō)的不對(duì),請(qǐng)斧正!!

MOSFET完全開通需要VGS大于器件最小的VGS門限電壓,而MOSFET完全開通時(shí),VS可視為等于VD,所以驅(qū)動(dòng)電壓需要高于12VDC,具體高多少由期間參數(shù)決定.
我說(shuō)的Q2會(huì)過(guò)流指的是b-e回路,不是c-e,當(dāng)然前提是e級(jí)接地.

Q2 B極電流受次級(jí)控制,過(guò)流,還是沒(méi)有看出來(lái)!
按照樓上的推導(dǎo),那么是這個(gè)是LINE式還是BUCK式電路呢
VGS應(yīng)該不會(huì)要到17V那么高吧,

關(guān)于過(guò)流,確實(shí)我描述的不夠全面,抱歉.
1:在電源完全正常工作的時(shí)候,是不會(huì)出現(xiàn)過(guò)流現(xiàn)象的;
2:如果因某種原因?qū)е螺敵鲭妷撼^(guò)設(shè)定值,那么光耦合器中的三極管會(huì)飽和導(dǎo)通,這時(shí)候就會(huì)過(guò)流;
3:在調(diào)試過(guò)程中,在環(huán)路未穩(wěn)定前,如果有超調(diào)現(xiàn)象,那么過(guò)流同樣有可能出現(xiàn).
在此電路中要解決此問(wèn)題,僅僅需要在Q1 b-e回路中增加1個(gè)K級(jí)的電阻,我認(rèn)為在此設(shè)計(jì)中,控制三極管基極回路沒(méi)有設(shè)計(jì)電流限制元件,是設(shè)計(jì)者基本知識(shí)缺乏的一種表現(xiàn),或者說(shuō)至少也是粗心.

關(guān)于電路形式,我已經(jīng)很明白的說(shuō),這是buck,另有LINE這種電路形式嗎?我還真不知道,這是一種應(yīng)用方式而不是電路拓?fù)浒?

VGS不需要17V那么高,但VG卻需要,因?yàn)槲覀冃枰狹OSFET完全導(dǎo)通,
那么
VS=VD=12V
VG=VS+VGS最小值

那么對(duì)于FLYBACK線路在整流后的驅(qū)動(dòng)要多少伏呢?
和這種線路的區(qū)別在哪里?
報(bào)歉,我對(duì)這個(gè)電路還是不大理解!

兄弟,這本來(lái)就是一個(gè)MOSFET嘛,P溝道的,型號(hào)大約是4435或者9435啦,這個(gè)電路設(shè)計(jì)得并不好,可以無(wú)需要隔離的,電位平衡問(wèn)題可以解決的,那樣成本方面會(huì)好一點(diǎn)

buck電路的最典型結(jié)構(gòu)嘛,一點(diǎn)都沒(méi)有變,還有什么好講的

我想不是設(shè)計(jì)失敗,是圖紙畫錯(cuò)了,除了地線的部分外,MOSFET的驅(qū)動(dòng)部位也是有問(wèn)題的

MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓VGS究竟需要多少,取決于器件本身特性,跟電路形式是沒(méi)有關(guān)系的.

再回一貼!
按你的理論那應(yīng)該是300V直流匯流過(guò)來(lái)的D極電的話,驅(qū)動(dòng)就要310V或是??
我想可能是我見識(shí)了,還沒(méi)用過(guò)超過(guò)驅(qū)動(dòng)要求30V以上的管子!

VG=VS+VGS最小值

關(guān)鍵是VS是多少而不是VD,你說(shuō)的FLYBACK開關(guān)管S級(jí)直接接地,當(dāng)然不會(huì)有超過(guò)30V的驅(qū)動(dòng)了,而BUCK......
哥們,再認(rèn)真看看基礎(chǔ)書吧.

各位,這個(gè)是N溝道的MOSFET,電路是在開關(guān)狀態(tài),9014 E極要接地,因圖是臨時(shí)隨便畫的,有些問(wèn)題

你說(shuō)的對(duì),是我沒(méi)有考慮到位!
但是次級(jí)電感貯能是會(huì)有壓降,當(dāng)能量放出去以后電壓是不是降下去了呢?S極電壓還是Vd減去管子壓降嗎?

BUCK電路中當(dāng)續(xù)流電感釋放能量時(shí),開關(guān)管S電壓大約為-0.3到-0.7V(續(xù)流二極管壓降),此時(shí)由于控制電路的存在,G級(jí)電壓會(huì)被拉到地.

高!