驅(qū)動(dòng)部分過于復(fù)雜.實(shí)際效果可能并不理想.

長期工作效率降低,MOSFET升溫,主要是開關(guān)損耗過大. 如果不考慮你計(jì)算問題. 關(guān)注驅(qū)動(dòng)部分的話.建議如下:

1.如果想找到問題.可以直接使用簡單的驅(qū)動(dòng)電路.你這邊應(yīng)該是驅(qū)動(dòng)變壓器接入.使用簡單的電阻直接連接G便可以.雖然沒有三極管和二極管加速關(guān)斷.但是還是應(yīng)該可以驅(qū)動(dòng)的好. 4148其實(shí)用在這里效果不明顯.壓降大,速度慢.如果真想加速,換成小的肖特基二極管.

2,簡單的實(shí)驗(yàn)的話,直接把22歐姆驅(qū)動(dòng)電阻減小一半.用10歐姆.看看有沒有改善.一般來說,速度提高一倍.開關(guān)損耗明顯減少.

R19 R20 可以去掉 R55 不知道用來做什么.

非常感謝
1,我試了改成簡單的驅(qū)動(dòng)電路,但現(xiàn)象還是依舊存在,而卻它的驅(qū)動(dòng)波形明顯沒有上面那個(gè)驅(qū)動(dòng)波形放心,應(yīng)該不是驅(qū)動(dòng)電路的問題
2,在對驅(qū)動(dòng)電阻減小一半以后,開關(guān)損耗是降低了一到兩瓦,但還是沒有根本解決問題


而卻在我這次調(diào)試中,當(dāng)我將那個(gè)220m歐的取樣電阻,換成專用的取樣電阻以后,在我電源驅(qū)動(dòng)以后,我的負(fù)載只能由輕到重的加,當(dāng)由重負(fù)載變?yōu)檩p負(fù)載時(shí),MOSFET就會(huì)烤,從爾燒掉取樣電阻,乃至芯片,而卻這種現(xiàn)象發(fā)生的劇烈.
也就是說,當(dāng)我用普通電阻作取樣電阻的時(shí)候,好象能減弱這種烤管的趨勢.

對,R19 R20 是可以去掉,R55是電流取樣電阻

請比較下 兩種采樣電阻使用情況下的 采樣信號波形.

你說的專用采樣電阻和普通電阻,是否是 無感繞線電阻和碳膜電阻的區(qū)別.

另外,只能由輕到重,不能由重到輕加載挺奇怪.

還是要看看你采樣電流的信號是什么樣子,才能發(fā)現(xiàn)一些問題.

對
就是金屬膜電阻和繞線電阻的區(qū)別,
不過本質(zhì)上就是當(dāng)電源系統(tǒng)減小占空比的時(shí)候,出現(xiàn)了問題,出現(xiàn)了是瞬態(tài)高壓,或者是控制環(huán)的問題,使MOSFET管燒掉,然后大電流流過取樣電阻,因?yàn)槠胀娮璧母行蕴匦?電流不會(huì)增加的很快,從爾普通電阻不會(huì)燒的很厲害,而由于取樣電阻的無感特性,電流升的很厲害,所以爆的很厲害,
也就是說燒管還是問題的根源,而且是系統(tǒng)試圖減小占空比的情況下燒的
我現(xiàn)在正在加吸收回路,看能不能解決問題
另外,我的電流取樣端RC常數(shù)設(shè)的有點(diǎn)大,R為1K,C為102,不過取小了,系統(tǒng)穩(wěn)態(tài)下都不是很穩(wěn)定

問題終于解決了,功率部分采取了下圖的電路
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/62/2073261204276439.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
多加了圈中所示部分,現(xiàn)在取樣電阻爆炸的現(xiàn)象得到了解決

D8\D9 做什么用的?去掉它們試試?